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公开(公告)号：CN114933415A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110687186.2
申请日：2021-06-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电介质储能材料，特别涉及一种高储能高温稳定性的微晶玻璃介质材料及其制备方法，制备的微晶玻璃介质材料的化学组分为：x(A4X2Z4Nb10O30)‑y(aP2O5‑bB2O3‑cAl2O3)‑zMmOn；所得的微晶玻璃材料的实测放电储能密度可达7.36J/cm3@1100kV/cm，峰值功率密度可达2282MW/cm3；在400kV/cm的场强下，其场致应变为0，实测放电储能密度1.00‑1.50J/cm3，在25‑100℃的温度区间内实现至少300圈充放电循环，而性能没有劣化；同时玻璃组成中无铅，达到了环保的目的。
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公开(公告)号：CN110518139B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910867534.7
申请日：2019-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，包括步骤：（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，然后过滤、干燥、加入去离子水，得到CsWOx水性溶液。（2）将35‑45nm的金属钼粉末及10‑14μm的金属钨粉末加入到盛有异丙醇的容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8‑2.0），然后再加入H2O2搅拌，得到悬浮液。（3）将整个容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后离心收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇洗涤，得到MoWOx乙醇溶液。（4）将CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上并做退火处理；然后在其上再旋涂MoWOx乙醇溶液并做退火处理。
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公开(公告)号：CN108623302B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810670156.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/00
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法，材料组成为：0.9Bi0.5Na0.5TiO3‑0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O6铁电体复合，结合固相烧结及热处理技术，生长纳米阵列，其中纳米线长度在2‑10μm，直径为60‑800nm，工艺简单，产率高，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107010947B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710302249.1
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/49
Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。
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公开(公告)号：CN107010941B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710302248.7
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明公开了一种具有巨电致阻变的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.88(Li1/3W2/3)0.06(Hf1/2In1/2)0.06O3；通过B位与Ti4+离子不同化合价的复合离子(Li1/3W2/3)13/3+，以及不同化合价复合离子(Hf1/2In1/2)7/2+，严格以1:1的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生非空位补偿，而是电子和空穴非平衡补偿型的带电电畴，进而产生纳米级非均匀电子相，结合热处理，因而出现特殊的巨电致阻变行为。产品经实验测量，具有优良的电致阻变性能，ΩHRS/ΩLRS=3.0×103，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110518139A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910867534.7
申请日：2019-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒置结构紫外有机发光器件双电子注入层的制备方法，包括步骤：（1）用无水乙醇洗涤CsWOx粉末，然后过滤、干燥、加入去离子水，得到CsWOx水性溶液。（2）将35-45nm的金属钼粉末及10-14μm的金属钨粉末加入到盛有异丙醇的容器中，金属钼粉末与金属钨粉末重量比1:（1.8-2.0），然后再加入H2O2搅拌，得到悬浮液。（3）将整个容器放入高压反应釜中，在160°C的环境下加热12小时，冷却至室温后离心收集沉淀物，所收集的沉淀物再用无水乙醇洗涤，得到MoWOx乙醇溶液。（4）将CsWOx水性溶液旋涂在处理好的ITO表面上并做退火处理；然后在其上再旋涂MoWOx乙醇溶液并做退火处理。
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公开(公告)号：CN109912224A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910076707.3
申请日：2019-01-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学测温的氟磷灰石纳米玻璃陶瓷材料及制备方法。所述纳米玻璃陶瓷材料包括氧化物玻璃基体，所述氧化物玻璃基体中含有掺杂了Yb3+和Er3+的Ca5(PO4)3F纳米晶体；氧化物玻璃基体的组成中至少含有15～25mol％的CaF2、25～35mol％的ZnO、6～12mol％的P2O5和34～44mol％的B2O3，外加占上述氧化物总量0.5～1.5mol％的Yb2O3和0.04～0.08mol％的Er2O3。所述纳米玻璃陶瓷材料的制备方法：按照氧化物玻璃基体的组成配比，配制成的混合粉体研磨混合均匀后置于坩埚中，加热到1100～1250℃，保温1～2小时；然后将所得玻璃熔液快速倒入420～450℃预热的铜模中成型并退火10小时得到基质玻璃；退火后的基质玻璃继续在660～680℃保温2～6小时使之发生晶化。
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公开(公告)号：CN108689703A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810668019.1
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B2235/3208 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/72
Abstract: 本发明公开了一种具有巨介电常数及电调特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：(1‑x)BaTi0.90Sn0.10O3‑xCa2LaMn2O7；其中x表示摩尔分数，0.01
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公开(公告)号：CN104944944B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510301889.1
申请日：2015-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。
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公开(公告)号：CN107010947A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710302249.1
申请日：2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/49
Abstract: 本发明公开了一种具有临界突变开关效应的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，材料配方为：Bi1/2Na1/2Ti0.85(Li1/4Nb3/4)0.05(Zr1/2Zn1/2)0.10O3；通过B位与Ti4+离子相同化合价的复合离子(Li1/4Nb3/4)4+，以及不同化合价复合离子(Zr1/2Zn1/2)3+，严格以1:2的比例，在B位取代Ti4+离子，产生不同带电缺陷类型，形成相邻晶胞缺陷有序排列，产生电子和空穴补偿型的带电电畴(非空位或者离子补偿效应)，因而出现特殊的临界开关效应的电场诱导巨应变行为。制得产品经实验测量具有电场诱导的巨应变性能，应变量可达S%=0.47%，同时具有在临界开关电场EC=56kV/cm巨应变发生，并且在很窄的电场范围内ΔE=2kV/cm发生完全应变，在临界区域，应变变化率α可达2.8×103。这些性能目前还未见报道，可以在特殊的场合应用。
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