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公开(公告)号：CN112103157B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010862895.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面型空气通道晶体管，包括：衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极；绝缘层位于衬底上，多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧，第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道；第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上，第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅，第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点，第一极位于第一接触点处；第三极位于绝缘层上的第二接触点处；绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触；本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道，无需高精度的光刻工艺，提高生产效率，增加了实用价值。
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公开(公告)号：CN110182754B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910412251.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有微纳结构增强的微加热器及其制备方法，包括步骤：提供半导体单晶衬底，在衬底表面制备薄膜掩膜，并刻蚀窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，在该表面形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出微纳结构薄膜；采用金属沉积技术和金属薄膜图形化技术在微纳结构薄膜表面制备出微加热器电阻丝和电极；对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放微纳结构薄膜，即得。本发明采用微加工技术，通过薄膜的微纳结构改变其热传导特性，可以显著降低热量损耗，增强光辐射，为获得低功耗、热稳定性强的微加热器和强辐射的光源开辟了新道路。
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公开(公告)号：CN111574691B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010249769.2
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种荧光星型聚合物及其制备方法和应用，该聚合物的重复单元的结构式为式I或式II；所述式I的结构式如下所示：所述式II的结构式如下所示：式I中，R和R’均为烷基，R和所述R’中的碳原子数均为6～14；式II中，R为烷基，R的碳原子数为6～14。该聚合物是以苯[1,2‑b:3,4‑b':5,6‑b”]三噻吩(TTB)与芴或者咔唑为结构单元的二维聚合物网状结构，该聚合物响应速度快、选择性好、灵敏度高，可以为化学爆炸物荧光检测技术提供有利帮助，也能够应用于发光二极管、生物成像、传感器等领域。
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公开(公告)号：CN110687067B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201910875684.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括一个探测器芯片和多种超材料，多种超材料设置在探测器芯片上方，每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰，通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整，从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重；探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料，使得探测器体积减小，从而减小红外气体传感器的体积，并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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公开(公告)号：CN112540105A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011442807.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域，本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器，其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层；该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层；该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层；该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层，该修饰层的材料为杯芳烃，该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112432977A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011295179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请公开了一种有机场效应晶体管气体传感器及其制备方法，所述有机场效应晶体管气体传感器包括绝缘层、气敏材料层、栅电极、源极和漏极；所述绝缘层形成于所述栅电极之上；所述气敏材料层用于与被检测气体反应，所述气敏材料层设于所述绝缘层上方；所述气敏材料层由掺杂有F4TCNQ的气敏材料制作而成；所述源极和所述漏极位于同一层，且均设于所述气敏材料层的上方。本申请通过掺杂有F4TCNQ的气敏材料，能够提高器件的信噪比，同时能够提高器件的灵敏度和选择性等性能。
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公开(公告)号：CN112375213A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011256747.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C08G61/12
Abstract: 本申请提供一种新型导电聚合物及其制备方法和应用，为具有如下式I结构的聚合物： 其中，R为C6～C18的烷基；R’为C6～C16的硫烷基或者氧烷基；n为1～100之间的整数。该聚合物在引入噻吩类化合物的基础上，进一步对噻吩类化合物的结构进行了柔性烷基链修以及引进C＝C键，不仅使得该聚合物的溶解度大大提高，也可以很好的提高分子迁移率；同时，通过引入并二噻吩(BT)与硫烷基氧烷基结构，可以对材料能级、溶解度和电学性能等进行优化，使得该聚合物具有性能优异、吸光性好以及热稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN111551587A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010284655.1
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法，该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器，包括：绝缘层；敏感材料层；敏感材料层设于绝缘层的上表面；源极和漏极；源极和漏极采用叉指电极制备形成；叉指电极设于敏感材料层的上表面；本申请实施例提供的有机场效应晶体管气体传感器的敏感材料层的分子排布能够通过调整敏感材料层制备工艺进行调控；通过调控敏感材料的分子排布能够优化气体传感器的性能，且不同分子排布状态的敏感材料制备成的气体传感器能够进行不同气体分子的识别。
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公开(公告)号：CN110687068A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875694.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器，包括：滤波结构，用于红外光滤波，使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构；探测芯片，用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号；其中，所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器，采用超材料作为滤波结构，通过设计超材料的结构和参数，使经过超材料滤波后的红外光，对应待测气体的多个红外特征吸收峰，探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号，增强了信号的强度，提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110687067A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910875684.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本申请提供一种红外气体传感器，包括探测器，探测器包括一个探测器芯片和多种超材料，多种超材料设置在探测器芯片上方，每种超材料的中心波长对应待测气体的一个特征吸收峰，通过调整超材料结构进行待测气体某一特征吸收峰对应红外光透射强度的调整，从而改变待测气体某一特征吸收峰对应波长转化电信号占探测器芯片输出信号的权重；探测器芯片的输出信号为所述多种超材料对应的中心波长红外光转化电信号的总和。本申请提供的红外气体传感器的探测器包括一个芯片和多种超材料，使得探测器体积减小，从而减小红外气体传感器的体积，并且能够提高红外气体传感器的精度和识别能力。
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