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公开(公告)号：CN107947592A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711377639.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H02M3/33569 , H02M1/14
Abstract: 本发明公开了一种基于路耦合的全桥式开关电源纹波系数预测方法，包括确定全桥式开关电源电路拓扑图及电路器件参数；确定变压器副边两端的电压；计算输出滤波电感L两端的电压；计算输出滤波电感L上的电流；计算通过输出滤波电容C和等效串联电阻ESR的纹波电流；计算理想输出滤波电容C两端的电压；基于电容滞后特性，计算输出滤波电容C两端电压的滞后时间Δt；确定实际输出滤波电容C两端的电压；计算等效串联电阻ESR两端的电压；确定全桥式开关电源总纹波电压表达式；计算全桥式开关电源总纹波电压的峰峰值；计算全桥式开关电源纹波系数。本发明建立了一种全桥式开关电源中电路器件参数与纹波系数的路耦合模型，实现了不同电路器件参数下的纹波系数的快速预测。
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公开(公告)号：CN107834152A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711138277.0
申请日：2017-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种利用FSS和微型热管实现阵面散热的共形承载天线，其特征是：至少包括，透波罩体单元，用于承受外部载荷保护内部天线；天线单元；透波罩体单元和天线单元通过导热材料进行热压粘接，构成共形承载天线。本发明由含微型热管和金属频率选择表面FSS构成的散热结构形成罩体部分，微型热管将天线阵面的热量传递到蒙皮中的FSS，利用外部高速气流实现散热的同时，还可以有效增加其结构刚强度，有利于CLAS的结构和热功能特性的提高，并具有频率选择透波的特性。
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公开(公告)号：CN106849860A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710160788.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于ENZ超材料的聚光型空间太阳能电站，包括球形聚光器，非接触式导电旋转关节包括固定盘、导电定子和导电转子，导电定子的一端与固定盘的一侧焊接，导电转子的中部设有圆形通孔，导电转子与导电定子套接，半球形光伏电池阵的顶侧和底侧各设有一个非接触式导电旋转关节，半球形光伏电池阵的顶侧和底侧分别与导电转子固接，微波发射天线系统的两端分别与导电定子的另一端焊接，固定盘的另一侧面分别与三个牵引索的一端等间距固接，球形聚光器的顶侧和底侧均设有固定环，三个牵引索的另一端分别与固定环等间距固定连接，控制计算机与非接触式导电旋转关节相连，用以控制非接触式导电旋转关节从而实现半球形光伏电池阵对日定向。
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公开(公告)号：CN106650101A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611203012.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合模型的空间网状反射面天线温度载荷分析方法，具体步骤包括：(1)输入天线几何参数、材料参数与电参数；(2)建立天线结构有限元模型；(3)建立天线热有限元模型；(4)设置边界条件；(5)选择轨道；(6)温度场计算；(7)加载温度场载荷；(8)热变形计算；(9)输出热变形位移；(10)计算面片相位误差；(11)采用机电耦合模型计算天线远区电场；(12)判断电性能是否满足要求；(13)输出天线结构设计方案，或(14)更新天线参数转至(1)继续。本发明基于机电耦合模型对空间网状反射面天线进行温度载荷分析，可指导空间网状反射面天线电性能分析及机电集成优化设计。
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公开(公告)号：CN103913470B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410113630.X
申请日：2014-03-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N22/02
Abstract: 本发明涉及一种基于远区电磁场分布的共形承载天线的罩体缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）建立无罩共形承载天线的分析模型；（2）对天线阵面表面的近场分布进行仿真；（3）测量带罩共形承载天线的远场；（4）对带罩共形承载天线的罩体进行网格划分；（5）根据步骤（2）仿真所得天线阵面表面的近场以及步骤3）所测带罩天线的远场，反求出天线罩罩体各处的透射系数；（6）根据步骤（5）罩体各处的透射系数，反求出天线罩罩体各网格处的材料厚度，获取材料缺陷的形状和位置。本发明由于根据无罩天线的近场和带罩天线的远场来确定共形承载天线的罩体的材料缺陷，因而与现有技术相比，实现对封装后罩体的材料缺陷进行检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106446469A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610997422.X
