公开(公告)号：CN104701362B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510125579.9

申请日：2015-03-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  李筱媛 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，埋氧层上设有N型漂移区，在N型漂移区内的上表面下方设有P型体区和N型缓冲层，N型缓冲层内设有P型集电极区，其特征在于，在N型漂移区内设有沟槽隔离层，在N型漂移区的上表面与沟槽隔离层形成的两个拐角处分别设有第一P型发射极区和第二P型发射极区，在第一P型发射极区和第二P型发射极区上连接有金属电极，在N型漂移区的上表面下方还设有第三P型发射极区，在第三P型发射极区上连接有第二发射极铝电极，在第二P型发射极区与第三P型发射极区之间的N型漂移区上表面上设有第二栅氧化层，在第二栅氧化层上设有氮化硅层，在氮化硅层上方设有第二多晶硅栅。

公开(公告)号：CN105070753B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510429008.4

申请日：2015-07-20

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  孙轶 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。

公开(公告)号：CN105071641B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510502980.X

申请日：2015-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐申 ,  王冲 ,  范献军 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/335

CPC classification number: H02M1/08 ,  G05B19/042 ,  G05B2219/2639 ,  H02M3/335 ,  H02M2001/0048

Abstract: 一种提高开关电源动态响应的控制方法，基于包括采样模块、动态控制模块、误差计算模块、PID模块、模式控制模块以及PWM模块构成的闭环控制系统，采样模块采样输出电压Vo，动态控制模块根据Vo的大小分别与设定的Vomax、Vomin以及Vref进行比较，判断是否采用动态模式，动态模式下当输出电压Vo变化很大时，可以通过输入大功率或小功率的方法使得输出电压Vo快速返回到稳定电压，并通过电压变化的斜率检测负载大小来确定工作状态来减小电压谐振，提高动态响应效果。

公开(公告)号：CN105006973B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510423030.8

申请日：2015-07-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  沈乾 ,  张晓明 ,  王冲 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种原边反馈反激式电源变换器输出电流的恒流控制系统，在传统恒流控制策略的基础上增加了Ts补偿、Tr补偿以及原边峰值电流补偿，同时还结合了数字PI补偿的恒流处理，并采用了PWM和PFM两种模式控制，不考虑一些补偿时，在PWM模式下，导通时间随着负载的降低而减小，所以输出电流随着负载的降低偏离额定电流越来越大。而在PFM模式下，导通时间保持不变，输出电流偏离额定电流仍然保持不变。本发明最终能够得到恒流精度为±2％的效果，从而提高了反激式变换器的恒流特性。

公开(公告)号：CN107273563A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710270652.0

申请日：2017-04-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  张乐 ,  刘琦 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种平面变压器PCB绕组寄生电容等效计算方法，通过对平面变压器PCB绕组的建模和分析，模拟PCB绕组寄生电容的分布情况，通过计算存在寄生电容的各相邻两层之间寄生电容存储能量的大小并进行叠加，利用能量和寄生电容之间的关系以及能量守恒定律，对PCB绕组整体的寄生电容进行计算,然后将其等效为三个部分的电容的计算，即原边绕组同名端与副边绕组同名端之间的电容C1、原边绕组同名端与副边绕组异名端之间的电容C2以及原边绕组异名端与副边绕组同名端之间的电容C3。

公开(公告)号：CN107147302A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710590007.7

申请日：2017-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  詹成旺 ,  刘琦 ,  朱俊杰 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/14

CPC classification number: Y02B70/1475 ,  H02M3/3353 ,  H02M1/14 ,  H02M3/33576

Abstract: 一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法，包括电压采样电路、运算放大电路、低通滤波电路、微控制器和隔离驱动电路。在LLC变换器的每一个工作周期内，通过电压采样电路分别在LLC变换器副边侧的同步整流MOS管关断之前和关断之后各采集一次同步整流MOS管的漏端电压，并通过微控制器将上述两个漏端电压进行比较判断，根据实时判断的结果来控制下一周期同步整流MOS管驱动信号的周期和占空比，最终使同步整流MOS管的关断点稳定在其电流过过零点处附近，因此，同步整流LLC变换器就稳定工作在最优效率点附近。

公开(公告)号：CN104716065B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510121194.5

申请日：2015-03-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  任晓飞 ,  袁永胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容‑电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容‑电压特性曲线的缺陷。

公开(公告)号：CN106356313A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610972493.4

申请日：2016-11-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨翰琪 ,  薛颖 ,  叶然 ,  魏家行 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/30 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2608 ,  H01L22/14

Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。

公开(公告)号：CN104467470B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410790982.9

申请日：2014-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐申 ,  王冲 ,  程松林 ,  沈乾 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M7/12 ,  H02M3/28

Abstract: 一种开关电源的数字PFM模式实现方法，基于包括采样电路、AD转换模块、误差计算模块、数字PID模块、数字PFM控制模块以及DPWM模块构成的PFM调节系统，该调节系统与受控的开关电源连接起来，构成一个闭环；采样电路对开关电源的输出电压进行采样，采样输出经过AD转换为数字信号，后进入误差计算模块，连续的数字信号进入误差计算模块与设定的电压值进入比较器中比较，产生的偏差(同时记录历史偏差)和偏差变化率供给数字PID模块，在数字PID模块中执行补偿算法，递交给PFM控制模块输出合适的占空比，从而控制数字电源的开关管用于稳压。

公开(公告)号：CN106024875A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610570715.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L23/50 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821

Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。