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公开(公告)号：CN118870926A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310486998.X
申请日：2023-04-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 黄子健
IPC分类号： H10K71/00 , B01D57/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/04 , C01G21/00 , H10K50/115 , H10K85/50
摘要： 本申请公开了一种量子点纯化方法、量子点和发光器件，所述量子点纯化方法包括：提供待纯化的量子点溶液；将所述待纯化的量子点溶液与空穴俘获剂混合，得到混合溶液；在所述混合溶液中设置电极，对所述混合溶液施加激发光和电压，以对所述混合溶液进行光激发处理和电泳处理，收集所述电极附近的液体，得到纯化后的量子点溶液。本申请所述的量子点纯化方法，通过电荷俘获剂搭配光激发处理和电泳处理可以有效地去除量子点溶液中残余的电荷离子，避免残余的电荷离子影响量子点的表面缺陷，从而提高量子点的荧光效率。
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公开(公告)号：CN117769286A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211131092.8
申请日：2022-09-16
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K59/10 , H10K71/00
摘要： 本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件，包括层叠的阳极、空穴功能层、发光层及阴极，所述空穴功能层的材料包括核壳结构颗粒，所述核壳结构颗粒的核的材料选自P型半导体材料，所述核壳结构颗粒的壳的材料选自N型半导体材料。所述核壳结构颗粒中的核与壳之间形成了一种PN结效应，PN结形成的内部电场方向是由核指向壳，空穴载流子在PN结的作用下由P型半导体材料流向N型半导体材料层，在内部电场力的作用下，能够加速空穴的提取与传输，从而提升空穴功能层一侧的载流子传输能力，进而提高所述光电器件的载流子平衡性，提高所述光电器件的性能。
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公开(公告)号：CN118275083A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211734144.0
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请提供一种QLED面板的测试方法、装置、系统和计算机存储介质，其中，所述QLED面板具有多个像素点，相邻的两个像素点之间设有发光像素格；所述测试方法包括：以第一预设电流驱动所述QLED面板；获取所述QLED面板的亮度随时间的变化值；在单位时间的所述变化值大于预设亮度变化量时，停止向所述QLED面板输入所述第一预设电流，以第二预设电流驱动所述发光像素格；获取所述发光像素格的第一光电参数；基于所述第一光电参数，判断测试设备是否正常；在基于所述测试结果确定所述测试设备运行正常时，确定所述QLED面板为不良品。本申请旨在提高QLED面板测试的可靠性和准确率。
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公开(公告)号：CN117915740A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211233983.4
申请日：2022-10-10
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K85/10 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K71/00
摘要： 本申请公开了一种光电器件及电子设备，所述光电器件包括：相对设置的阳极和阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层、设置于阳极与发光层之间的空穴传输层，空穴传输层的材料包括第一化合物，第一化合物具有以下通式(Ⅰ)所示的结构：#imgabs0#其中，Rt为不存在或者为#imgabs1#R3和R4分别独立地选自碳原子数为4至17的烷基、或碳原子数为4至17的烷氧基，Rs选自包含给电子基团的基团，m为正整数。由此，提升了光电器件的光电性能和使用寿命；将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117015290A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210444132.8
申请日：2022-04-25
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制方法、显示装置。其中，所述复合材料的制备方法，包括：提供包括氧化石墨烯、硼酸和/或硝基苯丙氨酸的混合物；对所述混合物进行第一热处理，所述混合物反应获得所述复合材料。本申请实施例提出的复合材料的制备方法制备的复合材料，被应用至氧电子传输层与阴极电极之间时，通过PN结的控制来调节电子传输层一侧的载流子传输能力，并通过硝基苯丙氨酸中的硝基对氧化锌的电子进行吸引，阴极电极产生的高能粒子都会被复合材料所阻挡，使得整个发光器件的载流子更加平衡，电子传输层结构的完整性，这样能提高发光器件的稳定性，并在一定程度上能提高发光器件的寿命以及性能。
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公开(公告)号：CN116940159A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210323032.X
申请日：2022-03-29
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过空穴功能层的红光，以减弱这些红光对空穴功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116437768A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111642480.8
申请日：2021-12-29
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/11 , H10K50/115
摘要： 本申请公开了一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，有效缩短了发光器件的整个制作周期。
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公开(公告)号：CN118870927A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487007.X
申请日：2023-04-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 黄子健
IPC分类号： H10K71/00 , B01D57/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/04 , C01G21/00 , H10K50/115 , H10K85/50
摘要： 本申请公开了一种量子点纯化方法、量子点和发光器件，所述量子点纯化方法包括：提供待纯化的量子点溶液；将所述待纯化的量子点溶液与电子俘获剂混合，得到混合溶液；在所述混合溶液中设置阳极和阴极，对所述混合溶液施加激发光和电压，以对所述混合溶液进行光激发处理和电泳处理，收集所述阴极附近的液体，即得到纯化后的量子点溶液。本申请所述的量子点纯化方法，通过电子俘获剂搭配光激发处理和电泳处理可以有效地去除量子点溶液中残余的阴离子，避免残余的阴离子影响量子点的表面缺陷，从而提高量子点的荧光效率。
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公开(公告)号：CN117903433A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211233968.X
申请日：2022-10-10
申请人： TCL科技集团股份有限公司
IPC分类号： C08G73/02 , H10K50/15 , H10K50/115
摘要： 本申请公开了一种化合物、化合物的制备方法、光电器件及电子设备，所述化合物具有通式(Ⅰ)所示的结构：#imgabs0#其中，Rt为不存在或者为#imgabs1#R3和R4分别独立地选自碳原子数为4至17的烷基、或碳原子数为4至17的烷氧基，Rs选自包含卤素基团的基团，m为正整数。所述光电器件包括空穴传输层，空穴传输层的材料包括所述化合物或所述制备方法制得的化合物，能够促进电子‑空穴传输平衡，并提高复合发光效率，从而提升光电器件的综合性能；将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。
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