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公开(公告)号:CN118259475A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311749126.4
申请日:2023-12-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供光合波器和可见光光源模块,提供与使用铌酸锂膜的光调制器能够连接或能够集成、并能够调整RGB的色彩平衡的光合波器,本发明的光合波器(100)包括多模干涉型光合波部(50),第1多模干涉型光合波部(50‑1)与第1光输入侧光波导(21‑1)、第1监视光输出侧光波导(22‑1)和第1连结光波导(21‑12)连接,第2多模干涉型光合波部(50‑2)与第2光输入侧光波导(21‑2)、第1连结光波导(21‑12)、第2监视光输出侧光波导(22‑2)和第2连结光波导(21‑23)连接,第3多模干涉型光合波部(50‑3)与第3光输入侧光波导(21‑3)、第2连结光波导(21‑23)、第3监视光输出侧光波导(22‑3)和光输出口连接光波导(23)连接,光波导(22‑1~21‑3)与任何光波导均不交叉。
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公开(公告)号:CN101135846A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200710148363.X
申请日:2007-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2260/12 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/246 , G11B7/2472 , G11B7/2475 , G11B7/2492 , G11B7/2531
Abstract: 本发明提供在不仅使用绿色激光器还使用了蓝色激光器的全息照相存储器记录中,也实现高折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低收缩性及高多重性的适于体积型全息记录的全息记录材料、其制造方法、及全息记录介质。包含作为金属含有Si、和选自Ta及Zr构成的组中的至少一种且在Ta及/或Zr上配位有配位物形成配位基的金属氧化物、和光聚合性化合物的全息记录材料。配位物形成配位基从β-二羰基化合物、聚羟基化配位基及α-或β-羟基酸选择。具有全息记录材料层(21)的全息记录介质(11)。
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公开(公告)号:CN1954272A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200580015347.2
申请日:2005-04-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G03H1/02 , G03F7/004 , G03F7/075 , G11B7/0065
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/001 , G03F7/0042 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2250/37 , G03H2260/12 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/2492
Abstract: 提供一种全息照相记录材料及全息照相记录介质,该全息照相记录材料实现高的折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性,适用于体积型全息照相记录。一种全息照相记录材料,其包含有机金属化合物和光聚合性化合物,其中,所述有机金属化合物至少具有至少2种金属、氧及芳香族基团、且含有2个芳香族基团直接键合在1个金属上的有机金属单元。所述至少2种金属中的1种是Si,Si以外的其他金属优选选自由Ti、Zr、Ge、Sn、Al及Zn构成的群组。所述有机金属单元优选2个芳香族基团直接键合在1个Si上。全息照相记录介质(11),其具有全息照相记录材料层(21)。
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公开(公告)号:CN1310235C
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN02826196.8
申请日:2002-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/26
CPC classification number: G11B7/263 , G11B7/0938 , G11B7/24038
Abstract: 本发明所涉及的多层光记录介质的制造方法为:从金属制的压模进行复制,制作金属制的第1压模和树脂制压模,其中树脂制压模形成有其深度比第1压模的反转微细凹凸的深度更深,且能够在隔离层(SP)的一面形成与形成在基材(D)的一面的导向槽具有相同深度的导向槽的微细凹凸;从第1压模进行复制,制作一面形成有导向槽(GR和LD)的基材(D);在基材(D)的导向槽的表面形成记录层(L1);在记录层(L1)的表面涂敷透光性树脂;在透光性树脂的表面形成从树脂制压模进行复制且形成有其深度与形成在基材(D)的导向槽的深度相同的导向槽(GR和LD)的隔离层(SP);在隔离层(SP)的导向槽的表面形成记录层(L0)。
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公开(公告)号:CN1591239A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN200410068254.3
申请日:2004-08-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/0065 , G03H1/2249 , G03H2210/20
Abstract: 当只有未调制的信号光应用到其中未记录数据的全息存储器120时,确保由CCD图象传感器108检测到的图象作为噪声图案。当数据被再现时,从由CCD图象传感器108检测到的再现图象中减去先前获得的噪声图案。
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公开(公告)号:CN118732309A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410134340.7
申请日:2024-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供光调制器、光源模块、光学引擎和XR眼镜,该光调制器是马赫曾德尔型的光调制器,具有基板和形成于基板上的由铌酸锂膜构成的光波导层,光波导层具有多个平坦部和配置在相邻的平坦部间的作为2以上的整数的n个脊部,n个脊部分别具有入射可见光的主波导、将主波导分支为第1分支光波导和第2分支光波导的第1多模干涉波导、以及使第1分支光波导与第2分支光波导结合而成为合波波导的第2多模干涉波导,在n个脊部,分别入射波长不同的可见光,第1多模干涉波导和第2多模干涉波导传输波长越长的入射光则长度越短。
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公开(公告)号:CN101154034B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200710154389.5
申请日:2007-09-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G03F7/001 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2250/43 , G03H2260/12 , G11B7/2531
Abstract: 本发明提供一种在不仅使用绿色激光器还使用了蓝色激光器的全息照相存储器记录中,也实现高折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化(低收缩性)及高多重性的适于体积型全息记录的全息记录材料及全息记录介质。一种全息记录材料,包含金属氧化物基质和光聚合型化合物,其中,金属氧化物基质至少将Si及Ti作为金属元素含有,Ti来源于含钛氧化物微粒。全息记录介质(11)具有由全息记录材料构成的全息记录层(21)。
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公开(公告)号:CN1954271B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200580015295.9
申请日:2005-04-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G03H1/02 , G03F7/004 , G03F7/033 , G03F7/075 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/24044 , G03F7/001 , G03F7/0042 , G03F7/0757 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2260/12 , G11B7/0065 , G11B7/245 , G11B7/249 , G11B7/2531
Abstract: 提供一种全息照相记录材料及全息照相记录介质,所述全息照相记录材料不需要进行记录时的预曝光处理,实现高的折射率变化、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性,适用于体积型全息照相记录。其全息照相记录材料包含软化温度为50℃以上的基体材料和在室温下为液相的光聚合性单体。相对全息照相记录材料整体,优选含有基 体材料50重量%以上90重量%以下。全息照相记录材料的软化温度优选为0℃以上。
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公开(公告)号:CN101241306A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810009097.7
申请日:2008-02-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G03F7/001 , C08G65/18 , C08G65/3322 , G03F7/032 , G03F7/0757 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G03H2250/43 , G03H2260/12 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/2492
Abstract: 本发明提供一种全息记录材料,其不仅在使用绿色激光器的全息照相存储器记录中,而且在使用青色激光器的全息照相存储器记录中,都能实现高折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低收缩性及高多重度,适于体积型全息记录,本发明还提供上述全息记录材料的制造方法以及具有全息记录材料层(21)的全息记录介质(11)。本发明的全息记录材料含有金属氧化物和光聚合性化合物,其中的金属氧化物作为金属至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有β-二羰基化合物,在金属氧化物中,β-二羰基化合物与Zr原子的摩尔比(β-二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子与Zr原子的摩尔比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。
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