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公开(公告)号：CN117525379A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310980118.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 柏原浩大
IPC: H01M4/48 , H01M4/131 , H01M10/05 , H01M4/1315
Abstract: 本发明提供氟化物离子电池用的电极活性物质。其是含有包含黄长石型结晶结构的复合氧化物的氟化物离子电池用电极活性物质。复合氧化物包含：包含选自第1金属原子组中的至少1种的第1金属原子、包含选自第2金属原子组中的至少1种的第2金属原子、以及包含选自特定非金属原子组中的至少1种的特定非金属原子，其中，可以至少包含氧原子作为特定非金属原子。第1金属原子组：Li、Be、Na、Mg、K、Ca、Rb、Sr、Y、Cs、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi。第2金属原子组：Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sn、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au。特定非金属原子组：O、F、N、S、Cl。
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公开(公告)号：CN117501393A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280041262.5
申请日：2022-06-02
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 前原永
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明提供磁特性优异、氧含量小的SmFeN系各向异性磁性粉末及其制造方法。上述SmFeN系各向异性磁性粉末的制造方法包括：准备包含Sm、Fe及N的分散前的SmFeN系各向异性磁性粉末的工序；和使用被树脂包覆的金属的介质或被树脂包覆的陶瓷的介质将上述分散前的SmFeN系各向异性磁性粉末进行分散的工序。另外，上述SmFeN系各向异性磁性粉末包含Sm、Fe及N，平均粒径为2.5μm以上且5μm以下，剩余磁化σr为150emu/g以上，氧含量为0.4质量％以下。
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公开(公告)号：CN117477343A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310943410.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 高鹤一真
IPC: H01S5/02255 , H01S5/02253 , H01S5/40
Abstract: 本发明提供一种能够降低从半导体激光元件射出的激光的行进方向与设计上的行进方向之间的偏差的发光装置。发光装置具有：基板，其具有安装面；半导体激光元件，其由安装面支承；第一反射镜部件，其由安装面支承，具有朝向斜上方的第一反射面；罩，其具有与基板的安装面相对的相对面、及位于相对面的相反侧的上表面，位于半导体激光元件及第一反射镜部件的上方；第二反射镜部件，其由罩的上表面支承，具有第二反射面，第一反射面反射激光而使激光的行进方向向远离基板的安装面的方向变化，罩使由第一反射面反射的激光透射，第二反射面将由第一反射面反射的激光反射而使激光的行进方向进一步变化。
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公开(公告)号：CN110600988B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910514659.1
申请日：2019-06-13
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 永原靖治
IPC: H01S5/02315 , H01S5/024 , H01S5/40
Abstract: 本公开提供一种能够期待斑点噪声的充分减轻的光源装置。本公开提供一种光源装置(1)，该光源装置(1)具备：基板(12)；包含载置在基板(40A、40B)上的半导体激光器元件(30)的激光光源(100A、100B)，多个激光光源(100A、100B)各自独立地配置在基板(12)上，在相邻配置的出射相同波段的光的激光光源(100A、100B)中，各个激光光源(100A、100B)的半导体激光器元件(30)以及基板(12)之间的热阻不同。(12)上的辅助座(40A、40B)以及载置在辅助座
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公开(公告)号：CN117276453A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310736884.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 三浦创一郎
Abstract: 本申请提供一种发光装置，包括：基部，其具有搭载面；发光元件，其配置在所述搭载面上，从出射端面发射光；以及波长转换部件，其沿着从所述发光元件发射的光的前进方向配置在所述搭载面上，且具有作为所述发光元件的电流路径的一部分的布线区域。根据本申请的发光装置，能够在不使用外部检测电路的情况下确保发光装置的安全性。
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公开(公告)号：CN117080349A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310551990.7
申请日：2023-05-16
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/58 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 提供能够降低亮度不均匀的发光模块和发光模块的制造方法。一种发光模块，其具备：光源部；透光性构件，其具有与所述光源部的侧面相接的第一透光部、和位于所述光源部和所述第一透光部的上侧的第二透光部，光调节构件，其配置在所述光源部、第一透光部和第二透光部的上侧，所述光调节构件，具有俯视下远离所述光源部而设置的所述贯通孔，所述透光性构件具有与所述贯通孔相连的凹部，所述凹部的至少一部分位于所述光调节构件的下表面的下侧。
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公开(公告)号：CN110875293B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910787904.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54
Abstract: 本发明的实施方式涉及发光装置。其课题是提供可靠性高的发光装置。本实施方式所涉及的发光装置具备第1基板、第2基板、多个发光元件和树脂层。第1基板具有透光性及可挠性，且形成有导电层。第2基板具有透光性及可挠性，且与上述第1基板相对而配置。多个发光元件具有与上述导电层连接的电极，且配置于上述第1基板与上述第2基板之间。树脂层保持多个上述发光元件。树脂层的动态粘弹性中的机械损耗正切tanδ成为最大时的温度为117℃以上。
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公开(公告)号：CN116979367A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310474219.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 提供实现了发光效率以及散热性的提高的半导体发光元件。本公开的半导体发光元件(1)具备：半导体构造体(10)，具有n侧半导体层(11)、配置于第一区域上的发光层(12)、及配置于发光层(12)上的p侧半导体层(13)，所述n侧半导体层(11)在俯视时具有第一区域(R1)、位于第一区域(R1)的外周的第二区域(R2)、及被第一区域(R1)包围的多个第三区域(R3)；第一绝缘膜(20)，配置在半导体构造体(10)上，具有配置在第三区域(R3)上的多个第一开口部(h1)与配置在p侧半导体层(13)上的多个第二开口部(h2)；n侧电极(40)，配置在第一绝缘膜(20)上，在多个第一开口部(h1)与n侧半导体层(11)电连接；n焊盘电极(60)，配置于第二区域(R2)，与n侧电极(40)电连接；第二绝缘膜(30)，配置于第一绝缘膜(20)上，具有配置于与多个第二开口部(h2)重叠的位置的多个第三开口部(h3)；以及p焊盘电极(70)，配置于第二绝缘膜(30)上，在多个第三开口部(h3)与p侧半导体层(13)电连接，在俯视时，p焊盘电极(70)覆盖第一区域(R1)以及第三区域(R3)，在俯视时，多个第一开口部(h1)配置于第三开口部(h3)的周围。
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公开(公告)号：CN116979361A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310475178.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/0232 , H01S5/02345 , H01S5/40
Abstract: 在所希望的方向减小配置多个构成要素所需的安装区域。一种发光装置，其具备：副安装座，其具有安装面和设置在安装面上的配线图案；半导体激光元件，其配置在配线图案上；保护元件，其配置在配线图案上，配线图案具有第一区域和与第一区域连接的第二区域，第一区域被设置为将安装面上的第一方向的宽度设为第一值以下，并且将与第一方向垂直的第二方向的宽度设为第二值，从安装面上的第一位置向第二方向延伸，第二区域被设置为第一方向的宽度比第一区域的第一位置处的第一方向的宽度大，从第一位置向与第二方向相反的方向延伸，半导体激光元件配置在第一区域内，保护元件配置在第二区域内，半导体激光元件和保护元件的第二方向的间隔大于0且小于170μm。
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