放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法

    公开(公告)号:CN102053493A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010531429.5

    申请日:2010-10-26

    Abstract: 本发明涉及一种放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法。该放射线敏感性组合物适合用于形成在满足透明性、耐热透明性、表面硬度等一般要求的性质的同时,即使在高温、高湿的苛刻条件下,对ITO透明导电膜或钼等金属布线的密合性以及耐裂性高的保护膜和层间绝缘膜。该放射线敏感性组合物包含[A]硅氧烷聚合物、[B]具有下述式(1)(式中,R1是氢原子或者碳原子数为1~4的烷基,R2~R6各自独立地是氢原子、羟基或者碳原子数为1~4的烷基,B是单键、-COO-*或者-CONH-*,m是0~3的整数。其中,R2~R6中的至少一个是羟基,-COO-*或者-CONH-*中的各个*的连接键和(CH2)m的碳连接)所示的重复单元的聚合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或者放射线敏感性碱产生剂。

    放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法

    公开(公告)号:CN101907828A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN201010198420.7

    申请日:2010-06-07

    Abstract: 本发明涉及放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法。所述放射线敏感性组合物可以形成透明性、耐热性等优异,同时对ITO基板密合性以及耐裂性高的保护膜和层间绝缘膜,而且具有足够分辨率。本发明的放射线敏感性组合物包括:[A]硅氧烷聚合物,[B]选自由式(1)和(3)分别表示的化合物构成的群组中的至少一种硅烷化合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂。[A]硅氧烷聚合物优选为式(4)的水解性硅烷化合物的水解缩合物。还可以进一步含有[D]脱水剂。作为[C]放射线敏感性酸产生剂优选使用选自由三苯基锍盐和四氢噻吩鎓盐构成的群组中的至少一种。(R1O)3Si-R2-Si(OR3)3 (1)(R7)q-Si-(OR8)4-q (4)

    放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法

    公开(公告)号:CN101907828B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201010198420.7

    申请日:2010-06-07

    Abstract: 本发明涉及放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法。所述放射线敏感性组合物可以形成透明性、耐热性等优异,同时对ITO基板密合性以及耐裂性高的保护膜和层间绝缘膜,而且具有足够分辨率。本发明的放射线敏感性组合物包括:[A]硅氧烷聚合物,[B]选自由式(1)和(3)分别表示的化合物构成的群组中的至少一种硅烷化合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂。[A]硅氧烷聚合物优选为式(4)的水解性硅烷化合物的水解缩合物。还可以进一步含有[D]脱水剂。作为[C]放射线敏感性酸产生剂优选使用选自由三苯基锍盐和四氢噻吩鎓盐构成的群组中的至少一种。(R1O)3Si-R2-Si(OR3)3 (1)(R7)q-Si-(OR8)4-q (4)。

    放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法

    公开(公告)号:CN102053493B

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201010531429.5

    申请日:2010-10-26

    Abstract: 本发明涉及一种放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法。该放射线敏感性组合物适合用于形成在满足透明性、耐热透明性、表面硬度等一般要求的性质的同时,即使在高温、高湿的苛刻条件下,对ITO透明导电膜或钼等金属布线的密合性以及耐裂性高的保护膜和层间绝缘膜。该放射线敏感性组合物包含[A]硅氧烷聚合物、[B]具有下述式(1)(式中,R1是氢原子或者碳原子数为1~4的烷基,R2~R6各自独立地是氢原子、羟基或者碳原子数为1~4的烷基,B是单键、-COO-*或者-CONH-*,m是0~3的整数。其中,R2~R6中的至少一个是羟基,-COO-*或者-CONH-*中的各个*的连接键和(CH2)m的碳连接)所示的重复单元的聚合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或者放射线敏感性碱产生剂。

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