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公开(公告)号：CN222582396U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421185918.3
申请日：2024-05-28
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于功率放大器领域，具体为一种毫米波GaN功率放大器及其散热结构，包括功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的输入端连接有瓷件输入匹配电路，输出端连接有瓷件输出匹配电路，所述输出匹配电路的输出端连接有波导模块，且波导模块上连接有波导同轴转换头；所述功率放大电路的漏极输入端耦接有保护电路。本实用新型保护电路通过逻辑控制电路，以栅极电压和保护电路内部的使能信号的稳定输出状态作为触发信号，去控制漏极电压的开启，保护电路能够转换生成射频功率放大器栅极所需要的栅极电压，起到一个对功率放大器件的保护作用，不会因为上电时序错误以及上电过程中失误操作所给过高的电压造成功率放大电路及器件的损坏。
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公开(公告)号：CN222582397U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421185919.8
申请日：2024-05-28
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于功率放大器领域，具体为一种5G通信GaN射频功率放大器及其散热机构，包括GaAs驱动放大电路及GaN主功率放大电路，所述GaAs驱动放大电路、GaN主功率放大电路之间通过键合金丝电性连接，且GaAs驱动放大电路、GaN主功率放大电路的漏极电源输入端均耦接有保护电路，所述保护电路上会产生栅极电流。本实用新型中通过设置的保护电路转换生成射频功率放大器栅极所需要的栅极电压起到一个对功率放大器件的保护作用，不会因为上电时序错误以及上电过程中失误操作所给过高的电压造成功率放大电路及器件的损坏。
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