公开(公告)号：CN101140401A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710133919.8

申请日：2007-10-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 王慧田 ,  李锐 ,  陈璟 ,  徐倩 ,  任芳芳 ,  樊亚仙 ,  丁剑平

IPC: G02F1/35 ,  G02F1/37 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明提供了一种高效单向出射的非线性光信号器件的设置方法，该器件结构是由一个光学腔与两侧的高反射结构构成，腔内部是具有二阶光学非线性性质的材料，如铌酸锂或砷化钾等。该光学腔是基频与倍频信号的共振腔，基频与倍频信号的强度在腔内能实现共振增强。光学腔两侧高反射结构是由光子晶体或者多层膜构成，光子晶体或者多层膜是由两种或两种以上的材料(比如：二氧化硅、硅等)排列而成，长度与光波长相当，并且其对基频波与倍频波都有很高反射率(通常99％以上)。本发明具有低输入功率，高输出效率，高单向性的特点。并且由于该装置结构简单，尺寸小，因此容易实现光学器件的小型化和集成化。

公开(公告)号：CN119828207A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510334586.3

申请日：2025-03-20

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 徐尉宗 ,  郭越 ,  徐仁杰 ,  陆海 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: G01T7/00

Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。

公开(公告)号：CN119208373B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411676742.6

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  舒崇瑞 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H01L23/552 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。

公开(公告)号：CN119364881A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411937687.1

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 徐尉宗 ,  郭越 ,  陆海 ,  徐仁杰 ,  周东 ,  任芳芳 ,  周峰

IPC: H10F30/29 ,  H10F77/14 ,  H10F77/1226

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅探测器及其制作方法，涉及半导体领域，包括：碳化硅衬底层；位于碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；第三碳化硅层为阳极层，位于第二碳化硅层的第一区域，裸露第二碳化硅层的第二区域；第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和所述第i漂移环的尾端相连；在平行于衬底层所在平面的平面内，阳极层位于第1漂移环的闭合区域内。本申请实施例所提供的碳化硅探测器，更容易获得极低漏电流的高性能器件，且无需制备分压器，工艺难度和成本大大降低。

公开(公告)号：CN119170656A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411676733.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  钱俊帆 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/552 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。

公开(公告)号：CN118465515B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410919386.X

申请日：2024-07-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  裴馨仪 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: G01R31/28 ,  G01R29/12 ,  G01R29/14

Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。

公开(公告)号：CN118563421A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410657041.1

申请日：2024-05-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  郝景刚 ,  张崇德 ,  戴磊 ,  雒玉蓉 ,  任芳芳 ,  顾书林

IPC: C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及一种p型铱镓氧合金外延薄膜及其制备方法，所述p型铱镓氧合金外延薄膜的化学式为(IrxGa1‑x)2O3，且x≤0.05；其晶相为α相、ε相、β相中的一种。α‑Ir2O3为六方刚玉结构，Ir3+离子仅占据八面体位置。在高Ga组分(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜中，可通过Ir3+离子仅取代占据八面体位置的Ga3+离子的前提下实现晶相调控，具体通过改变Mist‑CVD中衬底温度实现(IrxGa1‑x)2O3(x≤0.05)外延薄膜的晶相调控，实现与α‑Ga2O3、ε‑Ga2O3、β‑Ga2O3晶型匹配且晶格失配极小的目标，是晶体结构复杂的Ga2O3的理想p型材料制备方案，为进一步开发Ga2O3在功率器件及射频器件领域的新型结构提供了坚实的基础。

公开(公告)号：CN118275849A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410704305.4

申请日：2024-06-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  周天扬 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。

公开(公告)号：CN118099206B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410482373.0

申请日：2024-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/552 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。

公开(公告)号：CN118091356A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410469102.1

申请日：2024-04-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  钱俊帆 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法，涉及半导体辐照、半导体特性参数测试领域。本系统包括分别设置于辐照保护单元a和辐照保护单元b中的漏极测试单元、栅极测试单元、特性参数监测单元、驱动单元、信息处理控制单元和信息传输单元，漏极测试单元、栅极测试单元分别向待测半导体器件发送测试信号，待测半导体器件通过特性参数监测单元连接信息处理控制单元监测辐照条件下待测半导体器件特性参数变化情况。本发明无需测试人员进出辐照间即可实现远距离智能化监测不同辐照条件下多个半导体器件的特性参数，具有操作简单、体积小、测试数量可达到万颗器件、测试结果准确快捷、判断器件工作状态等优点。