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公开(公告)号：CN118382315A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410510128.6
申请日：2024-04-26
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K50/30 , H10K50/805
Abstract: 一种栅极调控发光器件结构，涉及光电显示领域，器件结构包括：发光单元、栅极绝缘层、栅极调控电极；发光单元依次包括：第一电极、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、第二电极；发光单元与栅极调控电极之间设置有栅极绝缘层，栅极调控电极位于第一电极或第二电极所在侧；在器件工作时，第一电极与第二电极施加第一电源，第一电源用于为发光单元供电发光，栅极调控电极相对于第一电极和/或第二电极施加偏置电源，偏置电源用于构建电场调控发光单元内的载流子的迁移率而调整发光单元的发光亮度或发光效率。本发明通过栅极调控实现发光效率的提升或发光亮度的提升。
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公开(公告)号：CN117388958A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311499784.2
申请日：2023-11-10
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光波段宽带负折射率结构及制备方法，包括基底，2n+1层在垂直基底方向上交替堆叠的金属层和介质层，纳米级厚度的透明介质保护层，贯穿金属层和介质层的孔洞，n≥2。所述孔洞结构均一，呈周期性排布。所述金属层为同一种金属材料；其中至少两层介质的折射率不同，利用不同折射率介质在不同波段的共振响应实现宽带负折射率。该结构制备工艺简单，成本低，可实现宽带光波段的负折射率，可应用于显示器件可见光出射方向的任意调控。
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公开(公告)号：CN117334588A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311329127.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法，包括对镀液进行浸润性调配；在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后，进行等离子体表面处理，得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面；将制备的衬底对位贴合，密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液，实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联；有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题，克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉，生产效率较高，安全性较高，可应用于高密度封装器件中。
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公开(公告)号：CN114203864B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111216718.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种多功能发光三极管器件的制备方法，其在发光三极管器件的外延层生长过程中，采用多次外延生长，每次外延时通过制备介质层和湿法腐蚀的方式控制器件结构；其中，制备介质层用于控制下一次外延生长的有效区域；湿法腐蚀则用于去除介质层。工艺包括了半导体光刻、半导体外延、湿法腐蚀，通过光刻制备掩膜层、在掩膜层外区域制备介质层、去除掩膜层等制备半导体层的步骤。与现有技术相比，本发明方案解决了光刻工艺中难以保证的精度问题，减小了器件制备的难度，节约了制作成本，对于提高器件制备效率具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115656768A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211134263.2
申请日：2022-09-19
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州市福大微纳显示科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提出一种LED芯片快速检测系统，核心组件为柱型导电模块，柱型导电模块横置于待测LED芯片阵列表面，柱型导电模块的圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使柱型导电模块的曲面与待测LED芯片阵列表面的某一呈直线状排列的多个LED直接接触，在检测过程中柱型导电模块沿垂直于柱型导电模块的圆柱轴方向相对于LED芯片阵列产生滚动并保持与待测LED芯片阵列持续接触，无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119064650A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411053312.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G01R1/07 , G01R1/067 , G01R31/311
Abstract: 本发明公开了一种基于机器视觉的无接触电致发光检测探针倾角调整装置及方法，其中装置包括：用于搭载检测探针的探针调整机构，探针调整机构包括控制检测探针在X轴和/或Y轴方向进行旋转的垂直旋转轴和用于控制检测探针在Z轴方向进行旋转的水平旋转轴；探针调整机构下方设置有机器视觉单元，机器视觉单元包括CCD相机、镜头以及灯源，灯源用于对检测探针进行照射，CCD相机和镜头用于采集检测探针底面的图像，镜头与待检测Micro‑LED芯片平行；探针调整机构和机器视觉单元分别与控制单元进行连接；控制单元用于对采集的图像进行图像处理并生成角度调整指令控制探针调整机构对检测探针进行调整。本发明提高了探针调整的精度和效率，减少人工操作的误差。
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公开(公告)号：CN118778260A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410868247.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: G02B27/01
Abstract: 本发明公开了一种基于直视微纳显示屏阵列的仿生近眼显示系统，包括：仿生近眼显示系统包括：视力矫正光学镜片，视力矫正光学镜片上设置有透明微纳显示屏阵列，透明微纳显示屏阵列包括M个微纳显示屏，微纳显示屏的像素阵列为m×n；用于采集用户数据和环境数据的传感器模块；用于对微纳显示屏的光线进行光路调整的光学模块；用于供电的电源及光开关模块；用于控制驱动的驱动模块；用于调控微纳显示屏光线的光线调控模块。本发明通过多显示屏实现信息直显，深度、分辨率和刷新率可分区调节，视觉更健康的色彩融合，在提高近眼显示系统显示质量的同时减少能耗。
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公开(公告)号：CN118425725A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410537227.3
申请日：2024-04-30
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州市福大微纳显示科技有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种光电器件阵列的高速检测设备及检测方法，高速检测设备包括：包含第一导电板的第一支撑平台，第一支撑平台用于承载待检测光电器件阵列，第一支撑平台搭载于支撑平台多轴位移机构上，第一支撑平台上方设置与第一导电板相对应的第一导电体，第一导电体搭载于导电体支撑架上，导电体支撑架与支撑架垂直三轴位移机构相连接，导电体上方设置有第一光学镜头，第一光学镜头搭载于光学垂直位移机构上，光学垂直位移机构内设置第一光路模块，第一光路模块与第一光学镜头相连接；高速检测设备还包括用于供电的电气模块和用于检测的成像光学显微模块。本发明通过调整各个部件的平行关系，使得检测结果更加精准可靠。
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公开(公告)号：CN117012876A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310896262.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构，该自键合结构包括外部驱动基板，外部驱动基板上设置有若干电极，电极上设置有金属凸点，部分或全部相邻的电极之间设置有空腔，空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压，纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大，从而固定Micro LED芯片阵列，避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变，适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号：CN115799243A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211569447.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种高密度Micro‑LED阵列结构及其制备方法，包括驱动基板层，用于连接LED芯片层与驱动基板层的键合层，n层在垂直基板方向上堆叠的LED芯片层，用于连接n层芯片的键合层，n≥2。所述键合层由有机介质，多组金属墙结构和多个金属电极组成。有机介质实现芯片层与驱动基板层、不同芯片层之间的物理键合连接；芯片电极分别与金属电极电性连接，金属电极与金属墙电性连接，金属墙实现芯片之间、芯片与驱动电路之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，芯片制备过程可实现微纳米级高精度对位；金属墙可抑制光串扰，对出射光光形进行整形。
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