β赛隆荧光体的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113604216A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202110927416.8

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。

    β赛隆荧光体的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107446575B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201710387392.5

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物的比表面积为0.2m2/g以上。

    发光材料及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117425716A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202280038722.9

    申请日:2022-05-26

    Abstract: 本发明提供包含亮度高的发红色光的荧光体的发光材料。一种发光材料,其包含具有第一组成的氟化物荧光体,所述第一组成包含:包含K的碱金属、Si、Al、Mn及F。对于第一组成,在将碱金属的总摩尔数设为2的情况下,Si、Al及Mn的总摩尔数为0.9以上且1.1以下,Al的摩尔数大于0且为0.1以下,Mn的摩尔数大于0且为0.2以下,F的摩尔数为5.5以上且小于6.0。氟化物荧光体具有立方晶系的晶体结构,晶格常数为0.8138nm以上。

    发光装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101030620B

    公开(公告)日:2010-04-21

    申请号:CN200710085034.5

    申请日:2007-02-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种发出浓黄色系等光的高亮度的发光装置。本发明的发光装置具有:发光元件,其发光峰值波长是比490nm短的波长;荧光物质,其吸收来自所述发光元件的光,进行波长变换,发出波长比发光元件长的光;和滤光器,其遮断包含来自所述发光元件的光和由所述荧光物质进行波长变换后的光的混合光的一部分,透过所述滤光器后的光的颜色,在CIE 1931的色度坐标下,处于由第一点(x=0.450,y=0.450)、第二点(x=0.250,y=0.650)、第三点(x=0.250,y=0.750)、和第四点(x=0.550,y=0.450)包围的范围内,且处于由单色光轨迹和纯紫轨迹形成的闭曲线内。

    β赛隆荧光体的制造方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113604216B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202110927416.8

    申请日:2017-05-26

    Abstract: 本发明提供发光强度高、具有优异的发光辉度的β赛隆荧光体的制造方法。β赛隆荧光体的制造方法的特征在于,包括:准备具有包含活化元素的β赛隆的组成的烧成物的工序、将所述烧成物粉碎而得到粉碎物的工序、和对所述粉碎物进行热处理而得到热处理物的工序,所述粉碎物2的比表面积为0.2m/g以上。

    发光装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101030620A

    公开(公告)日:2007-09-05

    申请号:CN200710085034.5

    申请日:2007-02-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种发出浓黄色系等光的高亮度的发光装置。本发明的发光装置具有:发光元件,其发光峰值波长是比490nm短的波长;荧光物质,其吸收来自所述发光元件的光,进行波长变换,发出波长比发光元件长的光;和滤光器,其遮断包含来自所述发光元件的光和由所述荧光物质进行波长变换后的光的混合光的一部分,透过所述滤光器后的光的颜色,在CIE 1931的色度坐标下,处于由第一点(x=0.450,y=0.450)、第二点(x=0.250,y=0.650)、第三点(x=0.250,y=0.750)、和第四点(x=0.550,y=0.450)包围的范围内,且处于由单色光轨迹和纯紫轨迹形成的闭曲线内。

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