公开(公告)号：CN103420670A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310346515.2

申请日：2013-08-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李恩竹 ,  余盛全 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。包括BaO-ZnO-TiO2主料、第一添加剂BaCu(B2O5)、第二添加剂复合氧化物和第三添加剂MnO2。首先以BaCO3、ZnO和TiO2为原料合成BaO-ZnO-TiO2主料，然后以BaCO3、CuO和B2O3为原料合成第一添加剂，再以BaCO3、ZnO、TiO2、SiO2和B2O3为原料合成第二添加剂，再将第一、二、三添加剂添加到主料中，经球磨、干燥、过筛、造粒、成型和排胶处理后在空气中于850～940℃下烧成。本发明提供的低温烧结微波陶瓷材料，经检测具有高的Q值，近零且系列化的频率温度系数，适中的介电常数和良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN116606141B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202310598918.X

申请日：2023-05-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  唐柳 ,  钟朝位 ,  袁颖 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明高介高正温度系数微波介质陶瓷材料的原料组成为Na2CO3、K2CO3和Ta2O5，通过固相法制得，化学式为Na1‑xKxTaO3(x＝0.025‑0.15)；具有127‑176的高介电常数，损耗低至3.46×10‑4，730‑920ppm/℃的超高正向温度系数。本发明从原料引入K+离子，通过调节x的值来改变K+离子取代量，在保证低损耗的同时，得到了高介高正温度系数的微波介质陶瓷材料；尤其适用于频率温度系数补偿材料，与负频率温度系数材料复合以获得τf近零的材料，且制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN117923892A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410068054.5

申请日：2024-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  肖蝉吟 ,  刘叔承 ,  司峰 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/80

Abstract: 一种抗还原X7R型超细陶瓷材料及其制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及陶瓷材料技术。本发明的抗还原X7R型超细陶瓷材料以所述介质材料由主料粒径为100～200nm的BaTiO3和二次添加剂组成；所述二次添加剂包括ZrO2、BaCO3、WO3、Mn3O4以及稀土元素Y、Dy、Ho、Er中一种或一种以上的氧化物；所述各材料质量配比为：[100‑(a+b+c+d+e)]BaTiO3+aBaCO3+bZrO2+cWO3+dMn3O4+eRe2O3，Re2O3代表稀土元素氧化物，其中，a、b、c、d、e是系数，以重量百分比计算，0.4％≤a≤4％、0.1％≤b≤0.4％、0.02％≤c≤0.08％、0.2％≤d≤0.8％、0.4％≤e≤1.6％。二次添加剂质量占整个抗还原X7R型超细陶瓷材料总质量的1.32～5.68％。本发明的抗还原X7R型超细陶瓷材料是在1～2％H2‑N2还原气氛中进行烧结，并且进行再氧化处理最后制得的，其具有高介电常数(2000～3000)，较高的绝缘电阻率(ρ≥1.0*1012Ω·cm)，良好的温度稳定性，重复性好，价格低廉，可用于制备高性能、低成本的Ni电极MLCC。

公开(公告)号：CN117766298A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311806958.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王华 ,  李恩竹 ,  胡智超 ,  潘俊宏 ,  钟朝位

IPC: H01G4/33 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种耐高温柔性薄膜电容器及其制备方法，本发明制备的多层薄膜电容器高温稳定性好，在25‑200℃的温度范围内，电流密度和功率密度的变化率仅为±5.4％；该电容器具备快速充放电能力(t0.9＝0.0554μs)，高储能密度(Wd＝0.51J/cm3)，高电流密度(CD＝72.19A/cm2)，高功率密度(PD＝43.31MW/cm3)。此外，电容值高，相对于PI薄膜电容器，PI复合物薄膜电容器的电容为16.33nF，提升了26.4％。这种PI耐高温薄膜电容器有望提高电子设备在极端高温环境下的性能和可靠性，进一步推动高温电子技术的发展。

公开(公告)号：CN117401968A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311355021.0

