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公开(公告)号：CN115643766A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211076018.0
申请日：2022-09-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定的二端钙钛矿/硅叠层太阳电池及制备方法。本发明太阳电池的结构从下至上分别为：正面制绒的硅底电池、载流子复合层、空穴传输材料和钙钛矿的共沉积层、电子传输层等，空穴传输材料和钙钛矿的共沉积层通过将空穴传输材料溶解于钙钛矿前驱体溶液中，在任意分布微米级尺寸金字塔的绒面硅底电池上一步旋涂制得，空穴传输材料为亚铜盐，与钙钛矿的摩尔比为1:10～25。本发明不仅简化了工艺步骤，同时不需要对硅底电池的正面进行抛光操作，大幅度降低叠层电池制备成本的同时提高了器件的重复性，为大面积叠层的制备拓宽了道路。添加的空穴传输材料在成膜后自组装地分布在钙钛矿晶粒之间，使获得的叠层电池高效且稳定。
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公开(公告)号：CN114914366A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210349967.5
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L51/46 , H01L51/48 , H01L51/42 , C07C209/00 , C07C257/12
Abstract: 本发明公开了一种高品质钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿活性层、太阳电池及制备方法，所制备的高品质钙钛矿溶液为添加碘单质特殊还原剂如甲酸钠、维生素C及二乙基二硫代氨基甲酸铵的前驱体溶液，该溶液的保质期大大提升；本发明通过利用特殊还原剂还原前驱体溶液中产生的碘单质，从而减少由前驱体溶液中杂质在钙钛矿活性层诱生的非辐射复合中心的浓度，获得光电转换效率、开路电压提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用上述还原剂作为前驱体溶液添加剂来制备钙钛矿太阳电池的方法工艺简单有效，对于制备高效、低成本的钙钛矿太阳电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN110106546B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910439879.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高成品率的铸造单晶硅生长方法：将籽晶固定于籽晶夹持机构上，对热场中的硅料加热熔化，保持籽晶和顶部塑型加热器的高度位于硅料溶体液面以上；硅料熔化完成后，籽晶夹持架构引导籽晶籽晶浸入硅料熔体液面以下；当硅料熔体液面下籽晶部分熔化，形成新的固液界面后籽晶夹持机构向上提拉，硅料熔体从籽晶面向下结晶形成晶锭；在籽晶夹持机构向上提拉过程中，热场的顶部散热门向两边打开，顶部塑型加热器随硅料熔体液面下移；结晶过程完成后，保持顶部散热门为最大开口，分离籽晶，取出晶锭。本发明还公开了一种采用上述方法的热场结构。该方法和热场结构可以减少铸造单晶硅晶锭头、尾及边片的低少子红区截断量，提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN112071993A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010772070.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种利用修饰剂提高钙钛矿太阳能电池光电性能的方法，所制备的钙钛矿太阳能电池为正型器件，结构从下至上包括：透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和电极层，电子传输层为氨基硫脲CH5N3S修饰的二氧化锡层；本发明通过氨基硫脲CH5N3S修饰二氧化锡电子传输层，同时钝化钙钛矿活性层的下表面，获得光电转换效率、开路电压和填充因子提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用修饰剂氨基硫脲CH5N3S提高钙钛矿太阳能电池光电性能的工艺简单，对于制备高效、低成本的钙钛矿太阳能电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN110176539B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910410142.8
申请日：2019-05-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种全光谱光稳定的高效钙钛矿太阳能电池的制备方法，全光谱光稳定的高效钙钛矿太阳能电池为正型器件结构从下至上包括：透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和电极层，钙钛矿活性层为具有Cl基钙钛矿CH3NH3PbIxCl3‑x过渡层的CH3NH3PbI3；本发明通过氨水修饰二氧化锡电子传输层自析出形成氯化铵界面层，氯化铵界面层与碘基钙钛矿层进行离子交换形成具有Cl基钙钛矿CH3NH3PbIxCl3‑x过渡层的钙钛矿CH3NH3PbI3，具有Cl基钙钛矿CH3NH3PbIxCl3‑x过渡层的存在极大地缓解了紫外光照下二氧化锡电子传输层对CH3NH3PbI3的光催化作用，从而获得全光谱光稳定的高效钙钛矿太阳能电池。本发明的全光谱光稳定的高效钙钛矿太阳能电池制备方法简单，而且成本较低，有望实现钙钛矿太阳能电池的商业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564523A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN111312899A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010077107.1
申请日：2020-01-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有零能耗的光电神经突触器件及制备方法，该神经突触器件结构包括顶电极、空穴传输层、光电响应层、电子传输层及底电极。本发明的神经突触器件利用光生伏特效应，在光刺激后，电流会自动产生，无需外加偏压，因此该器件可以在零能耗的情况下模拟出生物神经突触的一系列功能。本发明的神经突触器件具有工艺简单，无需能耗，易于集成的特点。
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公开(公告)号：CN109085486B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810857477.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体‑绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属‑绝缘体‑半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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公开(公告)号：CN104143385B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410351786.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，包括作为导电主体的镍包裹铜纳米颗粒和有机溶剂，所述导电主体的质量分数为70～90％；所述的镍包裹铜纳米颗粒中镍和铜的质量比为0.05～0.3:1。本发明提供了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，以镍包裹铜核壳结构纳米颗粒作为导电铜浆料的导电主体，所述的铜导电浆料在具备优良导电性的同时防止铜的氧化和扩散。所述铜导电浆料中还加入了铜锡低熔点导电合金，可以大幅降低铜浆料的烧结温度，从本质上抑制铜扩散进入硅电池对电池效率引起的不利影响，并且低温烧结也可使生产电池能耗降低。本发明还公开了所述的硅太阳电池栅极的铜导电浆料的制备方法。
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公开(公告)号：CN102560646B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210073988.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部，再将多晶硅料、磷掺杂剂和镓放入坩埚中，升温熔融多晶硅料、磷掺杂剂、镓和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块，利用铸造法生长硅单晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂单晶硅铸锭的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型单晶硅在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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