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公开(公告)号：CN117133719A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310987830.7
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除浅槽隔离的第一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管的第一栅极结构包裹第一有源结构；在第一晶体管的顶部沉积第一绝缘层，并将第一绝缘层与载片晶圆键合；对第一晶体管进行倒片；去除衬底以及浅槽隔离的第二部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管的第二栅极结构包裹第二有源结构。通过本申请，实现了多层堆叠晶体管的自对准，减小工艺深宽比，并简化工艺流程，降低制备难度。
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公开(公告)号：CN119997593A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510063895.1
申请日：2025-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，有源结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成沿第一方向堆叠的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的极性相反；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成沿第一方向堆叠的第三晶体管和第四晶体管，第三晶体管和第四晶体管的极性相反；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的任意相邻两个晶体管之间存在隔离结构；刻蚀位于第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管中的任意两个晶体管之间的隔离结构，以形成通孔；在通孔中沉积金属材料，以形成互连通孔结构。
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公开(公告)号：CN118039568B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410034012.X
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使用第一材料层作为刻蚀掩膜，对半导体结构进行刻蚀，直至达到预设高度；在半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；刻蚀第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，以形成第三伪栅结构；去除第一伪栅结构和第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。
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公开(公告)号：CN119866055A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411996099.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分远离半导体衬底；基于第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括：第一栅极结构，第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成与第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，第二晶体管包括：第二栅极结构，第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；第二栅极制备工艺和第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；第一栅极结构的耐热度大于第二栅极结构的耐热度。
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公开(公告)号：CN119866009A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411995821.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: H10B10/00 , H10D84/03 , H10D84/85 , H01L23/528 , H10D89/10
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，依次形成堆叠的第一正面晶体管、第二正面晶体管和正面后道晶体管；第一正面晶体管中的第一正面源漏金属、第二正面晶体管中的第二正面源漏金属和正面后道晶体管中的第三正面源漏金属连接；在正面后道晶体管上进行后道工艺，以形成正面金属互连层；倒片并减薄衬底；基于背面有源结构，依次形成堆叠的第一背面晶体管、第二背面晶体管和背面后道晶体管；第一背面晶体管中的第一背面源漏金属、第二背面晶体管中的第二背面源漏金属和背面后道晶体管中的第三背面源漏金属连接；在背面后道晶体管上进行后道工艺，以形成背面金属互连层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119815902A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411881254.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，基于第一部分，形成至少一个第一晶体管，第一晶体管包括：沿第二方向依次排布的第一漏极结构、第一栅极结构和第一源极结构；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成至少一个第二晶体管，第二晶体管包括：沿第二方向依次排布的第二漏极结构、第二栅极结构和第二源极结构；第二栅极结构与第一漏极结构沿第一方向堆叠，第二漏极结构与第一栅极结构沿第一方向堆叠；形成连通第二漏极结构和第一栅极结构的第一金属互连通孔，以及形成连通第二栅极结构与第一漏极结构的第二金属互连通孔。
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公开(公告)号：CN118538675B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410609235.4
申请日：2024-05-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成第一牺牲层和位于第一牺牲层之上的有源结构；有源结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上沉积氧化物材料，以形成浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构包裹第二有源结构和第一牺牲层，第一有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构和第一牺牲层；去除第一牺牲层，并在被去除的第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构；以硬掩模结构为硬掩模，减薄浅沟槽隔离结构，以使第二有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；去除硬掩模结构之后，基于第二有源结构，形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN119653769A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411735482.5
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底沿第一方向的两个区域上形成一对第一有源结构和一对第二有源结构；在衬底的两个区域上分别形成隔离结构，以暴露一对第一有源结构；基于一对第一有源结构，形成一对正面晶体管；倒片并暴露一对第二有源结构；基于一对第二有源结构，形成一对背面晶体管；在暴露一对第一有源结构和/或暴露一对第二有源结构之后，刻蚀位于逻辑区域内的隔离结构，以使得位于逻辑区域内的有源结构的高度高于位于存储区域内的有源结构的高度。本申请可以实现逻辑区域和存储区域有源结构的不同高度，有利于芯片不同区域对晶体管性质的需求。
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公开(公告)号：CN119630066A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411602461.6
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其版图、制备方法、器件、设备，其中，半导体结构包括多个堆叠晶体管，堆叠晶体管包括堆叠设置的正面晶体管和背面晶体管，该半导体结构的版图包括：第一区域；第二区域；第一区域的光刻图形和第二区域的光刻图形呈镜面对称设置。通过本申请所述的半导体结构的版图，可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN119403209A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411522068.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一伪栅结构；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管的第二伪栅结构；刻蚀预设高度的位于第二晶体管的第二源漏区域中的第二层间介质层，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积第一掩模材料，以形成第一硬掩模；暴露位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构；形成第一晶体管的第一栅极介质层和第二晶体管的第二栅极介质层；形成第二晶体管的第二栅极结构和第二金属互连层；倒片并暴露第一有源结构；形成第一晶体管的第一栅极结构和第一金属互连层。
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