公开(公告)号：CN107382300A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201610326122.9

申请日：2016-05-17

Applicant: 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  电子科技大学

Inventor： 刘昕 ,  陈川 ,  祝志祥 ,  孙亮 ,  韩钰 ,  孙科 ,  余忠 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

CPC classification number: C04B35/2633 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/96 ,  H01F1/344

Abstract: 本发明提供一种镍锌软磁铁氧体材料及其制备方法。本发明中的镍锌软磁铁氧体材料包括按摩尔百分比计的组分和添加剂，其中组分为Fe2O3 45～62mol％、ZnO 20～35mol％和NiO 15～25mol％，添加剂为CuO 1～5mol％、Co2O3 0.5～9.5mol％、CaCO3 0.5～5mol％、V2O5 0.5～5.5mol％和SnO2 0.5～6.5mol％。本发明提供的镍锌软磁铁氧体材料在10kHz下磁导率可达1300，提高了电子设备整体可靠性，同时具有高灵敏度，低功耗，能在高频环境下有效抗外界干扰，适应恶劣环境等优点，且制备工艺简单易操作。

公开(公告)号：CN104036930B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410233800.8

申请日：2014-05-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  赖敏敏 ,  孙科 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  郭荣迪 ,  邬传健

IPC: H01F29/00 ,  H01F27/28 ,  H01F27/24

Abstract: 磁集成贴装磁屏蔽功率电感器，涉及电子元器件技术。本发明包括绕组、内核磁心、外壳磁心和有效匝数调节装置，所述绕组环绕内核磁心，绕组和内核磁心设置于外壳磁心的内部；有效匝数调节装置的滑动端与绕组接触，调节控制部分设置于外壳磁心的外部；绕组与设置于外壳磁心外部的连接端形成电连接。本发明的有益效果是：第一，多功能化，可用作电感和变压器且都可调；第二，电感器电感值、压变实现数值显示；第三，外壳磁心、外壳磁心盖及内核磁心形成基本封闭的磁路空间，因此漏磁场小；第四，采用表面贴装设计，便于安装。

公开(公告)号：CN103255384B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310179098.7

申请日：2013-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  余忠 ,  朱光伟 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  许志勇 ,  李乐中

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤：步骤1：基板清洗；步骤2：溅射制备AlN薄层；步骤3：溅射制备BaM薄膜；步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度达到250℃?500℃，在镀有AlN薄层的基板上继续溅射一层所需厚度的BaM薄膜。步骤5：退火。经过本发明工艺步骤制备出的BaM薄膜，晶粒c轴垂直膜面高度取向，薄膜磁晶各向异性场可达15000Oe，实现了BaM薄膜在半导体基板上的高度取向生长，而且所使用的射频磁控溅射技术能够很好的与现有的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN103214233B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310092273.9

申请日：2013-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  黄晓东 ,  郭荣迪 ,  邬传键 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高Tc、宽温超高Bs MnZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成，其特征在于，主料包括：58.0-62.0mol%Fe2O3，10.0-15.0mol%ZnO，4.0-6.0mol%NiO，余量为MnO；按重量百分比，并以预烧后的主料为参考基准，以氧化物计算，掺杂剂包括：0.001-0.30wt%MoO3、0.01-0.40wt%Bi2O3、0.001-0.05wt%SnO2、0.001-0.05wt%Nb2O5、0.001-0.20wt%Ta2O5。本发明具有高居里温度（Tc≥320℃）、宽温高Bs（25℃，Bs≥600mT；100℃，Bs≥490mT）及较低损耗（100℃、100kHz200mT，PL≤800kW/m3）等特性。

公开(公告)号：CN103474200A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310433093.2

申请日：2013-09-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  赖敏敏 ,  李垚 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01F17/04 ,  H01F27/24 ,  H01F27/30 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02 ,  H01F41/00

Abstract: 小型表面贴装磁屏蔽功率电感及制备方法，属于电感器技术领域，本发明的小型表面贴装磁屏蔽功率电感包括外壳磁芯、内核磁芯和线圈，线圈围绕内核磁芯设置，外壳磁芯的内部设置有限位机构，内核磁芯和线圈通过限位机构设置于外壳磁芯中。本发明的有益效果是：第一，电感体积小，安装高度低；第二，采用金属磁粉芯作为内核磁芯，因其强的抗饱和磁化能力，电感能承载大的电流；第三，采用大小不同的内核磁芯和匝数不一的线圈实现了电感值的系列化；第四，采用表面贴装设计，易于安装。

