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公开(公告)号：CN102290453B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681953A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310373378.1
申请日：2013-08-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L21/02054 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。
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公开(公告)号：CN102290453A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110168794.9
申请日：2011-06-21
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
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公开(公告)号：CN103681953B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310373378.1
申请日：2013-08-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L21/02054 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。
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公开(公告)号：CN102593204B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210004842.5
申请日：2012-01-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
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公开(公告)号：CN102593204A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210004842.5
申请日：2012-01-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
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