公开(公告)号：CN116805860A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310279360.9

申请日：2023-03-21

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： P·巴塔鲁 ,  S·拉马林根

IPC: H03F1/32

Abstract: 本申请涉及具有失真抵消的高速电流反馈放大器。所描述的示例包括具有带有输入和输出的输入级(202)的集成电路。第一电流镜(214、222)耦合到输出，第一电流镜包括第一晶体管(214)，第一晶体管具有发射极和耦合到输入级的输出的基极以及耦合到参考电位的集电极。第一电流镜还包括第二晶体管(222)，第二晶体管具有耦合到第一晶体管的基极的基极、耦合到参考电位的发射极以及耦合到输出节点的集电极。缓冲器(452)具有耦合到输出节点的输入和输出。第三晶体管(456)具有耦合到参考电位的基极和发射极以及耦合到缓冲器的输出的集电极。第二电流镜(450)将缓冲器输出电流的一部分耦合到第一晶体管的基极。

公开(公告)号：CN116802805A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280009947.1

申请日：2022-01-10

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·C·艾帕斯瓦梅

IPC: H01L27/06

Abstract: 一种微电子器件(100)包括位于衬底(104)上的集成防护结构二极管(102)。集成防护结构二极管(102)包括二极管的第一端子(134)、二极管的第二端子(136)以及防护结构(138)。防护结构(138)位于二极管的第一端子(134)与二极管的第二端子(136)之间。二极管的第一端子(134)和防护结构(138)彼此电连接。可选的开关元件(154)可以在二极管的第一端子(134)和防护结构(138)之间提供选择性电连接。添加与二极管的第一端子(134)电连接的防护结构(138)并且防护结构(138)位于二极管的第一端子(134)与二极管的第二端子(136)之间提供比没有防护结构(138)的二极管更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN116802789A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280012061.2

申请日：2022-01-31

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： S·巴纳吉 ,  J•P•特尔卡普

IPC: H01L21/76

Abstract: 一种电子器件包括位于半导体管芯(111)上的一个或多个多节点焊盘(120，130)，这些多节点焊盘具有彼此间隔开的两个或更多个导电部段(121，122)。导电柱凸块(128)选择性地形成在第一导电部段和第二导电部段(121，122)的部分上，以对半导体管芯(111)的电路系统进行编程或将供电电路(125)耦合到负载电路(136)。多节点焊盘(120，130)可以耦合到半导体管芯(111)中的编程电路，以允许在封装期间对半导体管芯(111)的可编程电路进行编程。多节点焊盘(120，130)具有耦合至供电电路(125)和负载电路(136)的相应导电部段(121，122)，以允许在形成柱凸块之前在晶片探针测试期间进行电流消耗或其他测量，在晶片探针测试中，单独探测第一导电部段和第二导电部段(121，122)。

公开(公告)号：CN116802509A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011994.X

申请日：2022-01-24

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： T•D•博尼菲尔德

IPC: G01R31/28

Abstract: 一种方法(100)包括：将AC测试电压信号(VT)施加(110)到电子器件的端子，该AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的测试频率(F1)；感测(112)在AC测试电压信号(VT)的施加期间该电子器件的电流信号(IT)；以及响应于电流信号(IT)小于电流阈值(ITH)，将电子器件(200)标识(115)为通过隔离测试。在将电子器件标识(115)为通过隔离测试之后，方法(100)包括：将第二AC测试电压信号(VT)施加(116)到电子器件的端子，该第二AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的第二测试频率(F2)；测量(118)在施加第二AC测试电压信号(VT)期间该电子器件的放电；以及响应于放电小于放电阈值(DTH)，将电子器件(200)标识(121)为通过放电测试。

公开(公告)号：CN116789072A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310288413.3

申请日：2023-03-22

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： L·韦斯基 ,  T·林德 ,  T·帕特森

IPC: B81B7/02 ,  G02B26/08 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请公开了减少MEMS器件中的静摩擦力的系统和方法。一种微机电系统(MEMS)器件包括：衬底(202、418、520、606)；由衬底(202、418、520、606)支撑的通孔，该通孔(304、305、410、414、512、602)包括包含材料的第一金属层(608)；臂(604)，其延伸远离通孔(304、305、410、414、512、602)并由通孔支撑，该臂(604)包括所述材料；以及在通孔(304、305、410、414、512、602)内处于第一金属层(608)上的第二金属层(612)，其中第二金属层(612)包括氮。

公开(公告)号：CN111052304B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880057377.7

