公开(公告)号：CN118974895A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380031866.6

申请日：2023-03-30

申请人： 株式会社德山

发明人： 佐藤伴光 ,  吉川由树 ,  斋藤康平

IPC分类号： H01L21/308 ,  C23F1/30 ,  H01L21/306

摘要： 提供一种表面张力为60mN/m以上且75mN/m以下、包含鎓离子的过滤用润滑剂等。此外，提供一种包含鎓离子和次卤酸离子的研磨用组合物、包含与金属氧化物离子或金属氢氧化物离子配位的鎓离子的金属回收剂等。

公开(公告)号：CN118969612A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411452080.4

申请日：2024-10-17

申请人： 浙江广芯微电子有限公司

发明人： 谢刚 ,  徐显修

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种沟槽肖特基结构的二极管柔性加工管控方法及平台，属于二极管加工领域，其中方法包括：确定待刻蚀单晶层以及待刻蚀单晶层上的金属硅化物层；确定沟槽结构参数，根据沟槽结构参数判断沟槽是否为双层刻蚀沟槽，若沟槽为双层刻蚀沟槽，启动柔性加工管控模块，柔性加工管控模块以沟槽结构参数进行分模式沟槽刻蚀。本申请解决了现有技术中针对沟槽肖特基结构的二极管在不同材质层进行沟槽刻蚀时，因材质差异导致的沟槽缺陷和不稳定性的技术问题，通过采用针对不同材质的分模式柔性加工管控，实现沟槽在不同材质间的连续稳定形成，减少了沟槽缺陷，达到提高沟槽肖特基结构二极管性能和良率的技术效果。

公开(公告)号：CN118943037A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410998518.2

申请日：2018-09-26

申请人： 应用材料公司

发明人： D·A·伊万诺夫 ,  许昆 ,  D·M·盖奇 ,  H·Q·李 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  D·E·本内特 ,  K·L·什里斯塔

IPC分类号： H01L21/66 ,  B24B1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

摘要： 一种通过原位电磁感应监测系统补偿半导体晶片的电导率对测得迹线的贡献的方法包括存储或产生经修改的参考迹线。经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。通过原位电磁感应监测系统来监测基板，以产生取决于导电层的厚度的测得迹线，且将测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线。产生经调整迹线，包括自经修改的测得迹线减去经修改的参考迹线。

公开(公告)号：CN118782507B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411267836.8

申请日：2024-09-11

申请人： 苏州矩阵光电有限公司

发明人： 王冬云 ,  张念站 ,  刘海清 ,  朱忻

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

摘要： 本发明提供一种用于晶圆分区腐蚀的隔离网筒及腐蚀方法，隔离网筒包括：筒壁，用于套设于晶圆外围，并与晶圆共同被真空吸附台吸附固定；隔离网壁，固定于筒壁内，用于将晶圆表面分隔成多个相互独立的腐蚀区域，当筒壁被真空吸附台固定时，隔离网壁延伸至晶圆表面上方，并与晶圆表面具有间距以形成非接触气隙，非接触气隙被配置为当腐蚀液进入某一个腐蚀区域时，基于液体表面张力使得腐蚀液不会进入到相邻的腐蚀区域。本发明可以有效实现晶圆表面腐蚀的分区精密控制，满足更精密的控制更严格的晶圆均匀性要求，且不会造成晶圆表面划伤和相邻区域腐蚀液混合而无法区分的情况。

公开(公告)号：CN118922919A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202280093735.6

申请日：2022-03-17

申请人： 柯尼卡美能达株式会社

发明人： 小川善行 ,  梶田大士

IPC分类号： H01L21/306 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16

摘要： 喷嘴板(110)在单晶硅基板(B)的第一面(Ba)具备多个形成有用于排出液滴的喷嘴(N)的喷嘴流路(111)，单晶硅基板(B)的第一面(Ba)和与第一面(Ba)对置的第二面(Bb)为{110}面。因此，第一面(Ba)侧的喷嘴流路(111)的开口部能够为大致平行四边形形状，能够提高喷嘴密度。

公开(公告)号：CN118922464A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380028626.0

