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公开(公告)号：CN119768911A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380055274.8
申请日：2023-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H10H20/825 , H10H20/812 , H10H20/83 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种包括半导体发光器件的显示装置。本发明的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：彼此隔开的第一组装电极和第二组装电极；电介质层，配置在所述第一组装电极和所述第二组装电极上；绝缘层，具有规定的组装孔，配置在所述电介质层上；半导体发光器件，配置于所述组装孔。所述组装孔的高度可以是4.0μm以上。
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公开(公告)号：CN119604976A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380055276.7
申请日：2023-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H10H20/825 , H10H20/80 , H10H20/812 , H10H20/83 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种显示器像素用半导体发光器件和包括其的显示装置。本发明的显示器像素用半导体发光器件可以包括：发光结构物，包括第一导电型半导体层、有源层及第二导电型半导体层；第一接触电极，与所述第一导电型半导体层电连接；金属层，配置在所述第一导电型半导体层的下方；第二接触电极，配置在所述第二导电型半导体层上；以及钝化层，配置在所述发光结构物上。所述金属层可以包括磁性物质，所述磁性物质的重量与所述半导体发光器件的重量的比率可以是0.25％～36.75％。
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公开(公告)号：CN107026218A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710054307.3
申请日：2017-01-24
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/324
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0236 , H01L31/024 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/105 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/324
Abstract: 根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
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公开(公告)号：CN105655427A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510892086.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1824 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , H01L31/04
Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037359B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201810878741.8
申请日：2015-11-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
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公开(公告)号：CN114127961A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080052377.5
申请日：2020-04-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0368
Abstract: 根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。
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公开(公告)号：CN113302747A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080008582.1
申请日：2020-01-02
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0224 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。
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公开(公告)号：CN110777362A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910666607.6
申请日：2019-07-23
Applicant: LG电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/24 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供用于太阳能电池的化学气相沉积设备。提供了一种化学气相沉积CVD设备，该CVD设备包括：室，该室具有内空间，多个硅晶圆以直立位置布置在室的内空间中；和多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向多个晶圆的各侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。所述多个喷头可以布置在所述多个硅晶圆的两侧处。
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