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公开(公告)号：CN1282967A
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN00122520.0
申请日：2000-08-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/245
Abstract: 本发明涉及磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子,提供抑制了晶体缺陷发生的磁性石榴石单晶和提高消光比的法拉第转子。本发明的目的是通过使用用液相外延生长法生长,并用一般式BiaPbbA3－a－bFe5－c－dBcPtdO12(式中的A是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出来的至少一种元素,B是从Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出来的至少一种元素,a、b、c、d分别为:0
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公开(公告)号：CN113518840A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080016889.6
申请日：2020-02-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 基板(10)具备重叠的第一层(L1)及第二层(L2)，第一层(L1)包含结晶质的AlN及添加元素，第二层(L2)包含结晶质的α‑氧化铝，添加元素为选自稀土元素、碱土元素及碱金属元素中的至少一种，第一层(L1)的厚度为5～600nm，RC(002)为源自AlN的(002)面的衍射X射线的摇摆曲线，RC(002)通过第一层(L1)的表面SL1的ω扫描来测定，RC(002)的半值宽度为0～0.4°，RC(100)为源自AlN的(100)面的衍射X射线的摇摆曲线，RC(100)通过第一层(L1)的表面SL1的扫描来测定，RC(100)的半值宽度为0～0.8°。
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公开(公告)号：CN100350300C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03105491.9
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。
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公开(公告)号：CN1428629A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157156.2
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036 , H01F1/10
Abstract: 本发明的目的是提供法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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公开(公告)号：CN1314506A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：CN01108959.8
申请日：2001-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及Bi置换稀土类铁石榴石单晶膜及其制造方法，和使用该单晶膜的法拉第转子。其特征在于,在使用外延生长法生长Bi置换磁性石榴石单晶的磁性石榴石单晶膜的制造方法中,随着单晶膜的生长,使上述磁性石榴石单晶膜的晶格常数保持恒定或渐渐减少,接着,随着上述单晶膜的生长使上述晶格常数增加,以形成磁性石榴石单晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107532330B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201680011843.9
申请日：2016-03-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种形成有AlN层且降低了翘曲的氧化铝基板。本发明提供一种基板材料，在本基板上生长AlN晶体等的情况下，具有能够耐受通常的操作的程度的强度，并且在生长中或者冷却中施加了过度的应力的情况下防止在生长晶体中引入裂纹或碎裂。制成：在表面形成有AlN层的氧化铝基板中，在AlN层的内部或者AlN层与氧化铝基板界面形成有含稀土区域以及空隙的基板。通过含稀土区域集中晶格失配应力，另外空隙释放应力，从而能够降低AlN层的翘曲。另外，由于含稀土区域集中应力，空隙降低机械强度，因此能够诱发裂纹或者碎裂的起源和传播，结果能够防止在本基板上生长的晶体中混入裂纹或碎裂。进一步含稀土区域能够确保操作程度的机械强度。
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公开(公告)号：CN1818743A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610019815.X
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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公开(公告)号：CN1203349C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01104751.8
申请日：2001-02-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及利用使用磁性石榴石材料的光磁效应的光磁器件，提供在单晶膜生长时或研磨加工时不产生裂纹的磁性石榴石材料。还提供光磁器件，它是在波长λ(1570nm≤λ≤1620nm)的光入射时法拉第旋转角θ为44deg≤θ≤46deg的光磁器件。用通式BiaMl3-aFe5-bM2bO12表示的磁性石榴石材料。(M1是选自Y、La、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、中的至少一种元素，M2是选自Ga、Al、Ti、Ge、Si、Pt中的至少一种元素，a满足1.0≤a≤1.5，b满足0≤b≤0.5)。
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公开(公告)号：CN1165922C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN00122520.0
申请日：2000-08-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F10/245
Abstract: 本发明涉及磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子，提供抑制了晶体缺陷发生的磁性石榴石单晶和提高消光比的法拉第转子。本发明的目的是通过使用用液相外延生长法生长，并用一般式BiaPbbM3-a-bFe5-c-dM4cPtdO12(式中的M3是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出来的至少一种元素，M4是从Ga、Al、Sc、Ge、Si中选出来的至少一种元素，a、b、c、d分别为：0＜a＜3.0，0＜b≤2.0，0≤c≤2.0，0＜d≤2.0)表示的磁性石榴石单晶实现的。
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