公开(公告)号：CN114078833B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110949238.9

申请日：2021-08-18

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 罗伯特·戈斯波斯 ,  卢茨·纳米斯洛 ,  贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯 ,  迈克尔·恩德雷斯 ,  西尔维奥·赫内 ,  彼得罗·博塔佐利

IPC: H10D80/20 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。

公开(公告)号：CN114078833A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110949238.9

申请日：2021-08-18

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 罗伯特·戈斯波斯 ,  卢茨·纳米斯洛 ,  贝恩德·屈滕 ,  费利克斯·蔡斯 ,  迈克尔·恩德雷斯 ,  西尔维奥·赫内 ,  彼得罗·博塔佐利

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底(4)上接触的、布置在壳体(18)中的功率半导体布置(6、8)。为改进功率模块(2)的可靠性，提出功率半导体布置(6、8)分别具有至少一个半导体构件(10)，其中，壳体(18)在相对置的侧(20、22)上具有功率接口(DCp、DCn、AC)，其中，基底(4)具有从功率接口(DCp、DCn、AC)到功率半导体布置(6、8)的馈电线(24)，其中，馈电线(24、28、30)布置在基底(4)上，使得实现对称的电流引导。