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公开(公告)号：CN109369173B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201811530238.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/49 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种四方相钛酸钡粉体的制备方法及产品，属于介电陶瓷材料技术领域，该方法中，首先将钡盐或钡的氢氧化物和钛的氧化物或氢氧化物分开球磨或砂磨，分别获得钡盐或钡的氢氧化物浆料和钛的氧化物或氢氧化物浆料，然后将两种浆料在20‑40℃下混匀后进行喷雾干燥，获得混合粉体，再向该混合粉体中加入混合粉体总质量5‑90％的陶瓷材料，再次混匀后进行微波处理，最终制得粉体晶粒细小，粒径均匀，分散性良好的四方相钛酸钡粉体。该制备方法工艺简单，易操作，且成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN109741960B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811606987.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，包括非晶Ni‑P纳米球的制备‑中间产物的制备‑中间产物的制备步骤，制备所得到的Ni3P具有卵壳结构。本发明的一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，制备方法简单、成本低廉，可用于工业生产，同时制备所得卵壳结构Ni3P作为超级电容器电极材料，可表现出高的比容量等优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN110176586A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910408044.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合型钛酸锂薄膜及其制备方法与应用。所述复合型钛酸锂薄膜的制备方法包括的步骤有：将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型钛酸锂薄膜。本发明复合型钛酸锂薄膜的制备方法将钛酸锂靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型钛酸锂薄膜具有丰富的通道结构，且结构稳定，可以提供高的锂离子传输速率，提供了良好的循环可逆性，保持了较高的比容量；同时有效阻止电解液与纳米级能量密度贡献主体元素的直接接触，可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生。
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公开(公告)号：CN110104677A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910255251.7
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/60 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种复合钛酸锂材料及其制备方法与应用。所述复合钛酸锂材料制备方法包括如下步骤：配制含有锂源、钛源和次氯酸盐的混合溶液；对所述混合溶液40～90℃并进行保温处理，再对所述混合溶液烘干处理后进行烧结处理，得到前驱体；将所述前驱体于惰性气氛中进行煅烧处理，后进行研磨处理，获得烧结粉体；将所述烧结粉体于含氮气氛中进行氮掺杂热处理，得到复合钛酸锂材料。本发明复合钛酸锂材料的制备方法利用氮取代了钛酸锂中的氧以及生成氮化的次氯酸盐改善材料的界面电导，使得锂离子传输通道更为通畅，利用氮化的钛酸锂提高所述复合钛酸锂材料表面的电子电导，提高所述复合钛酸锂材料中电子的传输速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098388A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910255220.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅复合材料及其制备方法与应用。所述氧化硅复合材料制备方法包括如下步骤：将硅粉和二氧化硅粉进行球磨混合处理，获得混合粉体；将所述混合粉体与次氯酸盐混合处理后，获得混合前驱体；将所述混合前驱体在含有氮源的气氛中进行梯度烧结处理，获得氧化硅复合材料。本发明氧化硅复合材料的制备方法制备的氧化硅复合材料具有良好的电子导电网络，从而提高了锂离子传导速率，改善了硅系负极材料的导电性，提高其结构稳定性和容量保持率。
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公开(公告)号：CN109786130A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910019467.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用MnFe2O4纳米片阵列及其制备方法，所述MnFe2O4纳米片的厚度为5-10nm，高度为3-5μm。本发明的一种超级电容器用MnFe2O4纳米片阵列及其制备方法，工艺简单、操作容易、原料来源丰富、成本较低，同时所制备的MnFe2O4纳米片阵列具有良好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN109319778A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811114752.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/324 , C01B32/348 , H01G11/44 , H01G11/34 , H01G11/86
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂松子壳基多孔碳材料的制备方法及应用，其特征在于由松子壳制备的碳前驱体，经低温碳化处理后，与含氮化合物和采用碱性无机物煅烧活化制备而成。制备步骤为：步骤1：松子壳经过水洗、烘干、打磨成粉、低温碳化得到碳前驱体；步骤2：将碳前驱体、含氮化合物和碱性无机物混合、搅拌、烘干、煅烧得到氮掺杂多孔碳材料；步骤3：将氮掺杂多孔碳材料酸洗、过滤、烘干、研磨得到比表面积为1359-2524m2g-1，孔径分布为1.60-2.40 nm的氮掺杂松子壳基多孔碳材料。该材料应用到超级电容器电极材料，当电流密度为0.5Ag-1时，可实现比电容值为278-380Fg-1。
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公开(公告)号：CN108306622A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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公开(公告)号：CN104167297B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410424428.9
申请日：2014-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G11/24
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用管状介孔四氧化三钴及其制备方法。所述的管状介孔四氧化三钴是以棉花为模板制备获得的。所述的管状介孔四氧化三钴粉体的制备方法是把棉花浸泡在硝酸钴的水溶液中，待干燥后将吸附硝酸钴的棉花在空气中煅烧得到四氧化三钴粉体。所述的管状介孔四氧化三钴孔径为9‑25 nm、管径为8‑20μm、内外径比大于1、长径比大于10的四氧化三钴。所述管状介孔四氧化三钴因具有良好的电容特性及较高的储能特性，可用作为超级电容器的电极材料。本发明同现有技术相比，工艺简单、操作容易、环保、原料来源丰富、低成本及性能好等优点，适合工业化生产。
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