申请日：2018-09-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·A·赫尔布斯摩 ,  S·J·雅各布斯 ,  B·S·库克 ,  A·J·弗吕林

IPC: H01L21/02 ,  G04F5/14

Abstract: 一种说明性的方法(和装置)包括：蚀刻第一衬底(例如，半导体晶片)中的腔(202)；在第一衬底的第一表面上和腔中形成(204)第一金属层；以及在非导电结构(例如玻璃)上形成(206)第二金属层。方法还可以包括：去除(208)第二金属层的一部分以形成可变光阑以暴露非导电结构的一部分；在第一金属层和第二金属层之间形成(210)结合，从而将非导电结构附接到第一衬底，密封(212)非导电结构和第一衬底之间的界面，和在非导电结构的表面上图案化(214)天线。

公开(公告)号：CN116711198A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009599.8

申请日：2022-01-10

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·A·布兰科 ,  M·罗

IPC: H02M3/156

Abstract: 在示例中，一种装置(110)包括控制信号发生器(202)和贪睡模式控制器(204)。该控制信号发生器包括：误差放大器(208)，该误差放大器具有第一输出端、第一输入端、第二输入端和第一贪睡输入端；第一比较器(210)，该第一比较器具有第二输出端、耦合到第一输出端的第三输入端、和第四输入端；以及第二比较器(212)，该第二比较器具有第三输出端、耦合到第三输入端的第五输入端、第六输入端和第二贪睡输入端。该控制信号发生器还包括：逻辑电路(218)，该逻辑电路具有第四输出端和逻辑电路输入端，这些逻辑电路输入端中的第一逻辑电路输入端耦合到第二输出端；以及脉冲发生器(220)，该脉冲发生器具有第五输出端和第七输入端，该第七输入端耦合到第四输出端。该贪睡模式控制器具有第六输出端，该第六输出端耦合到第一贪睡输入端和第二贪睡输入端。

公开(公告)号：CN116711196A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180087508.8

申请日：2021-12-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N•巴夫纳 ,  M·文卡茨瓦兰 ,  M·杰恩 ,  V•加喀尔 ,  V•拉坎帕尔 ,  P•C•A•塔德帕啼 ,  P•拉玛西达亚

IPC: H02M3/156

Abstract: 在一些示例中，一种电路包括状态机。状态机被配置为在第一状态(202)下操作，在该第一状态下，状态机根据由电压控制回路提供的第一信号对被提供用于控制电源转换器的脉冲宽度调制(PWM)信号进行门控。状态机被配置为在第二状态(204)下操作，在该第二状态下，状态机根据由电流限制比较器提供的第二信号对PWM信号进行门控。状态机被配置为：响应于在电源转换器的开关周期内第二信号在第一信号变为有效之后才变为有效，从第一状态转变到第二状态。状态机被配置为：响应于在电源转换器的开关周期内第一信号在第二信号之后有效，从电流状态转换到第一状态。

公开(公告)号：CN116685895A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180085708.X

申请日：2021-12-13

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： T·A·巴利特利 ,  K·S·奥伯拉舍尔 ,  A·卢巴斯基

IPC: G02B27/18

Abstract: 一种显示设备(200)，包括：激光光源(201，202和203)，所述激光光源被配置为发出用于相应颜色模式的相应波长的相应光束；PLM(210)，所述PLM被配置为将所述光束反射到投影表面上并在其上滚动；以及透镜(240)，所述透镜被配置为将来自所述激光光源(201，202和203)的光束投射到所述PLM(210)上的相应非重叠区域上。

公开(公告)号：CN111052303B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880057373.9

申请日：2018-09-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： A·J·弗吕林 ,  J·A·赫尔布斯摩 ,  S·J·雅各布斯 ,  B·S·库克

IPC: H01L21/02 ,  G04F5/14

Abstract: 一种用于形成密封腔的方法包括将非导电结构结合(402)到第一衬底上以在第一衬底中形成非导电孔。该方法包括在非导电结构的与第一衬底相对的表面上，沉积(404)第一金属层。该方法还包括在第一金属层中图案化(406)第一可变光阑，在第一金属层的与非导电结构相对的表面上沉积(408)第一电介质层，以及在第一电介质层的与第一金属层相对的表面上图案化(410)天线。‑该方法还包括：在第一衬底中形成(412)空腔；在空腔的表面上沉积(414)第二金属层；在第二金属层中图案化(416)第二可变光阑；以及将第二衬底结合(418)到第一衬底的与非导电结构相对的表面上，从而密封该腔。