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公开(公告)号：CN103484823A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310254474.4
申请日：2013-06-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤：GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底；采用以上制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‐3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应，在设备腔体中直接反应，生成实心、线形的氮化镓纳米线，生成的纳米线密度均匀，直径变化范围小，定向性好，大部分垂直衬底生长。
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公开(公告)号：CN102071399B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010570946.3
申请日：2011-02-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。
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公开(公告)号：CN102992761A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN102992403A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210404479.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备一维纳米棒状铌酸钾粉体的方法，属于铌酸钾粉体技术领域。按照摩尔比1∶3∶（5～30）称量K2CO3、Nb2O5及熔盐KCl，装入以二氧化锆球为磨介、以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中，球磨、烘干；置于氧化铝坩埚中，密封，在600～900℃下煅烧，冷却后，洗涤；然后加入HNO3溶液中，于90℃加热搅拌6～24h，洗涤；置于氧化铝坩埚中，密封在400～550℃下煅烧；与原料K2CO3、熔盐KCl按照摩尔比1∶1∶（5～20）置于氧化铝坩埚中，密封，在600～800℃下煅烧、洗涤、干燥。本发明方法得到的一维KNbO3纳米棒大小均一、分散性好、烧结活性高。
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公开(公告)号：CN102825260A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210224466.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种在铝表面制备超亲水浸润表面的方法，属于薄膜技术领域。纯铝片分别用甲苯、丙酮、乙醇进行超声，用去粒子水冲洗干净，放在HCl溶液中浸泡去除表面氧化物，待用。配置0.001M－0.01M的CuCl2溶液，将清洗好的铝片迅速放入配好的溶液中，在室温下反应5min－180min后，拿出来用去离子水冲洗干净，自然晾干。本发明在铝表面构造微纳形貌就可以制得稳定性很好的超亲水表面。一来可以节省成本，二是工艺非常简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569515A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210002294.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/055 , B82Y20/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。；利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102517576A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110436093.9
申请日：2011-12-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法，属于功能材料技术领域。对金属钼分别用甲苯、丙酮、酒精超声清洗，保存酒精中；用质量分数50-60％的HNO3溶液在40-50℃的环境下保持5分钟祛除表面污物与氧化物；然后放入反应溶液中，在150-180℃条件下进行5-24小时水热反应，用去离子水冲洗干净，在100-200℃条件下空气中热处理0.5-1.0小时即可，反应溶液为质量浓度60-68％的HNO3溶液和0.05-0.5M的十二烷基苯磺酸钠溶液按体积比(5-15)∶(40-100)组成的溶液。本发明可以很大程度用来改善其在表面润湿性能，广泛提高钼材料的应用，制备方法工艺简单、易操作、工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN101264449B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810106142.0
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: TiO2/ZnFe2O4磁性复合光催化剂的制备方法属于纳米光催化剂材料制备技术领域。本发明采用磁性材料ZnFe2O4作载体，不需要添加任何有机物质或中间层，通过溶胶凝胶的方法，组装成复合纳米颗粒的磁性光催化剂，既可以保持较好的悬浮性而且具有较高的光催化活性，又可利用磁分离技术方便迅速的回收磁性光催化剂，达到多次再生利用的目的。
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公开(公告)号：CN101476121A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910077832.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种利用低压氧化法在铜表面制备超疏水薄膜的方法，可应用于需要防水附着的各种铜表面。属于材料的表面物理化学领域。现有技术主要是利用低表面能的有机化学试剂修饰，达到超疏水的目的。然而，这种用有机化学试剂进行表面处理的方法成本较高，工艺复杂，对环境也有影响。本发明提供了一种简单的低压氧化法，在铜表面生成具有双层微纳结构的氧化铜薄膜，从而达到超疏水状态。这就免去了低表面能有机化学试剂修饰的过程，节省了制作成本，简化了工艺，且减少了有机废物的排放。
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公开(公告)号：CN101285168A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810056012.0
申请日：2008-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜，然后采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明，直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右，在经过稳定的小功率溅射沉积后，接触角在155℃左右，达到超疏水性，并同时保持良好的导电性能。本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性，并且比其它超疏水薄膜材料拥有较好的机械性能，优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。
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