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公开(公告)号:CN1182515C
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN98115042.X
申请日:1998-06-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/1871 , B24B7/16 , B24B7/22 , B24B41/06 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49048 , Y10T29/4905
Abstract: 一个具有排列在其上的多个薄膜磁头的待研磨物件在下述情况下受到研磨,把一个其上固定有该物件的一个水平长型夹具安装在一个研磨头上,使该物件与已被驱动和旋转的研磨盘的研磨表面相面接触,通过一个与研磨盘的该研磨表面处于面接触状态的调整环来控制该研磨头的体位。因此通过使该物件的体位以研磨盘的研磨表面作为基准来进行控制,可以改进物件的平直度并且可以减少在待研磨物件上形成的许多磁头的喉部高度的变化。
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公开(公告)号:CN102005297B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201010269342.5
申请日:2010-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/2325 , B23K1/0016 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供不降低可靠性并能够用无铅焊料直接覆盖基底电极层的陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法。端子电极(3)具备由烧结而形成的Cu的基底电极层(21)、由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge的五元系无铅焊料而形成的焊料层(22)、在基底电极层(21)与焊料层(22)之间通过Ni扩散而形成的扩散层(23)。这样,因为将Ni的扩散层(23)形成于基底电极层(21)与焊料层(22)之间,所以起到作为屏障层的作用的该扩散层(23)能够抑制基底电极层(21)的Cu的焊料侵蚀。另外,Ni的扩散层(23)能够抑制脆的Sn-Cu金属互化物生长。因此,抑制了基底电极层(21)与焊料层(22)之间的接合强度的降低。
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公开(公告)号:CN1219758A
公开(公告)日:1999-06-16
申请号:CN98122796.1
申请日:1998-12-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12 , B08B1/00
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B1/04 , B08B3/12 , H01L21/67046 , Y10S134/902
Abstract: 本发明能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗。在用清洗装置20清洗晶片11时,将清洗液30容纳在清洗槽31内,在将刷子33a、33b打开的状态下,将晶片11插入清洗槽31内,将其保持在摇动、旋转滚子32a—32d上。此后,将刷子33a、33b闭合,用刷子33a、33b夹持晶片11。其次使刷子33a、33b旋转,还用摇动-旋转滚子32a—32d等使晶片11摇动及旋转,再用超声波发生装置36对清洗槽31内的清洗液30附加超声波。
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公开(公告)号:CN102005297A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010269342.5
申请日:2010-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/2325 , B23K1/0016 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供不降低可靠性并能够用无铅焊料直接覆盖基底电极层的陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法。端子电极(3)具备由烧结而形成的Cu的基底电极层(21)、由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge的五元系无铅焊料而形成的焊料层(22)、在基底电极层(21)与焊料层(22)之间通过Ni扩散而形成的扩散层(23)。这样,因为将Ni的扩散层(23)形成于基底电极层(21)与焊料层(22)之间,所以起到作为屏障层的作用的该扩散层(23)能够抑制基底电极层(21)的Cu的焊料侵蚀。另外,Ni的扩散层(23)能够抑制脆的Sn-Cu金属互化物生长。因此,抑制了基底电极层(21)与焊料层(22)之间的接合强度的降低。
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公开(公告)号:CN1165971C
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN98122796.1
申请日:1998-12-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B1/04 , B08B3/12 , H01L21/67046 , Y10S134/902
Abstract: 本发明能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗。在用清洗装置20清洗晶片11时,将清洗液30容纳在清洗槽31内,在将刷子33a、33b打开的状态下,将晶片11插入清洗槽31内,将其保持在摇动·旋转滚子32a~32d上。此后,将刷子33a、33b闭合,用刷子33a、33b夹持晶片11。其次使刷子33a、33b旋转,还用摇动·旋转滚子32a~32d等使晶片11摇动及旋转,再用超声波发生装置36对清洗槽31内的清洗液30附加超声波。
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公开(公告)号:CN1208912A
公开(公告)日:1999-02-24
申请号:CN98115042.X
申请日:1998-06-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1871 , B24B7/16 , B24B7/22 , B24B41/06 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49048 , Y10T29/4905
Abstract: 一个具有排列在其上的多个薄膜磁头的待研磨物件在下述情况下受到研磨,把一个其上固定有该物件的一个水平长型夹具安装在一个研磨头上,使该物件与已被驱动和旋转的研磨盘的研磨表面相面接触,通过一个与研磨盘的该研磨表面处于面接触状态的调整环来控制该研磨头的体位。因此通过使该物件的体位以研磨盘的研磨表面作为基准来进行控制,可以改进物件的平直度并且可以减少在待研磨物件上形成的许多磁头的喉部高度的变化。
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