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公开(公告)号：CN103500712B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310376877.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102668098B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080059834.X
申请日：2010-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN102903758B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210283668.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN102738206A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210103353.5
申请日：2012-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C01G15/006 , C01P2006/40 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In1+δGa1-δO3(ZnO)m(注意，0＜δ＜1，m＝1至3)表示，包括c轴取向的结晶区的整体的氧化物半导体膜的组成以InxGayO3(ZnO)m(注意，0＜x＜2，0＜y＜2，m＝1至3)表示。
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公开(公告)号：CN1742519B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200480002929.2
申请日：2004-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 为了提供一种得到红、蓝、绿的色纯度较高的发光，同时，在连续驱动时又能够稳定地发光的发光元件，本发明的发光元件的特征在于：在包含空穴输送材料、电子输送材料、第1杂质(第一掺杂材料)及第2杂质(第二掺杂材料)的有机化合物膜设置在阳极和阴极之间的发光元件中，上述有机化合物膜从上述阳极侧起，依次层叠了包含上述空穴输送材料及上述第1杂质的第1混合区、由上述空穴输送材料构成的空穴输送区、包含上述电子输送材料及上述第2杂质的第2混合区、以及由上述电子输送材料构成的电子输送区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1742519A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002929.2
申请日：2004-01-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0081
Abstract: 为了提供一种得到红、蓝、绿的色纯度较高的发光，同时，在连续驱动时又能够稳定地发光的发光元件，本发明的发光元件的特征在于：在包含空穴输送材料、电子输送材料、第1杂质(第一掺杂材料)及第2杂质(第二掺杂材料)的有机化合物膜设置在阳极和阴极之间的发光元件中，上述有机化合物膜从上述阳极侧起，依次层叠了包含上述空穴输送材料及上述第1杂质的第1混合区、由上述空穴输送材料构成的空穴输送区、包含上述电子输送材料及上述第2杂质的第2混合区、以及由上述电子输送材料构成的电子输送区。
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公开(公告)号：CN119920859A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411496686.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M4/525 , H01M10/052
Abstract: 提供一种相转变得到抑制的正极活性物质以及包含该正极活性物质的二次电池。本发明开发了一种前所未有的合成方法：将MgF2‑LiF的熔盐用作反应促进剂对钴酸锂粒子进行处理，在使镁向钴酸锂块体的扩散及掺杂变容易的同时在粒子表层部形成稳定的覆盖层。通过ex situ XRD分析确认到，在将改良的LiCoO2充电至4.7V时，有害的相转变得到抑制并且出现新的相。改良的LiCoO2在高电压工作中呈现良好的电化学性能。该技术为抑制伴随相转变的基本劣化而实现超高能量密度的LiCoO2正极提供了指导方针。
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公开(公告)号：CN119330419A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411476162.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G53/42 , H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/42
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号：CN113646265B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080026420.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号：CN110337744B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201880011201.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质，优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子，然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
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