公开(公告)号：CN113358730B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202110572602.4

申请日：2021-05-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 刘卫华 ,  苑菀彬 ,  吴强 ,  田彤 ,  李昕 ,  韩传余

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供的一种沙林及其模拟剂的气敏传感器和制备方法，制备针对沙林及其模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)具有选择性和栅控特性的复合敏感沟道，实现场效应管型气敏传感器的基本结构。在气敏测试过程中，可以对传感器进行转移特性、输出特性等晶体管基本特性曲线持续扫描，获取如载流子迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等关键器件物理参数，进而挖掘气体吸附与电荷转移的根本规律。同时本发明设计的传感器可通过改变栅极电压信号的幅值和形式调控优化对沙林及其模拟剂的敏感性，气敏响应速度以及选择性。该发明所述的场效应管型气敏传感器有效改善了传统金属氧化物型半导体微纳气敏传感器高工作温度，选择性差和敏感参量单一等缺陷。

公开(公告)号：CN113358730A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110572602.4

申请日：2021-05-25

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 刘卫华 ,  苑菀彬 ,  吴强 ,  田彤 ,  李昕 ,  韩传余

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供的一种沙林及其模拟剂的气敏传感器和制备方法，制备针对沙林及其模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)具有选择性和栅控特性的复合敏感沟道，实现场效应管型气敏传感器的基本结构。在气敏测试过程中，可以对传感器进行转移特性、输出特性等晶体管基本特性曲线持续扫描，获取如载流子迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等关键器件物理参数，进而挖掘气体吸附与电荷转移的根本规律。同时本发明设计的传感器可通过改变栅极电压信号的幅值和形式调控优化对沙林及其模拟剂的敏感性，气敏响应速度以及选择性。该发明所述的场效应管型气敏传感器有效改善了传统金属氧化物型半导体微纳气敏传感器高工作温度，选择性差和敏感参量单一等缺陷。