申请日：2016-11-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018
Abstract: 本发明公开了一种基于二阶近似计算公式的空间网状天线电性能动力响应分析方法，包括：输入天线几何参数、材料参数与电参数；计算理想天线远区电场；建立天线结构有限元模型；提取节点、单元与形函数信息；计算单元电性能一阶、二阶系数矩阵；组集总体电性能一阶、二阶系数矩阵；进行天线结构模态分析；输出模态矩阵；计算电性能动力响应一阶导数列向量、二阶Hessian阵；施加动力载荷；计算模态坐标；近似计算天线远区电场变化量；计算远区电场动力响应；判断电性能是否满足要求；若满足输出天线结构设计方案；否则更新天线参数。本发明在保证计算精度的前提下可有效减少电性能动力响应计算时间，实现天线结构机电集成优化设计。
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公开(公告)号：CN106407723A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611025636.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法，包括：确定稀疏排布阵列天线的结构参数、电磁工作参数和稀疏排布矩阵，给出初始激励电流幅度加权方案；计算稀疏阵中相邻两个辐射单元在目标处的辐射场空间相位差，得到稀疏排布阵列天线的辐射场口面相位差；计算稀疏排布阵列天线的辐射场方向图；计算稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平；根据天线设计要求，判断是否满足，若不满足，计算得到最低最大副瓣电平值，通过选择、交叉和变异方法更新阵列天线单元的激励幅度加权方案，重复计算，直至满足要求。本发明克服了疏排布阵列天线低副瓣性能实现的空缺，能够快速、有效地得到满足低副瓣要求的激励电流幅度加权方案。
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公开(公告)号：CN106299587A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610717493.X
申请日：2016-08-24
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01Q1/1235 , H01Q15/14
Abstract: 本发明公开了一种基于剪刀式桁架结构的静电成形薄膜反射面天线，由剪刀式桁架结构、柔索、基础索网电极、薄膜反射面、静电电源组成。剪刀式桁架结构为整个结构提供支撑，柔索交错设置在剪刀式桁架结构内侧，基础索网电极通过柔索与剪刀式桁架结构相连，薄膜反射面固定在基础索网电极之上，与剪刀式桁架结构相连并固定，静电电源为基础索网电极提供高电势，为薄膜反射面提供接地低电势。收拢时，柔索、基础索网电极与薄膜反射面收拢在剪刀式桁架结构的空余空间内；展开时，柔索绷紧并支撑基础索网电极，薄膜反射面在静电电源输出的静电力作用下形成抛物面形状。本发明具有收拢体积小，结构简单的优点，可用于高精度静电成形薄膜反射面天线中。
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公开(公告)号：CN106252873A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610824700.1
申请日：2016-09-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种共形承载天线远场功率方向图的区间分析方法；其特征是：至少包括如下步骤：第一步，确定复合材料天线罩材料厚度的误差区间；第二步，引入变量：X＝cos(Vd),Y＝sin(Vd)，计算变量X和Y的上下边界分别为；第三步，计算传输复数矩阵 的区间上下边界；第四步，计算系数 的区间上下边界；第六步，计算单个单元的系数Fi(θ,φ)＝TMiEi(θ,φ)的区间上下边界；第七步，计算全部单元系数的区间上下边界；第八步，计算功率方向图区间上下边界。本发明将区间分析应用于天线罩远场方向图的分析中，可在给定材料厚度误差区间的基础上，通过一次分析，即可得到对应的远场方向图区间，大大节省了分析时间和计算资源。
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公开(公告)号：CN106199132A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610471102.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R19/00
CPC classification number: G01R19/0092
Abstract: 本发明涉及基于三角波模型的非理想金属表面位移电流计算方法，其包括：(1)确定非理想金属表面形貌误差信息；(2)使用三角波函数建立非理想金属表面形貌误差模型；(3)在非理想金属表面两端接入理想电流源；(4)计算两相邻波峰之间的等效电容值；(5)计算两相邻波峰之间的等效电阻值；(6)计算两相邻波峰之间的电压值；(7)计算整个非理想表面的位移电流值。
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