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公开(公告)号：CN109283613A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811418078.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明涉及一种低芯间串扰多芯光纤，属于光纤通信领域。其特征在于：包括中芯(1)、围绕在中芯周围的环状沟槽结构(I)，以及沿光纤轴线延伸且呈正六边形排列的六个外芯(2)-(7)，分别围绕在六个外芯周围的环状沟槽结构(Ⅱ)、(Ⅲ)，覆盖中芯、六个外芯、沟槽结构(I)、(Ⅱ)、(Ⅲ)的包层。通过在相邻的沟槽结构(I)、(Ⅱ)、(Ⅲ)中分别设置互不相同的折射率，且相邻沟槽结构(I)与(Ⅱ)、(Ⅱ)与(Ⅲ)之间折射率差大于等于0.001，达到抑制芯间串扰的目的。同时，因为纤芯结构相同，本发明与普通单模光纤的熔接损耗更小且便于拉制成纤，可广泛应用于空分复用光纤传输系统等领域，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105676485B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610164328.6
申请日：2016-03-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/065
Abstract: 本发明公开了一种基于D型双芯光纤的全光纤型电光调制器，属于特种光纤、光纤通信、信号处理领域。D型双芯光纤(1)中位于中心的芯子(2)与输入端单模光纤连接，靠近边界的芯子(3)与输出端单模光纤连接。在D型双芯光纤(1)的表面涂覆电光聚合物(4)，电光聚合物两侧镀有金属电极(5)，并与电压加载装置(6)相连接。当加载电压(6)时，电光聚合物(4)的折射率随电压变化，靠近电光聚合物(4)的芯子(3)对其折射率变化敏感，而位于中心的芯子(2)，对其不敏感。改变加载在电光聚合物(4)两端的电压(6)，两芯子的耦合程度发生变化，可实现光的强度调制。
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公开(公告)号：CN108152882A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810100655.4
申请日：2018-02-01
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明提供了一种带有螺旋沟槽的侧发光光纤，所述侧发光光纤由柱形纤芯外圆周裹包层组成，所述包层上设有深入该包层内部的螺旋沟槽，所述螺旋沟槽的内部宽度小于其外部宽度，即螺旋沟槽内窄外宽。本发明所述的螺旋沟槽位于光纤包层表面并深入包层内部，以螺旋方式环绕光纤轴线、重复沟槽截面，螺旋沟槽截面表现为内窄外宽的形状；本发明所述的侧发光光纤与现有的成纤后局部改造方法相比，由于螺旋沟槽环布于光纤表面，其导致的侧面发光分布均匀、发光效率高、设计性好；本发明所述的螺旋沟槽还能对侧面出射的光束方向产生约束作用。
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公开(公告)号：CN107505673A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710850908.5
申请日：2017-09-20
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: G02B6/02009 , G02B6/03622
Abstract: 一种具有大模场面积的多层瓣状光纤，属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤领域。该光纤在传统多层沟槽光纤的基础上，引入低折射率抑制通道，将高折射率环分割成多层瓣状芯，能够控制光纤的模式损耗，提高光纤的单模传输特性。该光纤中心为高折射率纤芯(1)，内包层(2)内低折射率沟槽和高折射率环由内向外依次排列，高折射率环的层数为N(1≤N≤6)，被M个抑制通道分割成N×M个瓣状芯(1≤M≤4)，由内向外依次为(11,21,31,41)……(16,26,36,46)，最外面是外包层(3)。本发明可以利用MCVD法结合填充玻璃棒的方法制得，光纤预制棒高折射率环上的抑制通道，可以通过填充玻璃棒的方法实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106970475A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710183623.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/025
CPC classification number: G02F1/025
