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公开(公告)号：CN206962009U
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201621178678.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了本实用新型提供一种加载梯型基板的对跖Vivaldi天线，包括基板，所述基板包括矩形基板和沿天线主轴辐射方向加载的梯形基板，所述梯形基板的下底与矩形基板相连，所述矩形基板的正反面印制有金属导体层，所述金属导体层包括金属辐射贴片，正反面的所述金属辐射贴片结构相同且关于主辐射方向旋转对称，所述金属辐射贴片的外边缘为槽线，所述槽线包括内指数渐变槽线和外指数渐变槽线。本实用新型所提供的一种加载梯型基板的对跖Vivaldi天线，辐射方向性好，增益峰值偏移角度小，增益高，在微波射频天线的研制领域具有重大的研究意义，可广泛地应用于无线通信、雷达、定位、监测、控制和医学等领域，发展潜力巨大。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206558683U
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201720324127.8
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种加载圆形介质板的宽带维瓦尔第天线，包括分别设置在介质板两侧面的金属辐射槽线和金属微带线，金属辐射槽线包括平行槽线以及设置在平行槽线两端的圆形槽线和指数渐变槽线，平行槽线和金属微带线在介质板面的投影相互交叉；介质板沿天线主轴辐射方向加载圆形介质板，同轴接头通过金属微带线馈电。通过金属微带线和扇型金属微带板组成馈电结构，通过圆形槽线谐振腔调节阻抗匹配、平行槽线耦合、指数渐变槽线引导电磁波的辐射；通过加载圆形介质板改善天线的辐射特性和主极化方向图的对称性。本实用新型的结构简单，制作方便，成本低，在超宽带、高增益、低交叉极化的天线中具有很强的实用性和广泛的适用性，尤其适用于无线通信系统。
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公开(公告)号：CN206193108U
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201621271187.X
申请日：2016-11-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本实用新型公开了一种线板结构辐射发射强度的检测装置，包括设置于半电波暗室（3）内的测试桌（4），所述测试桌（4）上平铺有金属板（6），所述测试桌（4）上方水平设置有单根线缆（7），所述线缆（7）的始端端口与网络分析仪（8）的端口一连接，所述线缆（7）的终端端口通过短接线（9）与所述金属板（6）相连；所述线缆（7）和金属板（6）组成线板结构，双锥天线（10）接收所述线板结构的辐射，所述双锥天线（10）的输出端口直接输出传输系数或与所述网络分析仪（8）的端口二连接。本实用新型提供的一种线板结构辐射发射强度的检测装置，装置结构简单、测量结果真实准确。
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公开(公告)号：CN205194558U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201521036074.7
申请日：2015-12-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01H9/16
Abstract: 本实用新型公开了一种消除发光二极管电磁辐射的开关指示装置，包括依次串联的开关、限流电阻和发光二极管，以及供电用的交流电源；所述开关的输入端与交流电源的正极相连，开关的输出端通过限流电阻与发光二极管的正极相连，发光二极管的负极与交流电源的负极均接地；所述发光二极管的两端反向并联有二极管或者并联有分压电阻。本实用新型提供的一种消除发光二极管电磁辐射的开关指示装置，可保证在交流电的负半周发光二极管的反向电压不会超过反向击穿电压，也就不会产生反向击穿及快速反向恢复电流，从而避免反向恢复电流引起的电磁脉冲以及其导致的电磁辐射；整体结构简单，制作成本低，实用性强，特别适用于全电波暗室以及半电波暗室。
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公开(公告)号：CN205091412U
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201520883355.X
申请日：2015-11-06
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种新型宽带横电磁波小室，包括内导体和外导体，所述外导体包括长方体形的中间段外导体和两端的锥形渐变段外导体，所述中间段外导体和两端的渐变段外导体组合成一个闭合的小室，所述小室的空腔中沿轴向设置有内导体，所述外导体为单层PCB板，所述单层PCB板包括介质板和铜皮层；所述中间段外导体的所述铜皮层上设置有若干条等距离的纵向缝隙，所述纵向缝隙的长度与所述中间段外导体的长度相等，所述纵向缝隙的厚度与所述铜皮层的厚度相等，所述纵向缝隙宽度为5mm。本实用新型所提供的一种新型宽带横电磁波小室大大扩展了横电磁波小室的应用范围，提高了测试效率，且加工方便，有效降低了测试成本和生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204331002U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420804694.X
申请日：2014-12-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本实用新型公开了一种磁场测量装置，包括圆环形磁场探头，所述圆环形磁场探头包括探头主体与探头主体连接的把柄，所述探头主体包括主体内芯和覆盖在主体内芯外的主体屏蔽层，主体内芯和主体屏蔽层弯曲成圆环形，所述把柄包括把柄内芯和覆盖在把柄内芯外的把柄屏蔽层，所述主体内芯一端与把柄内芯连接，主体内芯另一端与屏蔽层具有连接点以形成短路回路，主体屏蔽层上开有一缝隙，所述把柄远离探头主体的一端焊接有BNC接头。本实用新型能够有效查找、排除电磁干扰源，可作为电磁骚扰近场测试工具，结构简单，成本低廉，便于推广和应用。
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公开(公告)号：CN222582396U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421185918.3
申请日：2024-05-28
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于功率放大器领域，具体为一种毫米波GaN功率放大器及其散热结构，包括功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的输入端连接有瓷件输入匹配电路，输出端连接有瓷件输出匹配电路，所述输出匹配电路的输出端连接有波导模块，且波导模块上连接有波导同轴转换头；所述功率放大电路的漏极输入端耦接有保护电路。本实用新型保护电路通过逻辑控制电路，以栅极电压和保护电路内部的使能信号的稳定输出状态作为触发信号，去控制漏极电压的开启，保护电路能够转换生成射频功率放大器栅极所需要的栅极电压，起到一个对功率放大器件的保护作用，不会因为上电时序错误以及上电过程中失误操作所给过高的电压造成功率放大电路及器件的损坏。
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公开(公告)号：CN222564254U
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202420719765.X
申请日：2024-04-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本实用新型通过引入组分渐变的背势垒层，有效地增强沟道中的电子约束，抑制器件短沟道效应，改善器件的直流特性，进而提高GaN基HEMT器件的功率特性。面对背势垒结构带来的界面散射问题，渐变组分背势垒结构相较于固定组分背势垒结构能减小界面散射与寄生参数，减少了对GaN主沟道的影响，提升了器件小信号与大信号特性。
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公开(公告)号：CN222395995U
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202420778935.1
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化层，SiN钝化层左右布设在栅极两侧，且与栅极之间具有一段距离；所述栅极包括栅帽，所述栅帽的中心位置固定连接有栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。本实用新型通过设置的栅极结构，通过小基足构成短栅长，同时用大横截面积，最小化栅极电阻和极间电容Cgd，从而能够提高器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN206756944U
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201621442773.6
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型涉及一种加载贴片电阻的PCB型横电磁波小室，属于电磁兼容领域，包含外导体和内导体，外导体围成一个小室，分为中间段外导体和渐变段外导体，内导体为设置在小室内轴向方向的扁平芯板，外导体为单层PCB板，中间段外导体四周的金属层上设有纵向槽，纵向槽长度与中间段轴向长度相同，高度与金属层厚度相同，且纵向槽内焊接有若干贴片电阻。本实用新型中的加载贴片电阻的PCB型横电磁波小室的尺寸与IEC61967-2标准横电磁波小室相同，不仅将上限工作频率扩展到3.3GHz，而且能够兼容IEC61967-2标准的横电磁波小室的10cm×10cm测试板。
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