公开(公告)号：CN107210214A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006490.3

申请日：2016-03-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 羽山孝弘 ,  三星兰 ,  亀井康孝 ,  西口直希 ,  三元清孝 ,  加茂理 ,  饭田雅史

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  B24B37/20 ,  B24B57/02 ,  C09G1/02 ,  C23F1/00 ,  C23F3/04 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4864 ,  H01L23/49866 ,  H05K3/26 ,  H05K2203/0793

Abstract: 本发明的化学机械研磨用处理组合物的特征为：含有(A)水溶性胺、(B)具有含芳香族烃基的重复单元的水溶性聚合物、及水系介质，优选含有(C)具有芳香族烃基的有机酸，且pH为9以上。

公开(公告)号：CN108395845A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201710387509.X

申请日：2017-05-26

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 羽山孝弘 ,  亀井康孝 ,  西口直希 ,  加茂理 ,  篠田智隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042 ,  B24B49/16 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31133 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供一种生产性优异、抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效率地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠、以及下述通式(1)所表示的化合物A，当将所述钾的含量设为MKppm、将所述钠的含量设为MNappm时，MK/MNa＝1×10-1～1×104。所述通式(1)中，R1～R4分别独立地表示氢原子或有机基。M-表示阴离子。

公开(公告)号：CN107353832A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710238028.2

申请日：2017-04-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 亀井康孝 ,  羽山孝弘 ,  西口直希 ,  加茂理 ,  篠田智隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。

公开(公告)号：CN107353831A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710235092.5

申请日：2017-04-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 亀井康孝 ,  羽山孝弘 ,  西口直希 ,  加茂理 ,  篠田智隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种抑制对被处理体的金属配线等造成的损伤、且可自被处理体的表面有效地去除污染的半导体处理用组合物及使用其的处理方法。本发明的半导体处理用组合物含有钾及钠，当将所述钾的含量设为MK(ppm)、将所述钠的含量设为MNa(ppm)时，MK/MNa＝5×103～1×105。