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公开(公告)号：CN101920954B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010244635.8
申请日：2010-08-03
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B31/00
摘要： 本发明公开一种了一种卤化石墨与卤化石墨烯及其制备方法。所述卤化石墨的制备方法是将膨胀石墨与卤素单质在微波辐射下进行反应即得所述卤化石墨。所述卤化石墨烯的制备方法是按照上述方法得到卤化石墨，然后将所述卤化石墨进行分散、离心并收集上层清夜，经处理即得所述卤化石墨烯。所述卤化石墨烯中单质卤的质量百分含量为0.5％-4.0％。本发明的制备方法能够高收率，大量的生产卤化石墨和卤化石墨烯。此外，本发明还具有合成路线简单，合成成本低(原料均为商业化的廉价产品)，反应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN102643290A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210113437.7
申请日：2012-04-17
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07D495/04 , C07D495/22 , H01L51/30
摘要： 本发明公开了一种二苯并并四噻吩化合物及其制备方法与应用。二苯并并四噻吩化合物，结构如式I所示，其中，R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他各种取代基取代的二苯并并四噻吩化合物的合成。以本发明合成的[1]苯并噻吩并[2”.3”：4’，5’]噻吩并[2’.3’：4，5]噻吩并[3，2-b][1]苯并噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.15cm2V-1s-1，开关比大于106；在OFET器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102637824A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210129781.5
申请日：2012-04-27
申请人： 中国科学院化学研究所
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开了一种有机电子器件。所述电子器件由下至上包括依次叠加的栅电极、栅绝缘层、有机存储层、有机半导体层以及位于同一层的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间不接触；所述有机存储层由有机共轭分子组成；所述有机半导体层为并五苯或聚噻吩类有机聚合物。本发明通过引入具备电荷存储特性的有机存储层，与具备场效应半导体特性和光电导特性的有机半导体层组成多层结构，在写入电压的影响下，将光生载流子吸收到有机存储层中保留起来；存储的光生载流子在有机半导体层诱导出同等密度电荷，这样通过测量有机半导体的电导性，无损的读出光信号强弱。
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公开(公告)号：CN101831622B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010183833.8
申请日：2010-05-20
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C23C16/26
摘要： 本发明公开了一种石墨烯泡沫及其制备方法。本发明所提供的石墨烯泡沫是按照包括下述步骤的方法制备得到的：1)将金属泡沫材料放进真空管式炉内，并在非氧化性气氛下进行煅烧；2)采用化学气相沉积法，在煅烧后的金属泡沫材料上沉积石墨烯；3)将得到的石墨烯修饰的金属泡沫材料中的泡沫金属除去；然后将得到的泡沫材料依次用去离子水、乙醇、乙醚清洗，取出烘干，得到所述石墨烯泡沫。该石墨烯泡沫材料为三维空心多孔网状结构，网壁为石墨烯，这种结构特点有效的阻止了石墨烯的团聚；集合了泡沫材料，导电材料的特点；具有超低密度、超高表面积、高导热、耐高温、耐腐蚀等优点。
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公开(公告)号：CN101746754B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910093581.7
申请日：2009-10-13
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种溶剂热法制备石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：1)采用溶剂热法使膨胀石墨与有机胺或有机胺溶液进行反应，得到石墨烯半分散液；2)对步骤1)得到的石墨烯半分散液进行超声分散，然后离心，收集上清液，即得到石墨烯。本发明首次通过溶剂热剥离为手段制备得到了石墨烯。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜表征了石墨烯的形貌；用拉曼光谱、X射线光电子能谱表征了石墨烯的缺陷密度及氧化情况，结果表明，本发明方法合成的石墨烯具有尺寸大，质量高，缺陷少、氧化程度轻等优点。此外，本发明还具有合成路线简单，成本低廉，合成的石墨烯分散液浓度高且不易聚集的优点，在石墨烯材料方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102120573A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110027151.2
申请日：2011-01-25
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种石墨烯纳米球及其制备方法。该方法包括如下步骤：(1)石墨和氧化石墨烯在微波辐射下进行反应得到石墨烯纳米球附着的石墨；(2)将所述石墨烯纳米球附着的石墨进行分散、离心并收集上层清液，即得所述石墨烯纳米球。本发明方法能够大量的制备石墨烯纳米球。此外，本发明还具有合成路线简单，合成成本低(原料均为商业化的廉价产品)，反应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN101353352B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810222217.1
申请日：2008-09-11
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07D495/22 , H01L51/30 , H01L51/00
摘要： 本发明公开了并六噻吩及其衍生物以及它们的制备方法与应用。并六噻吩衍生物，结构式如式(I)所示，其中，R为H、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效；以本发明的并六噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都很高(μ最高为0.06cm2/V·s，开关比为105)，在OFET中有良好的应用前景。 式(I)
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公开(公告)号：CN101285175B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810113596.0
申请日：2008-05-29
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种石墨烯的制备方法。该方法是采用化学气相沉积法制备石墨烯，包括如下步骤：将带有催化剂的衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到500～1200℃，然后向所述反应器中通入含碳物质，得到石墨烯；其中，所述催化剂为金属或金属化合物。本发明利用化学气相沉积法制备石墨烯的方法，操作方便，简易可行，可用于大规模生产；制备的石墨烯具有可以图案化的优点，而且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN101575260A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910087784.5
申请日：2009-06-26
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07C13/567 , C07C1/32 , C09K11/06 , H01L51/54
摘要： 本发明涉及1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物及其制备方法。本发明所提供的1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物的化学结构如式I中所示，其中，R为氢原子、苯基或萘基。本发明通过将间苯二甲酰氯付－克酰化得到4－溴苯甲酰基苯后，再将4－溴苯甲酰基苯与2－溴联苯环化还原－环化，得到二－9(4－溴苯基)芴苯，最后将二－9(4－溴苯基)芴苯与蒽硼酸酯进行Suzuki偶联，得到1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物。本发明具有成本低廉，合成路线简单，产率高，产物荧光发射效率高，热稳定性、成膜性和形貌稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN100527465C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510126485.X
申请日：2005-12-14
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明是一种基于阳极修饰的有机发光二极管，其在有机发光二极管的氧化铟锡阳极上，沉积十六氟代酞菁铜构成的强拉电子分子层，形成完整偶极层，再在强拉电子分子层上，顺序分别构筑有机发光二极管的各功能层：至少一层有机膜和阴极。该有机发光二极管，成本低，具有高发光效率和较低的操作电压。本发明同时公开了基于阳极修饰的有机发光二极管阳极的修饰方法，操作简单，修饰后的电极，可用于多种器件结构，具有高透光性，对于蓝绿光有增透作用。
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