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公开(公告)号：CN115850756A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211610174.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安交通大学 , 浙江西安交通大学研究院
IPC: C08J5/18 , G01N29/036 , G01N29/02 , G01N27/22 , C08L55/00 , C08K5/3445 , C08K5/43 , C08K5/18 , C08F299/02 , C08F2/44 , C08F2/48 , B01J20/26 , B01J20/30 , B01J20/28
Abstract: 本发明公开了一种基于氢键酸性离子凝胶薄膜制备方法、气体传感器及制备方法，将氢键酸性有机化合物溶解分散到离子凝胶前驱溶液中，并加入光引发剂；将制备好的溶液通过滴涂、旋涂或者线棒涂敷工艺制备到气体传感器的测量元件上，形成一层湿膜；利用紫外光照射使其固化，形成气体探测敏感膜。敏感膜中氢键酸性有机化合物可以实现氢键碱性的危险气体包括有机磷毒气分子、爆炸物气体分子以及两者的模拟剂的选择性吸附。另外，固化在离子凝胶中的离子液体在室温下呈液态，使离子凝胶敏感膜具有远低于室温的玻璃转化温度，提升材料的气体吸附性能和传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109142466B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201810805357.5
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安交通大学 , 广东顺德西安交通大学研究院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法，其过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟；再去除结构A的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；再对得到的复合薄膜进行漂洗；最后将漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上，再进行晾干和烘，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题，同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜很好的弥补了石墨烯的不足，使其气敏特性得到了极大地提高。
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公开(公告)号：CN115850756B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202211610174.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安交通大学 , 浙江西安交通大学研究院
IPC: C08J5/18 , G01N29/036 , G01N29/02 , G01N27/22 , C08L55/00 , C08K5/3445 , C08K5/43 , C08K5/18 , C08F299/02 , C08F2/44 , C08F2/48 , B01J20/26 , B01J20/30 , B01J20/28
Abstract: 本发明公开了一种基于氢键酸性离子凝胶薄膜制备方法、气体传感器及制备方法，将氢键酸性有机化合物溶解分散到离子凝胶前驱溶液中，并加入光引发剂；将制备好的溶液通过滴涂、旋涂或者线棒涂敷工艺制备到气体传感器的测量元件上，形成一层湿膜；利用紫外光照射使其固化，形成气体探测敏感膜。敏感膜中氢键酸性有机化合物可以实现氢键碱性的危险气体包括有机磷毒气分子、爆炸物气体分子以及两者的模拟剂的选择性吸附。另外，固化在离子凝胶中的离子液体在室温下呈液态，使离子凝胶敏感膜具有远低于室温的玻璃转化温度，提升材料的气体吸附性能和传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN108910870B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810803422.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安交通大学 , 广东顺德西安交通大学研究院
IPC: C01B32/194 , C01B32/198 , G01N27/12
Abstract: 本发明公开一种CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜及方法，过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑60分钟；再去除结构A的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；再对得到的复合薄膜进行漂洗，得到干净的复合薄膜。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题，同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜很好的弥补了石墨烯的不足，使其性能得到了极大地提高。
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公开(公告)号：CN109142466A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810805357.5
申请日：2018-07-20
Applicant: 西安交通大学 , 广东顺德西安交通大学研究院
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/125
Abstract: 本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法，其过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟；再去除结构A的金属衬底，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的复合薄膜；再对得到的复合薄膜进行漂洗；最后将漂洗后的复合薄膜转移到电极结构上，再进行晾干和烘，得到氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器。本发明能够克服石墨烯转移过程中引入的有机残留污染和产生裂纹和褶皱的问题，同时制备的氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜很好的弥补了石墨烯的不足，使其气敏特性得到了极大地提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490204B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011349967.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法，散热薄膜，包括氧化还原石墨烯层和CVD石墨烯层，氧化还原石墨烯层两侧的表面上均设有CVD石墨烯层。本发明基于石墨烯的三明治结构散热薄膜在与衬底平行或垂直的方向上均具有较好的传热能力，能够使得衬底或半导体器件进行快速匀的散热。
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公开(公告)号：CN112511166B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011363292.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种模数转换技术，具体涉及一种基于忆阻器神经网络的高精度快速ADC及模数转换方法，以解决现有的FLASH ADC、SAR ADC、Pipeline ADC、Σ‑ΔADC等均无法兼顾转换精度和转换速度的技术问题。本发明ADC包括N个输入忆阻器、N个偏置忆阻器、忆阻器神经网络以及N个反相器；其中，忆阻器神经网络包括M×N个连接权忆阻器，基于Hopfield神经网络沿N×N矩阵主对角线对称等值分布，ADC支路反相器输出的反馈信号通过忆阻器神经网络接入电路；模拟输入电压Vs、参考偏置电压Vref以及其余ADC支路反相器输出的反馈信号进行加权和运算后，送入ADC支路的反相器输入端，输出N位二进制数字码，对应当前模拟输入电压。
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公开(公告)号：CN113390959A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110484717.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种复合敏感膜及制备方法、气体传感器及制备方法，将毒气敏感材料分散到溶剂中，然后旋涂到以金属为衬底通过化学气相沉积制备得到的二维材料表面，从而获得一种堆叠结构的复合敏感膜；将复合敏感膜裁剪成合适的尺寸，放到刻蚀液的液面上，以刻蚀复合敏感膜的金属衬底，从而得到自支撑的复合敏感膜；将自支撑的复合敏感膜在去离子水液面上漂洗后，利用浸渍提拉法将其转移到气敏传感器的测量元件表面。复合敏感膜中的二维材料层具有良好的疏水性和机械强度，保证复合敏感膜在液面上的完整性。另外，二维材料层还具有很高的表面能，可以改善复合敏感膜与压电衬底表面的贴附性，增强毒气敏感材料与声表面波器件的耦合作用，从而提高传感器对沙林毒气及其模拟剂的响应灵敏度和响应速度。
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公开(公告)号：CN113358730A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110572602.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供的一种沙林及其模拟剂的气敏传感器和制备方法，制备针对沙林及其模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)具有选择性和栅控特性的复合敏感沟道，实现场效应管型气敏传感器的基本结构。在气敏测试过程中，可以对传感器进行转移特性、输出特性等晶体管基本特性曲线持续扫描，获取如载流子迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等关键器件物理参数，进而挖掘气体吸附与电荷转移的根本规律。同时本发明设计的传感器可通过改变栅极电压信号的幅值和形式调控优化对沙林及其模拟剂的敏感性，气敏响应速度以及选择性。该发明所述的场效应管型气敏传感器有效改善了传统金属氧化物型半导体微纳气敏传感器高工作温度，选择性差和敏感参量单一等缺陷。
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