ITO粉末、ITO导电膜用涂料及透明导电膜的制造方法

    公开(公告)号:CN103903674B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201310740988.0

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供一种ITO粉末、ITO导电膜用涂料及透明导电膜的制造方法。本发明的课题在于,利用含有多晶ITO颗粒的涂料制造由ITO导电膜构成的透明导电膜时,降低透明导电膜的电阻。本发明的ITO粉末由如下形成的多晶ITO颗粒的聚集体构成,即在棒状中心核的周围,比所述中心核短的多个棒状体以沿着与棒状中心核的长度方向相同的方向且围绕棒状中心核的方式一体形成。所述多晶ITO颗粒的平均长度L在0.2~5.0μm的范围,并且将所述多晶ITO颗粒的平均直径设为D时,L/D在2~20的范围。

    ITO粉末、ITO导电膜用涂料和透明导电膜的制造方法

    公开(公告)号:CN103992042A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410049873.1

    申请日:2014-02-13

    Abstract: 本发明提供ITO粉末、ITO导电膜用涂料和透明导电膜的制造方法,在利用含有多晶ITO颗粒的涂料来制造由ITO导电膜构成的透明导电膜时,降低透明导电膜的电阻。该ITO粉末包含:第1粉末(11),由具有各向异性的多晶ITO颗粒的聚集体构成,该多晶ITO颗粒的聚集体由短于棒状中心核(11a)的多个棒状体(11b)在所述中心核的周围以沿着与棒状中心核的长度方向相同的方向且包围棒状中心核的方式一体形成;及第2粉末,由细于第1粉末的ITO颗粒构成。第1粉末的平均长轴直径及平均短轴直径分别设为L1及S1时,L1为200~5000nm且L1/S1为2~20;第2粉末的平均长轴直径及平均短轴直径分别设为L2及S2时,L2为10~100nm且L2/S2为1~3。以相对于第1及第2粉末的总量以质量比计为0.01~0.5的比例来混合第2粉末。

    ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法

    公开(公告)号:CN103693679A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310295783.6

    申请日:2013-07-15

    Abstract: 本发明提供一种在低压下成为压坯时显示出高导电性的表面改性的ITO粉末及其制造方法、以及分散液和ITO膜的制造方法。本发明的表面改性的ITO粉末,将对由该ITO粉末构成的压坯施加0.196~29.42MPa的压力时的所述压坯的体积电阻率设为Y并将所述压坯的相对密度设为X时,所述体积电阻率与所述相对密度之间的关系以Y=aXn来拟合,a为5.0×10-3以下,且n为-10以上。

Patent Agency Ranking