申请日：2023-10-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  郑逸轩 ,  胡智超 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为(5.CaLaAl8～6.3)3O7，，低损耗其具有低介电常数(7.2×10‑4)以及负的谐振频率温度系数(‑37～‑31ppm/℃)。本发明的微波介质陶瓷具有低介电常数与较低损耗，是无线通信领域低介电微波陶瓷的理想候选材料，同时采用传统固相反应法制备，工艺成熟且可工业化生产，复现性强且能合成稳定的纯相。

公开(公告)号：CN116606141A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310598918.X

申请日：2023-05-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  唐柳 ,  钟朝位 ,  袁颖 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明高介高正温度系数微波介质陶瓷材料的原料组成为Na2CO3、K2CO3和Ta2O5，通过固相法制得，化学式为Na1‑xKxTaO3(x＝0.025‑0.15)；具有127‑176的高介电常数，损耗低至3.46×10‑4，730‑920ppm/℃的超高正向温度系数。本发明从原料引入K+离子，通过调节x的值来改变K+离子取代量，在保证低损耗的同时，得到了高介高正温度系数的微波介质陶瓷材料；尤其适用于频率温度系数补偿材料，与负频率温度系数材料复合以获得τf近零的材料，且制备方法简单，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN114409389B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210026261.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  吴裴 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si4+离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的晶格能高这一特性，通过调整Ba‑Si基陶瓷原料配方，采用固相法，在850℃～950℃的低温下烧结成型致密的Ba‑Si‑B‑M基微波陶瓷材料。在烧结过程中形成低共熔化合物，从而推动晶粒重排，并且随着烧结的进行析出BaSi2O5相的陶瓷；并且没有二次相，确保了陶瓷材料的介电性能和机械性能优异，具有高Q×f值，6～7.5的低介电常数，介电损耗低至6.13×10‑4，可在LTCC中推广应用。

公开(公告)号：CN115124331A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210705991.8

申请日：2022-06-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  王明霞 ,  秦天应 ,  张树人

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高导热高膨胀低温共烧陶瓷材料，属于电子信息功能材料技术领域。所述陶瓷材料包括主基料和添加剂，主基料中各成分占陶瓷材料的质量百分比：MgO:5～10wt％，Li2CO3：25～60wt％，SiO2：35～50wt％，Al2O3:1～10wt％，添加剂中各成分占陶瓷材料的质量百分比：H3BO3:0～5wt％，LiF:1～10wt％，CaO:0～5wt％，ZrO2:0～5wt％。本发明提供的陶瓷材料，烧结温度≤940℃，热导率8.535～11.362W/mK，热膨胀系数～12×10‑6/K，兼具低烧结温度、高导热、高膨胀系数性能。

公开(公告)号：CN114889273A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210292711.5

申请日：2022-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  周梦婷 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B38/16 ,  B32B38/00 ,  C09D1/00 ,  C09D7/65 ,  H05K3/02

Abstract: 本发明提供的无玻纤的陶瓷/碳氢树脂基微波介质基板及其制备方法，属于覆铜板技术领域，包括重量份数分别为5～15份的聚丁二烯、2～6份的苯乙烯‑丁二烯共聚物、3～9份的三元乙丙橡胶、0.2～1.5份的引发剂和70～90份的陶瓷粉体，将上述原料按顺序加入溶剂中得到胶液，刮涂于PTFE膜表面，经低温干燥后得到半固化片，进而制得微波介质基板。本发明无需玻璃布即可制得介电常数覆盖范围广的微波介质基板，并通过采用不同介电常数的陶瓷粉体配方，制备介电常数和复合基板温度系数可调的微波介质基板，应用广泛，制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。

公开(公告)号：CN114671614A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210391924.3

申请日：2022-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  王宇晨 ,  杨鸿程 ,  钟朝位 ,  张树人 ,  孙成礼

IPC: C03C10/02 ,  C03C6/04 ,  C03B19/06

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO3、P2O5，并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素，通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺，即可在850～950℃的低温下烧结获得低介(εr＝4～5)、低损(Tanδ