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公开(公告)号：CN119501691A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411591251.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 甘肃金阳高科技材料有限公司
Abstract: 本发明涉及铌酸锂晶片技术领域，具体为一种铌酸锂晶片CMP加工方法，包括：将切割后的4/6寸铌酸锂晶片进行是双面研磨，再进行超声清洗，获得表面具有粗糙结构的4/6寸铌酸锂双面研磨片；将4/6寸铌酸锂双面研磨片用双面抛光机和抛光液配合抛光垫进行CMP粗抛，再进行超声清洗，获得4/6寸铌酸锂粗抛片；将4/6寸铌酸锂粗抛片用双面抛光机和抛光液配合抛光垫进行CMP精抛，再进行超声清洗，获得4/6寸铌酸锂双抛片。本发明获得铌酸锂研磨片后直接进行CMP双面抛光，可获得最终表面精度更高的铌酸锂双抛片，使铌酸锂加工工艺简化，提高了生产效率，适用于双抛机，批量生产，对抛光垫的通用性较强，抛光速率快，双抛表面精度高，适用于4/6寸铌酸锂晶片高效抛光领域。
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公开(公告)号：CN119188591A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411545044.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 天津中环领先材料技术有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种硅片表面磨削工艺，包括缓降预磨和正式研磨，在所述缓降预磨中，上磨盘以逐渐减小的下将速度下降至与下磨盘接触，对硅片上的不平点进行研磨，在所述正式研磨中，对整个硅片进行缓压研磨。本发明的有益效果是减少了对硅片的瞬间冲击压力，减少了因集中应力造成的碎片，降低了硅片的裂损率，改善了硅片的表面参数TTV,提高了硅片的磨削效果。
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公开(公告)号：CN119017249A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411432925.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 深圳市科思达机械设备有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/08 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种全自动磨板机的控制方法及系统，所述方法包括获取待研磨PCB板的待研磨面数据以及上一PCB板经研磨后的研磨面数据；根据所述待研磨PCB板的研磨数据和所述上一PCB板经研磨后的研磨数据确定所述待研磨PCB板的第一研磨方案和第二研磨方案；根据所述第一研磨方案控制所述第一驱动单元驱动所述研磨轮对所述待研磨PCB板执行相应的区域研磨操作；在执行完所述区域研磨操作后，根据所述第二研磨方案控制所述第二驱动单元驱动所述研磨辊对所述PCB板进行整板研磨操作。本发明通过控制第一研磨机构和第二研磨机构对PCB板进行精准研磨，能够有效减少后续的返工情况，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115533624B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202110723069.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B37/005 , B24B37/08
Abstract: 一种集成电路用单晶硅片局部平整度的控制方法，包括如下步骤：根据集成电路芯片制造对单晶硅片局部平整度的技术要求及抛光来料的技术规格，通过转动平整度计算方程，确定双面化学机械抛光中大盘转动速度和行星片转动速度；得到转动压力平整度最大值，通过压力平整度计算方程，压力平整度出现拐点时的理论压力平整度最大值；取理论压力平整度最大值和转动压力平整度最大值中的最小值，再通过压力平整度计算方程，确定实际工艺中的压力最大值。生产出大尺寸抛光硅片完全满足100nm及以下集成电路制程要求的局部平整度技术指标要求，尤其是28nm及以下集成电路先进制程需求。
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公开(公告)号：CN118578287A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411005941.4
申请日：2024-07-25
Applicant: 湖南中豪微纳科技有限责任公司
IPC: B24B53/017 , B24B53/12 , B24B37/08
