采用嵌入聚合物中的纳米晶体的闪存装置

    公开(公告)号:CN1969386B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200580010346.9

    申请日:2005-01-18

    Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法,具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布,而不凝聚,所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外,本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅,提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。

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