-
公开(公告)号：CN108335955B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810027577.X
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域，具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成，基片作为导电基底为硅片或者金属片，发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触，厚度为20μm~180μm，由团簇粒径为15μm~45μm的石墨烯团簇构成。本发明的石墨烯基冷阴极可用上述方法制备，呈阵列式形貌，具有开起电场低、阈值电场低、发射电流大等良好的性能优势，可作为一种优异的电子源应用于场发射显示（FED）等领域。
-
公开(公告)号：CN105670560B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610013441.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所述纳米氧化钴/石墨烯复合粉末的质量百分比为5%~20%。本发明的制备方法轻质高效、快速可控，制备得到的纳米氧化钴/石墨烯复合涂层吸波效果好，且比重轻、添加量少、涂层薄。
-
公开(公告)号：CN104018112B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410247705.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种场发射用金属基底铷铯掺杂石墨烯冷阴极的制备方法，属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯，并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于：以金属为基底，利用真空等离子喷涂技术，以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料，大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料，继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能。本发明具备系统结构简单、成本低廉、加工速度快和调控能力强等优点，适于制备大面积的石墨烯涂层材料，并在成份上有所创新，具有重大的商业价值和现实意义。
-
公开(公告)号：CN101844798A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN108335955A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810027577.X
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域，具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成，基片作为导电基底为硅片或者金属片，发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触，厚度为20μm~180μm，由团簇粒径为15μm~45μm的石墨烯团簇构成。本发明的石墨烯基冷阴极可用上述方法制备，呈阵列式形貌，具有开起电场低、阈值电场低、发射电流大等良好的性能优势，可作为一种优异的电子源应用于场发射显示（FED）等领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104018112A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410247705.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法，属于纳米材料场发射电子材料领域。本发明旨在设计一种新型场致发射用冷阴极组份即铷铯掺杂石墨烯，并建立一种快速、可控、均匀和大面积制备致密冷阴极材料的新方法。其特征在于：以金属为基底，利用真空等离子喷涂技术，以铷铯掺杂石墨烯粉末为原材料，大面积喷涂制备致密均匀和较厚的金属基铷铯掺杂石墨烯涂层材料，继而利用该涂层作为冷阴极研究其场发射性能。本发明具备系统结构简单、成本低廉、加工速度快和调控能力强等优点，适于制备大面积的石墨烯涂层材料，并在成份上有所创新，具有重大的商业价值和现实意义。
-
公开(公告)号：CN101844798B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010176968.1
申请日：2010-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺步骤如下：将硝酸锌和氨水溶解于去离子水配制成硝酸锌浓度为0.09～0.1mol/L、溶液pH值为9～10的反应溶液；选取含α-{Cu，Sn}相的铜基片作为反应基底；将基片表面进行抛光处理后放入反应溶液中反应1～12小时；取出基片，反复清洗后干燥，得到羟基锡酸锌纳米单晶阵列。本发明可快速制备一种大面积的纳米羟基锡酸锌定向阵列，合成方法简单、成本低、效率高、产品粒径可调范围广、适合大规模生产。
-
公开(公告)号：CN104101626B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310113326.0
申请日：2013-04-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA的杂化方法，利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管并且固定探针DNA，进行DNA杂化的测量，实现快速、灵敏及新颖电流响应模式的DNA杂化检测的利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化的方法，该方法首先利用分子束外延法构建高电子迁移率晶体管；随后利用石墨烯将探针DNA固定到HEMT栅极表面；最后滴加目标DNA进行杂化测量获得响应电流。利用本方法可实现对实际样品的DNA杂化检测。本方法简化了探针DNA固定到器件表面的过程，舍弃了复杂的化学过程。本方法中获得了新颖的DNA杂化识别模式。
-
公开(公告)号：CN105670560A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610013441.4
申请日：2016-01-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09K3/00
CPC classification number: C09K3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层及其制备方法，纳米氧化钴/石墨烯复合吸波涂层包括纳米氧化钴/石墨烯复合粉末、环氧树脂和固化剂；所述环氧树脂的质量百分比为70%~90%，所述固化剂的质量百分比为5%~15%，所述纳米氧化钴/石墨烯复合粉末的质量百分比为5%~20%。本发明的制备方法轻质高效、快速可控，制备得到的纳米氧化钴/石墨烯复合涂层吸波效果好，且比重轻、添加量少、涂层薄。
-
公开(公告)号：CN104101626A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310113326.0
申请日：2013-04-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及石墨烯的转移技术和DNA的固定技术，利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管（HEMT）并且固定探针DNA，进行DNA杂化的测量，实现快速、灵敏及新颖电流响应模式的DNA杂化检测的利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化的方法，该方法首先利用分子束外延法构建HEMT；随后利用石墨烯将探针DNA固定到HEMT栅极表面；最后滴加目标DNA进行杂化测量获得响应电流。利用本方法可实现对实际样品的DNA杂化检测。本方法简化了探针DNA固定到器件表面的过程，舍弃了复杂的化学过程。本方法中获得了新颖的DNA杂化识别模式。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
