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实用新型
一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件有权

公开(公告)号：CN222564254U

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202420719765.X

申请日：2024-04-09

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 万发雨 , 张瑞浩 , 徐儒 , 李月华 , 徐佳闰 , 赵星

IPC: H10D30/47 , H10D62/10

Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本实用新型通过引入组分渐变的背势垒层，有效地增强沟道中的电子约束，抑制器件短沟道效应，改善器件的直流特性，进而提高GaN基HEMT器件的功率特性。面对背势垒结构带来的界面散射问题，渐变组分背势垒结构相较于固定组分背势垒结构能减小界面散射与寄生参数，减少了对GaN主沟道的影响，提升了器件小信号与大信号特性。

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