Abstract: 硅基石墨烯栅层电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。正电极7和负电极8周期性排列至基底表面两端，主硅波导4覆于SiO2平板基底1之上靠中间位置，表面硅波导5同样置于SiO2平板基底1之上，一端连接导光硅波导4，另一端连接负电极8。Al2O3层2覆于导光硅波导4、连接硅波导5和SiO2平板基底1表面之上。石墨烯栅层6覆于导光硅波导4和无连接硅波导5这一侧的Al2O3层2上直到连至正电极7。铂层3覆于石墨烯栅层6之上，且一端连接至正电极7，另一端离导光硅波导4的距离大于500nm。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，分别向正电极阵列7的各单元正电极与负电极阵列8两端施加空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制，施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意信号的快速调制。
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公开(公告)号：CN106873192A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710182891.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: G02F1/015 , G02F1/025 , G02F2001/0153
Abstract: 基于硅波导的电光空间超快调制器，涉及电光超快调制器领域。导光硅波导2覆于SiO2平板基底1之上中间位置，P+区3与N+区4周期性排列至基底表面两端，正电极5与负电极6与P区N区接触，用于施加电压。将调制信号编辑成随时间变化的空间电信号阵列，正电极阵列5的各单元正电极与负电极阵列6的各单元正电极分别连接于P区N区施加该空间电信号阵列。通过对各正负电极对间电压的控制施加随时间变化的空间电信号阵列，可以将任意的调制信号加载到载波上。
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公开(公告)号：CN106483684A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611014835.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/0305 , G02F1/0316
Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯栅层微细光纤的电光任意波形发生器，本发明所述的基于石墨烯栅层微细光纤的电光任意波形发生器，包括：微细光纤、石墨烯栅层、正电极阵列、负电极阵列和平板基底，石墨烯栅层置于平板基底上，微细光纤置于石墨烯栅层上，正电极阵列包括多个正电极，负电极阵列包括多个负电极，正电极阵列的各正电极与负电极阵列的各负电极分别连接于石墨烯栅层各单元的两端。将所需波形编辑成随时间变化的空间电信号阵列，将产生的随时间变化的空间电信号阵列施加在石墨烯栅层各单元的两端。以较低频率改变电极阵列所产生的空间电信号阵列，该发生器可以精确产生任意所需波形。
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公开(公告)号：CN106017724A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610292704.X
申请日：2016-05-05
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01K11/32
CPC classification number: G01K11/32
Abstract: 一种双包层SPR温度传感器，涉及一种液体填充的D型空芯双包层光纤SPR温度传感器，属于光通信以及光纤器件领域，是对基于SPR的光纤型温度传感器的拓展，其原理简单、灵敏度高、结构小、质量轻，在制作工艺上相对简单、灵活以及成本较低，适用于对各种环境的温度检测。基于液体填充的D型空芯双包层光纤SPR温度传感器是在特制的D型空芯双包层光纤的D型空芯区域(3)内壁镀膜上金属薄膜(4)，并且填充了高热光系数的液体材料。利用填充的液体材料的热光效应，当外界温度变化时，其折射率会发生较大的变化，导致相应的SPR损耗谱发生较大的移动和变化，从而实现高灵敏度温度测量的目的。
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公开(公告)号：CN105676485A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610164328.6
申请日：2016-03-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: G02F1/065
CPC classification number: G02F1/065
Abstract: 本发明公开了一种基于D型双芯光纤的全光纤型电光调制器，属于特种光纤、光纤通信、信号处理领域。D型双芯光纤(1)中位于中心的芯子(2)与输入端单模光纤连接，靠近边界的芯子(3)与输出端单模光纤连接。在D型双芯光纤(1)的表面涂覆电光聚合物(4)，电光聚合物两侧镀有金属电极(5)，并与电压加载装置(6)相连接。当加载电压(6)时，电光聚合物(4)的折射率随电压变化，靠近电光聚合物(4)的芯子(3)对其折射率变化敏感，而位于中心的芯子(2)，对其不敏感。改变加载在电光聚合物(4)两端的电压(6)，两芯子的耦合程度发生变化，可实现光的强度调制。
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