公开(公告)号：CN102390984B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110215629.4

申请日：2011-07-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  郭荣迪 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明组分包括主料和掺杂剂，其特征在于：以氧化物计算，主料为：48.5～49.9mol％Fe2O3，31.0～34.0mol％ZnO，4.0～8.0mol％CuO，余量为NiO；以氧化物计算，并以主料为参考基准，按重量百分比，掺杂剂为：0.001～0.30wt％MoO3、0.001～0.20wt％V2O5、0.01～0.40wt％Bi2O3、0.001～0.05wt％Nb2O5、0.001～0.08wt％TiO2。本发明具有的高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102167575B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110001941.3

申请日：2011-01-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  孙科 ,  余忠 ,  兰中文 ,  王智锟 ,  罗明 ,  郭荣迪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料，属于电子材料技术领域，本发明由主料、添加剂和粘合剂构成，其特征在于，主料以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3为原料计，按Li0.35+xZn0.3Fe2.28Mn0.07O4+δ分子式计算，其中x＝0.01～0.2，x＝2δ；相对于主料，添加剂以Bi2O3、NiO、V2O5计算，组分为0.5～2.0wt％Bi2O3、0.1～0.4wt％NiO、0.2～0.5wt％V2O5。本发明具有低矫顽力、低介电损耗、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度等优异特性。

公开(公告)号：CN102381873A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110213080.5

申请日：2011-07-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 兰中文 ,  余忠 ,  姬海宁 ,  蒋晓娜 ,  孙科 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种开关电源用MnZn功率铁氧体材料及其制备方法，其主成分为五元系配方，比例范围为：Fe2O3：51～53mol%；ZnO：11～13mol%；TiO2：0.01～0.3mol%；Co2O3：0.01～0.3mol%；余量为MnO。添加剂及含量以氧化物计算为：CaO(0.01~0.07wt%)；V2O5(0.01~0.07wt%)；ZrO2(0.01~0.07wt%)；SnO2(0.01~0.1wt%)。本发明材料在宽温范围内改善了MnZn功率铁氧体的磁性能及其温度稳定性。在25℃～120℃范围内，起始磁导率≥3390，单位体积功耗≤344kw·m-3(100kHz，200mT)，最低单位体积功耗279kw·m-3(100kHz，200mT，80℃)，并且起始磁导率、单位体积功耗随温度的变化仅为20%左右。本发明材料制备简便易行、成本低、性能优越，不仅能满足各类开关电源模块的小型轻量化和提高效率的需求，而且可大大提高其在应用中的可靠性。

公开(公告)号：CN102167575A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110001941.3

申请日：2011-01-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  孙科 ,  余忠 ,  兰中文 ,  王智锟 ,  罗明 ,  郭荣迪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料，属于电子材料技术领域，本发明由主料、添加剂和粘合剂构成，其特征在于，主料以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3为原料计，按Li0.35+xZn0.3Fe2.28Mn0.07O4+δ分子式计算，其中x＝0.01～0.2，x＝2δ；相对于主料，添加剂以Bi2O3、NiO、V2O5计算，组分为0.5～2.0wt％Bi2O3、0.1～0.4wt％NiO、0.2～0.5wt％V2O5。本发明具有低矫顽力、低介电损耗、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度等优异特性。

公开(公告)号：CN101256866B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710051056.X

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 兰中文 ,  余忠 ,  李乐中 ,  姬海宁 ,  孙科 ,  蒋晓娜

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: 宽温超低损耗MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，本发明属于电子材料技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：65～75mol％Fe2O3，13～20mol％ZnO，0.0001～0.5mol％TiO2，余量为Mn3O4；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.01～0.1wt％CaO、0.01～0.09wt％Nb2O5，0.01～0.1wt％V2O5，0.001～0.1wt％ZrO2，以及0.05～1wt％Co2O3。本发明的宽温超低损耗MnZn铁氧体材料晶粒均匀致密，平均晶粒尺寸约为12～18μm。