申请日：2023-03-09

申请人： 日产化学株式会社

发明人： 上林哲

IPC分类号： C08G59/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312

摘要： 具有下述式(1)所示的部分结构、下述式(2)所示的部分结构和下述式(3)所示的部分结构的聚合物。(在式(2)中，Q1表示具有芳香族烃环或脂肪族烃环的2价有机基。在式(3)中，R11表示碳原子数1～10的亚烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118919406A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410967125.5

申请日：2024-07-18

申请人： 上海芯物科技有限公司

发明人： 杨婉君 ,  钱清 ,  潘代强 ,  杨磊 ,  张云 ,  杨京南 ,  艾永昌 ,  王焕橙 ,  胡昌杰

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 本发明涉及一种超透镜先进集成电路传感器的先进集成电路晶圆回收方法，所述先进集成电路晶圆回收方法包括如下步骤：提供超透镜先进集成电路传感器结构，所述超透镜先进集成电路传感器结构包括键合的超透镜晶圆与先进集成电路晶圆，所述超透镜晶圆与先进集成电路晶圆的键合界面位于超透镜晶圆一侧具有气泡缺陷；对超透镜晶圆的硅衬底进行第一湿法蚀刻，所述第一湿法蚀刻之前或第一湿法蚀刻之后填充气泡缺陷处；然后对超透镜晶圆的超透镜结构层与气泡缺陷处的填充物进行第二湿法蚀刻，所得先进集成电路晶圆经过表面平坦化后进行回收。本发明挽救了由于键合气泡存在导致即将报废的先进集成电路晶圆，降低了工厂成本。

公开(公告)号：CN118901121A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202280093913.5

申请日：2022-12-12

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 德山真裕

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 本发明的学习装置具备：实验数据获取部，在以包含伴随时间的经过而变动的变动条件的处理条件，驱动通过将处理液供给至形成有覆膜的基板来处理基板的基板处理装置后，获取表示形成于基板上的覆膜的处理前后的膜厚差的处理量；第1压缩部，以维数减少的方式将变动条件进行变换；及预测器生成部，生成学习模型，该学习模型机器学习包含由第1压缩部变换变动条件后的变换结果及与处理条件对应的处理量的学习用数据，而推测表示形成于由基板处理装置处理前的基板上的覆膜的处理前后的膜厚差的处理量。

公开(公告)号：CN118891710A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027922.9

申请日：2023-03-16

申请人： 株式会社斯库林集团

发明人： 天久贤治 ,  谷口进一 ,  岩崎旭纮

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

摘要： 基板处理装置具备处理块、两个开闭器以及两个基板交接机器人。处理块具有基板入口及基板出口，在基板入口接收未处理的基板，并对基板进行预先设定的处理。处理后的基板被引导至基板出口。一方的开闭器在与基板入口对应的位置将收纳有未处理的基板的一前开式晶圆传送盒的盖打开。一方的基板交接机器人从一前开式晶圆传送盒取出基板，并移交到处理块的基板入口。另一方的开闭器在与基板出口对应的位置将空的另一前开式晶圆传送盒的盖打开。另一方的基板交接机器人从处理块的基板出口接收基板，并插入另一前开式晶圆传送盒。

公开(公告)号：CN118866741A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202310475197.3

申请日：2023-04-27

申请人： 合肥维信诺科技有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 马晓勇 ,  杨锦智 ,  林昶

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种刻蚀设备和刻蚀方法，刻蚀设备包括刻蚀腔室以及设于刻蚀腔室内部的承载部件、喷洒部件和驱动部件，承载部件用于承载待刻蚀器件，喷洒部件用于向待刻蚀器件喷洒刻蚀液，以使刻蚀液对待刻蚀器件上的膜层进行刻蚀，驱动部件与承载部件连接，用于驱动承载部件旋转，以调节待刻蚀器件的膜层表面与喷洒部件的相对位置关系。基于此，不仅可以使得刻蚀液均匀地喷洒在待刻蚀器件膜层的上表面，而且可以使得刻蚀液均匀地喷洒在待刻蚀器件膜层的侧面或侧壁，进而可以使得刻蚀液更快更有效地浸入待刻蚀器件膜层的侧面或侧壁，进而可以在较短时间内使得待刻蚀器件膜层的刻蚀效果达到预期。