公开(公告)号：CN101789487B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200910246862.1

申请日：2009-10-21

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 秦健次郎 ,  佐佐木宏文 ,  仓知克行

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083 ,  G11B5/55

CPC classification number: G11B5/4826 ,  G11B5/4833 ,  G11B5/4873 ,  G11B5/5552 ,  H01L41/0986 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。

公开(公告)号：CN101789487A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910246862.1

申请日：2009-10-21

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 秦健次郎 ,  佐佐木宏文 ,  仓知克行

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083 ,  G11B5/55

CPC classification number: G11B5/4826 ,  G11B5/4833 ,  G11B5/4873 ,  G11B5/5552 ,  H01L41/0986 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。

公开(公告)号：CN101853917B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910258044.3

申请日：2009-12-16

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 仓知克行 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L41/313

Abstract: 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。

公开(公告)号：CN1881639A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610058368.9

申请日：2006-03-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 远池健一 ,  宫崎雅弘 ,  野口隆男 ,  山崎宽史 ,  海野健 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。

公开(公告)号：CN101853917A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910258044.3

申请日：2009-12-16

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 仓知克行 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L41/313

Abstract: 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。

公开(公告)号：CN100495754C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610058368.9

申请日：2006-03-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 远池健一 ,  宫崎雅弘 ,  野口隆男 ,  山崎宽史 ,  海野健 ,  佐佐木宏文

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/083

Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。