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公开(公告)号：CN101575260B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910087784.5
申请日：2009-06-26
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07C13/567 , C07C1/32 , C09K11/06 , H01L51/54
摘要： 本发明涉及1，3-二(9-苯基芴)-苯联蒽衍生物及其制备方法。本发明所提供的1，3-二(9-苯基芴)-苯联蒽衍生物的化学结构如式I中所示，其中，R为氢原子、苯基或萘基。本发明通过将间苯二甲酰氯付-克酰化得到4-溴苯甲酰基苯后，再将4-溴苯甲酰基苯与2-溴联苯环化还原-环化，得到二-9(4-溴苯基)芴苯，最后将二-9(4-溴苯基)芴苯与蒽硼酸酯进行Suzuki偶联，得到1，3-二(9-苯基芴)-苯联蒽衍生物。本发明具有成本低廉，合成路线简单，产率高，产物荧光发射效率高，热稳定性、成膜性和形貌稳定性好等优点。式I
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公开(公告)号：CN101162761A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610113721.9
申请日：2006-10-13
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层。制备方法为：沉积栅极金属；在栅电极之上采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层；在沉积有绝缘层的衬底上，沉积一层修饰半导体层，然后采用有机物成膜方法得到主体有机半导体层，最后沉积源、漏电极得成品。本发明提供的器件结构可以实现有机场效应晶体管在较低的电压下饱和，通过低电压饱和降低有机场效应晶体管的操作电压。
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公开(公告)号：CN101575260A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910087784.5
申请日：2009-06-26
申请人： 中国科学院化学研究所
IPC分类号： C07C13/567 , C07C1/32 , C09K11/06 , H01L51/54
摘要： 本发明涉及1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物及其制备方法。本发明所提供的1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物的化学结构如式I中所示，其中，R为氢原子、苯基或萘基。本发明通过将间苯二甲酰氯付－克酰化得到4－溴苯甲酰基苯后，再将4－溴苯甲酰基苯与2－溴联苯环化还原－环化，得到二－9(4－溴苯基)芴苯，最后将二－9(4－溴苯基)芴苯与蒽硼酸酯进行Suzuki偶联，得到1，3－二(9－苯基芴)－苯联蒽衍生物。本发明具有成本低廉，合成路线简单，产率高，产物荧光发射效率高，热稳定性、成膜性和形貌稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN101093875A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200610089343.5
申请日：2006-06-21
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法，其结构包括衬底，栅极，绝缘层，有机芘氧自由基半导体层，源电极和漏电极；其方法包括栅极金属的沉积及图案化；绝缘层的沉积；有机芘氧自由基半导体材料的沉积；源电极和漏电极的沉积及其图案化。本发明制备的有机场效应晶体管是以2－芘基－4，4，5，5－四甲基咪唑啉－1－氧基自由基为有机半导体材料，制备工艺简单，成本低廉。在低电压下操作，显示出优良的场效应性能，迁移率高达0.1cm2/Vs，开关比大于104，阈值电压为－0.6V，亚阈值斜率为0.54V/decade。本发明的有机场效应晶体管能使用于有源驱动，低端集成电路，传感器等领域。
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公开(公告)号：CN101097991B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610089455.0
申请日：2006-06-28
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明涉及有机场效应晶体管技术领域，公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积；绝缘层的沉积；插入半导体层的沉积及有机主体半导体材料的沉积；器件测试。本发明有机场效应晶体管可以通过控制插入半导体层的厚度来控制导电沟道的性质，可实现同一个有机场效应晶体管的耗尽型和增强型双模式同时操作。与其它方法相比，可利用同一工艺制备得到可控掺杂半导体沟道的有机场效应晶体管。易于制备构筑由同质结或异质结构成的耗尽型或双模式场效应晶体管。在有机效应晶体管的可控制备和有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
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公开(公告)号：CN100593871C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810118129.7
申请日：2008-08-12
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极。本发明的有机场效应晶体管通过控制聚合物-偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物-偶极分子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
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公开(公告)号：CN100544052C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610089343.5
申请日：2006-06-21
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法，其结构包括衬底，栅极，绝缘层，有机芘氧自由基半导体层，源电极和漏电极；其方法包括栅极金属的沉积及图案化；绝缘层的沉积；有机芘氧自由基半导体材料的沉积；源电极和漏电极的沉积及其图案化。本发明制备的有机场效应晶体管是以2-芘基-4，4，5，5-四甲基咪唑啉-1-氧基自由基为有机半导体材料，制备工艺简单，成本低廉。在低电压下操作，显示出优良的场效应性能，迁移率高达0.1cm2/Vs，开关比大于104，阈值电压为-0.6V，亚阈值斜率为0.54V/decade。本发明的有机场效应晶体管能使用于有源驱动，低端集成电路，传感器等领域。
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公开(公告)号：CN101339975A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810118129.7
申请日：2008-08-12
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管，包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机半导体层以及位于所述有机半导体层上的源电极和漏电极。本发明的有机场效应晶体管通过控制聚合物－偶极分子修饰层中偶极分子的偶极矩大小来控制导电沟道的性质，可调控有机场效应晶体管的迁移率；可以任意改变聚合物－偶极分子修饰层和有机半导体层的组成，易于构筑高迁移率场效应晶体管；在高迁移率有机效应晶体管的制备和高性能有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
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公开(公告)号：CN101097991A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610089455.0
申请日：2006-06-28
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明涉及有机场效应晶体管技术领域，公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积；绝缘层的沉积；插入半导体层的沉积及有机主体半导体材料的沉积；器件测试。本发明有机场效应晶体管可以通过控制插入半导体层的厚度来控制导电沟道的性质，可实现同一个有机场效应晶体管的耗尽型和增强型双模式同时操作。与其它方法相比，可利用同一工艺制备得到可控掺杂半导体沟道的有机场效应晶体管。易于制备构筑由同质结或异质结构成的耗尽型或双模式场效应晶体管。在有机效应晶体管的可控制备和有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
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公开(公告)号：CN100505365C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610113721.9
申请日：2006-10-13
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 一种低操作电压有机场效应晶体管，包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极，由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道，有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层，上面是有机主体半导体层。制备方法为：沉积栅极金属；在栅电极之上采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层；在沉积有绝缘层的衬底上，沉积一层修饰半导体层，然后采用有机物成膜方法得到主体有机半导体层，最后沉积源、漏电极得成品。本发明提供的器件结构可以实现有机场效应晶体管在较低的电压下饱和，通过低电压饱和降低有机场效应晶体管的操作电压。
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