Abstract: 一种研磨盘的刀具位置调节装置及位置调节方法，包括刀架座、导向机构、粗调机构和微调机构，刀具设置在刀架座上，刀架座固定连接在导向机构上，导向机构的一侧设置有粗调机构，导向机构的另一侧设置有微调机构，能依次用粗调机构和微调机构调节刀具的位置。通过设置两端都能调节刀具位置的装置放在上、下研磨盘之间，对上、下研磨盘同时进行修整。能省去传统修整后，上、下研磨盘拆装和调试的时间，大幅度节约修整时长，提高修整精度，从而提高元件的研磨抛光精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118544258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410777186.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 河北同光半导体股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆边缘倒角的工装及加工方法，属于半导体加工技术领域，包括游星轮装载板，所述游星轮装载板上具有安装通孔，所述游星轮装载板的厚度小于晶圆的厚度；所述安装通孔的内周壁具有内凹曲面，所述内凹曲面用于与晶圆边缘接触，以在双面磨削过程中磨削晶圆的边缘位置；其中，在双面磨削晶圆之前，晶圆边缘位置的上、下两侧先磨削预设倾角，以使晶圆边缘位置的厚度小于所述内凹曲面的厚度；在通过双面磨削设备对晶圆进行双面磨削时，游星轮装载板上的内凹曲面能够对晶圆的边缘位置进行研磨，在晶圆双面磨削完毕之后，能够同时完成对晶圆边缘的倒角磨削，无需后续对晶圆的边缘位置进行二次倒角，能够提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117863069B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311758055.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 北京东能良晶科技有限公司
Abstract: 本发明涉及研磨装置技术领域，具体涉及一种便于双面研磨的晶圆承载组件，包括底座，所述底座的顶部外壁上通过螺栓连接有支架，所述支架的顶部外壁上焊接有电机，所述电机的主轴外壁上焊接有卡块，所述底座的顶部外壁上转动插接有圆盘形载具。本发明中通过设置的滚轮，使得下磨盘与上磨盘最终会与滚轮抵接，从而避免载具被打磨，滚轮的直径大小就是晶圆成品厚度，可根据晶圆成品厚度更换不同直径的滚轮，避免了传统载具需要频繁更换的情况，并且实用性得到大大提高，通过设置的下料机构，使得成品晶圆靠近顶柱的一侧向上倾斜，进而使得成品晶圆滑入下料斜架内，实现自动效率的效果，大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN114566417B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111423357.7
申请日：2021-11-26
Applicant: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅电极的再生加工方法，包括以下步骤：S1:外观检验；S2:尺寸测量；S3：双面LAPPING，在弱碱性环境下用双面研磨机对硅电极表面损伤进行去除再生；S4：煮沸清洗，将硅电极放入加热槽中煮沸，导入化学洗净剂，进行洗涤，然后在纯水槽中浸泡冲洗，并通入超声波去除硅电极表面杂质；S5：化学刻蚀，在酸液中对硅电极整体刻蚀，去除表面损伤缺陷；S6：抛光处理，在碱性抛光液条件下用抛光机对硅电极非装配表面进行抛光；S7：洗净处理，用酸液对硅电极进行清洗；S8：最终检测；S9：烘干包装。采用了双面研磨技术，能够有效去除硅表面的使用痕迹和损伤缺陷，并对表面离子沾污进行清洗，达到表面再生，可持续使用的目的。
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公开(公告)号：CN118106877A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410358691.6
申请日：2024-03-27
Applicant: 安徽格楠机械有限公司
Abstract: 本发明涉及抛光设备相关领域，具体是涉及一种便于更换磨盘的双面研磨机及其使用方法，包括机体、内转盘、下转盘、下磨盘、上转盘、上磨盘、翻转拆卸组件和若干个螺柱，翻转拆卸组件包括翻板、两个连接杆、两个伸缩件、托盘、两个滑动铰接件、两个缓冲件、两个锁块、驱动机构和两个顶升机构，滑动铰接件包括固定块和铰接块，每个顶升机构均包括双向螺杆、两个平移滑块和两个斜杆件。本发明中通过滑动铰接件和连接杆将翻板限位在机体上，保证翻板在翻转过程中与滑动铰接件连接位置始终贴近机体，使得翻板翻转至接近竖直状态时能够贴近机体外侧的侧壁，从而尽量减少占用机体空间的同时不影响到研磨机的正常工作。
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公开(公告)号：CN117961759A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410119489.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体晶圆片双面研磨技术领域，具体涉及到：一种晶圆研磨时降低碎片率的方法，此特殊内槽可大大降低晶圆片在研磨机内的碎片率，提高双面研磨的合格率。本发明的内容就是如何通过带有特殊内槽的游星轮降低晶圆片的碎片率，提高双面研磨机的合格率。
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