一种细菌纤维素柔性复合压电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106784296A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710002705.0

    申请日:2017-01-03

    CPC classification number: H01L41/183 H01L41/37

    Abstract: 本发明主要属于复合压电材料制备技术领域,具体涉及一种细菌纤维素柔性复合压电薄膜及其制备方法。所述方法以细菌纤维素为复合压电薄膜的基体材料,通过溶液反应方法,在所述细菌纤维素的内部原位合成钒掺杂氧化锌微米花,从而获得柔性和压电性能兼备的复合压电薄膜。所述钒掺杂氧化锌微米花是由钒掺杂氧化锌纳米片构成,为球状形貌,所述钒掺杂氧化锌纳米片厚度为10nm‑100nm,所述钒掺杂氧化锌微米花的尺寸为1μm‑10μm。本发明在不破坏细菌纤维素天然结构的情况下将压电纳米结构均匀填充其中,所填充的钒掺杂氧化锌具有比纯氧化锌更高的压电系数,且具备纯氧化锌没有的铁电性能。

    一种摩擦静电感应式电子皮肤

    公开(公告)号:CN106382997A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201610830361.8

    申请日:2016-09-18

    CPC classification number: G01L1/16 H02N1/06

    Abstract: 本发明提供了一种摩擦静电感应式电子皮肤,该摩擦静电感应式电子皮肤包括:摩擦层、上电极、绝缘层、下电极和柔性衬底,从上到下依次固定排列,所述上电极与所述下电极之间相互绝缘。所述上电极和所述下电极的每一个交叉点代表一个探测位置,当人体皮肤触碰任意探测位置时,所述上电极的和所述下电极的相应电极上会分别有输出信号,因此可以得知触碰位置,本发明利用摩擦静电感应效应,通过人体和摩擦层之间的接触和分离来产生电信号,从而感知外部物体的触碰情况,该电子皮肤具有自驱动、稳定性好、灵敏度高、响应快等优点;同时,采用了具有生物相容性的柔性聚合物薄膜材料,使用范围广泛。

    一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法

    公开(公告)号:CN105910737A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610516121.0

    申请日:2016-07-01

    CPC classification number: G01L1/22

    Abstract: 本发明提供一种应力定位传感器及其制作方法、应力定位方法,无需使用集成技术就可实现应力的实时定位。所述应力定位传感器包括:相对设置的两个基底、导电层和电极,且每个电极覆盖与其对应的导电层的一端;两个基底上设置的所述电极之间设置有绝缘胶。所述制作方法包括:提供两个基底;在每个基底上均形成导电层;在每个基底上的导电层上形成电极,每个电极覆盖与其对应的导电层的一端;将两个基底相对设置,并使用绝缘胶将两个电极粘合。所述应力定位方法包括:获取待测试应力作用所述应力定位传感器后,测得的电流;查询预设的距离与电流之间的映射关系表,获取所述待测试应力的作用位置。本发明适用于力电传感技术领域。

    一种利用摩擦静电力辅助转移石墨烯方法

    公开(公告)号:CN104925803A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510409379.6

    申请日:2015-07-13

    Abstract: 摩擦静电力辅助转移石墨烯薄膜的方法是一种无胶辅助的石墨烯的快速、无损转移技术。本发明旨在建立一种不需要有机聚合物辅助保护的快速、便捷、高质量的石墨烯转移的新方法。利用目标基底与其他材料相互摩擦获得的堆积电荷产生静电力,利用静电力对生长有石墨烯的铜箔基底的吸引力实现石墨烯与目标基底的结合,随后去除铜箔,完成石墨烯从生长基底到目标基底上的转移。本发明具备无需有机聚合物辅助、操作简单、成本低廉等优点,转移所得到的石墨烯结构完整、表面清洁,可广泛应用于太阳能电池、光敏器件、发光二极管、显示器、触摸屏和其他电子器件,对提高纳米功能器件性能具有重大的商业价值和现实意义。

    一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN103441154B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201310259647.1

    申请日:2013-06-26

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明一种ZnO纳米阵列紫外探测器及其制作方法,该器件结构为金属-半导体-金属接触型,从下到上依次为ITO或FTO导电玻璃的基底,覆盖在基底上的ZnO薄膜,位于ZnO薄膜的中间位置的另一端电极,以及另一端电极四周的ZnO纳米阵列,同时基底为一端电极;另一端电极的面积为基底总面积的10%~12%。制备方法如下:先利用磁控溅射在基底上生长一层ZnO薄膜;然后在ZnO薄膜上电极并引出一端导线;接着在电极上覆盖PDMS保护层;再通过水热法生长ZnO纳米阵列;最后在样品一侧边缘处刮掉部分ZnO使导电玻璃基底裸露并引出另一端导线,即得所述紫外探测器。本发明具有制作工艺简单、易于操作、成本低廉、器件灵敏度高、性能稳定等优点。

    一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法

    公开(公告)号:CN104018112A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410247705.3

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法,属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯,并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于:以金属为基底,利用真空等离子喷涂技术,以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料,大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料,继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能。本发明具备系统结构简单、成本低廉、加工速度快和调控能力强等优点,适于制备大面积的石墨烯涂层材料,并在成份上有所创新,具有重大的商业价值和现实意义。

    一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN101844798B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201010176968.1

    申请日:2010-05-14

    Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法,属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下:将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09~0.1mol/L、溶液pH值为9~10的反应溶液;选取含α-{Cu,Sn}相的铜基片作为反应基底;将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1~12小时;取出基片,反复清洗后干燥,得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列,合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。

    SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法

    公开(公告)号:CN102005303A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN201010575239.3

    申请日:2010-12-01

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法。其特征在于:利用ZnO纳米颗粒多孔薄膜作为复合电极基础层;通过选取旋转涂覆氧化硅溶胶保护层来提高氧化锌纳米颗粒多孔薄膜电极在酸性染料中的耐腐蚀性能,用于染料敏化太阳能电池的稳定性。本发明通过对溶胶涂覆层数、烧结次数、浓度的调整可合理控制氧化硅薄膜涂层的厚度,获得耐腐蚀能力强且性能优异的复合电极。本发明可针对不同的敏化条件调整工艺参数来获得在敏化过程中耐酸性强、电极性能最优的SiO2-ZnO纳米颗粒多孔薄膜复合电极。其生产工艺具有效率高、成本低、适合于未来大规模生产等许多优点。

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