一种半导体器件的功率循环测试系统

    公开(公告)号:CN108646163A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810651955.1

    申请日:2018-06-22

    CPC classification number: G01R31/2601

    Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试系统。功率循环测试系统包括:控制器、驱动器、至少一条测试支路、直流电源和水冷器,每条所述测试支路包括一个测试支路开关、与测试支路开关串联的若干待测半导体器件,且各个待测半导体器件串联连接。本发明提供的功率循环测试系统可通过有效地利用一条被测支路的降温时间来对其他被测支路的器件进行加热,待测半导体器件的数量较多,能够极大地提高功率循环测试系统的测试效率。同时,由于本发明提供的功率循环测试系统设置有多条并联的测试支路,因此,用户可以根据实际需求进行多种测试功能的切换,可对不同厂家或型号的器件在同一测试条件下进行对比测试。

    金具放电电压试验系统和方法

    公开(公告)号:CN108254661A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201810103197.X

    申请日:2018-02-01

    Abstract: 本发明涉及一种金具放电电压试验系统和方法,其中系统包括:冲击电压发生器、高度角度调整装置和分析控制终端,高度角度调整装置与分析控制终端通信连接,用于接收分析控制终端的控制信号,并控制待测金具的高度和角度,冲击电压发生器与分析控制终端通信连接,用于接收分析控制终端的电压信号,并向待测金具施加冲击电压,返回电压测试数据至分析控制终端,分析控制终端用于发送控制信号至高度角度调整装置,并发送电压信号至冲击电压发生器,接收并记录高度角度调整装置和冲击电压发生器的测试数据进行放电电压试验分析。上述金具放电电压试验系统,可实现对金具电压试验参数的机械自动化调整,提升了金具放电电压试验的效率和准确性。

    一种开关器件筛选系统及方法

    公开(公告)号:CN108051737A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711260643.X

    申请日:2017-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种开关器件筛选系统及方法。该系统包括驱动电路、开关电路、并联电路、测量电路以及示波器;驱动电路,与并联电路连接,用于产生驱动电压,驱动待筛选的开关器件;开关电路,与并联电路连接,用于为待筛选的开关器件提供直流偏置电压,产生导通状态下的稳态电流和开关过程中的暂态电流;并联电路,用于并联待筛选的开关器件,使待筛选的开关器件的驱动电压和直流偏置电压均相同;测量电路,与并联电路连接,用于测量所述待筛选的开关器件中流过的暂态电流和稳态电流;示波器,与测量电路连接,用于显示电流波形。本系统和本方法能够快速精确的对开关器件进行筛选,保证开关器件的均一性,避免开关器件的损坏。

    一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统

    公开(公告)号:CN107957541A

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201711166334.6

    申请日:2017-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块内部并联芯片筛选方法及系统。所述方法包括:获取多个芯片的转移特性曲线;将每一转移特性曲线离散化,获取转移特性曲线的多个离散点,构成芯片离散点集;获取多个芯片中任意两个芯片的芯片离散点集;计算两芯片的若干个相对相差值,相对相差值为漏极电流相对相差值或栅源极电压相对相差值;计算两芯片的平均相对相差值,平均相对相差值为两芯片的若干个相对相差值的平均值;比较多个芯片中所有平均相对相差值,确定最小平均相对相差值;确定最小平均相对相差值对应的两个芯片作为目标筛选芯片。本发明能够得到阈值电压的分散性和跨导系数的分散性都很小的两并联芯片,进而使得并联芯片的瞬态均流效果更佳。

    一种半桥模块和封装方法

    公开(公告)号:CN107369666A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710671883.2

    申请日:2017-08-08

    CPC classification number: H01L23/492 H01L24/85 H01L25/072 H01L2224/85

    Abstract: 本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设,所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块;上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率端子和一个源极功率端子,下半桥模块包括多个两芯片直接并联的下半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一个漏极功率信号端子和一个源极功率信号端子,下半桥的漏极功率端子与上半桥的源极功率端子电气上是互连的。功率信号端子以及驱动信号端子的结构均为二叉树状结构。采用本发明的半桥模块或封装方法,可以降低电路杂散电感的分布差异,实现较好的碳化硅芯片的均流特性。

    一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统

    公开(公告)号:CN106483441A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610843020.4

    申请日:2016-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型;在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布;依据耦合热应力后的有限元模型,仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布;测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布;确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比,本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统,通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。

    一种新型压接式IGBT模块
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105552037A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510960380.8

    申请日:2015-12-18

    Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上固定有凸台,所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块;所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心,由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时,部分电流过冲太大的问题,提高了压接式IGBT功率模块的可靠性,增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。

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