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公开(公告)号：CN110592661A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910860777.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流套筒，所述导流套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间；辅助结构，所述导流套筒与所述辅助结构连接，以将所述加热器的顶部和侧面包围。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置导流套筒，且导流套筒与辅助结构可以连接组合以将所述加热器的顶部和侧面包围，避免了SiO蒸气对加热器表面的侵蚀，延长了加热器的使用寿命，提高了晶体生长品质的稳定性。
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公开(公告)号：CN110528063A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910860787.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，配置为盛装用于晶体生长的熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；均热套筒，所述均热套筒设置于所述加热器与所述坩埚之间，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，其中，所述薄壁区域与高温区域对应设置，所述厚壁区域与低温区域对应设置。根据本发明提供的晶体生长装置，通过在加热器与坩埚之间设置于，所述均热套筒的侧壁包括厚壁区域和薄壁区域，利用壁厚的不同调节加热器对石墨坩埚辐射能量，平衡温度的影响，使坩埚在旋转中从晶体生长装置辐射的热量尽可能相同。
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公开(公告)号：CN112553683B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011209784.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的化料方法，包括：第一加热阶段，加热器以第一功率加热原料，并持续第一加热时间；第二加热阶段，所述加热器以第二功率继续加热所述原料，并持续第二加热时间，其中，所述第二功率低于所述第一功率；第三加热阶段，所述加热器以第三功率继续加热所述原料，并持续第三加热时间。根据本发明提供的用于晶体生长的化料方法，通过将化料工序分为三个阶段，且第二阶段的加热功率低于第一阶段的加热功率，以在缩短化料总时间的同时避免石英坩埚的温度超过软化温度，提高了晶体生长的良率。
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公开(公告)号：CN112680793A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990349.7
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒底部设置有具有向下凸出的台阶，以使所述导流筒底部在所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离小于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅熔体液面之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112680788A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112095142A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527023.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述提拉装置提拉所述硅晶棒穿过所述导流筒的过程中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离大于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111826710A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910329242.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，所述方法包括：获取所述坩埚的初始位置高度POS0、所述坩埚中硅熔体的初始液面高度D0以及所述坩埚中硅熔体液面与导流筒之间的初始距离MG0；获取当前生长的硅晶棒长度为L时的所述坩埚的当前位置高度POSL和所述坩埚中硅熔体的当前液面高度DL；根据所述初始位置高度POS0、所述当前位置高度POSL、所述初始液面高度D0和所述当前液面高度DL判断当前生长的硅晶棒长度为L时所述坩埚的当前位置高度是否安全。根据本发明的控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，避免了拉晶过程中因为坩埚的上下移动超出限度而发生毁损，同时保证了在坩埚上下移动过程中其中的硅熔体液面的稳定性，保证了硅晶棒的稳定生长。
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公开(公告)号：CN111270301A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811472539.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。根据本发明的晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，将导流筒设置成包括内筒、外筒和设置在内筒和外筒之间的隔热材料，使外筒的热阻高于内筒的热阻，降低了导流筒上外筒对内筒的传热，从而使内筒的温度降低，有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导，从而提升了晶棒的纵向温度梯度；同时，使外筒的温度上升，减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽(SiOx)在导流筒外筒上凝聚，从而减少了氧化物(SiOx)落入硅液产生杂质而发生多晶化(Dislocation)的现象。
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公开(公告)号：CN112680788B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910990351.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向的磁场；其中，在所述导流筒内壁底部开设有凹槽，以使所述导流筒在所述磁场的施加方向上与所述硅晶棒之间的距离大于在垂直于所述磁场的方向上与所述硅晶棒之间的距离。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111519241B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201910104706.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置，所述装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏装置，所述热屏装置包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏装置还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整装置，用以调整所述热屏装置与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整装置，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏装置之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。
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