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公开(公告)号：CN101540251B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体2电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN102013371A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910190152.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434
Abstract: 本发明涉及一种冷阴极的表面处理方法，其包括以下步骤：提供一冷阴极，所述冷阴极包括多个一维场发射体；设置一液体胶于所述冷阴极表面；固化所述液体胶；去除冷阴极表面固化后的液体胶，以使冷阴极表面的一维场发射体竖立。
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公开(公告)号：CN101075015B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610060733.X
申请日：2006-05-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , G01Q60/16 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488 , H01J2203/0296 , Y10S977/815 , Y10S977/822 , Y10S977/838 , Y10S977/849 , Y10S977/86 , Y10S977/861
Abstract: 本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的III-V族化合物半导体一维纳米结构；该III-V族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端，该III-V族化合物半导体一维纳米结构的第二端开口，该III-V族化合物半导体一维纳米结构为开口纳米管；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或/和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明还提供一种采用III-V族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。
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公开(公告)号：CN101540251A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810066123.X
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管针尖。该碳纳米管针尖具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部为一根突出的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101425440A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171014.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C8/16 , B82Y10/00 , C03C17/008 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/04 , H01J2201/30434 , H01J2201/30488
Abstract: 提供了氮化硼纳米管糊状合成物、包括该氮化硼纳米管糊状合成物的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射器件和包括该电子发射器件的背光单元和电子发射显示器件。氮化硼纳米管糊状合成物包括：大约100份按重量计算的氮化硼纳米管、大约250到大约1000份按重量计算的玻璃粉、大约500到大约1000份按重量计算的填料、大约1000到大约2000份按重量计算的有机溶剂、和大约2000到大约3000份按重量计算的聚合物粘结剂。包括氮化硼纳米管电子发射源的电子发射器件具有更长的使用寿命和改善了的像素间均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523541B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN102187425A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141541.3
申请日：2009-10-16
Applicant: 利兰·斯坦福青年大学托管委员会
CPC classification number: H01J40/06 , H01J45/00 , H01J2201/30434 , H02S99/00
Abstract: 利用光子增强型热离子发射(PETE)以为辐射能量转换提供改进的效率。照射热(大于200℃)半导体阴极以使其发射电子。因为阴极是热的，在相同照射条件下，将发射比从室温(或更冷)的阴极发射的显著更多的电子。该增多的电子发射的结果为，相对于常规光伏器件，可显著增大能量转换效率。在PETE中，阴极电子可(且典型地为)相对于阴极热化。其结果为，PETE不依赖于非热化电子的发射，且相比于热载流子发射方法显著地更易于实现。
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公开(公告)号：CN101986418A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010526331.0
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器（FEDs）、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN1961403B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200480033283.4
申请日：2004-11-12
Applicant: 美国热电集团
CPC classification number: H01J49/147 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30434 , Y10S977/939
Abstract: 一种用在质谱分析器中的离子源，包括：电子发射器，配置其以发射电子束，其中电子发射器组件包括固定在衬底上用于发射电子束的碳纳米管束、配置以控制电子束发射的第一控制栅格和配置以控制电子束能量的第二控制栅格；电离腔，其具有使电子束进入电离腔的电子束入口、用于样本引入的样本入口和为电离样本分子提供出口的离子束出口；电子透镜，其位于电子发射器组件和电离腔之间以聚集电子束；和至少一个电极，其位于离子束出口附近以聚集排出电离腔的电离样本分子。
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公开(公告)号：CN101523541A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037455.9
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。
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