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公开(公告)号：CN104167454B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410354042.5
申请日：2014-05-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。
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公开(公告)号：CN104167454A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410354042.5
申请日：2014-05-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。
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公开(公告)号：CN104124302B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410165536.9
申请日：2014-04-23
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的一个表面上；第一导电类型区域，该第一导电类型区域在隧穿层上；第二导电类型区域，该第二导电类型区域在隧穿层上，使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开；以及阻挡区域，该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间，使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。
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公开(公告)号：CN104124302A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410165536.9
申请日：2014-04-23
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的一个表面上；第一导电类型区域，该第一导电类型区域在隧穿层上；第二导电类型区域，该第二导电类型区域在隧穿层上，使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开；以及阻挡区域，该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间，使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。
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