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公开(公告)号：CN109896543B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN109023261A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810849978.3
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法，包括：1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料；2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段，控制生长温度500℃～800℃；控制氧气分压在10Pa～20Pa；控制激光能量在1.5J/cm2～3J/cm2，频率在1Hz～10Hz；本发明制备出的钙钛矿结构的薄膜经X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电力显微镜(PFM)分析，生长得到的薄膜具有良好的织构结晶特性，膜层厚度300nm以内可控；而且薄膜表面平整，均方根粗糙度在1nm之内；生长的薄膜具有压电性，具有转移至任意衬底的潜力。
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公开(公告)号：CN115148595A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210769534.5
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种用于三五(III‑V)族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法，包括以下步骤：在预获取的硅衬底上制备掩膜层，获得制备有掩膜层的硅衬底；基于预设图案刻蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的掩膜层，形成第一沟槽；基于所述第一沟槽，腐蚀所述制备有掩膜层的硅衬底中的硅衬底，形成第二沟槽并露出硅的111面；清洗以去除第二沟槽内的氧化物，制备获得用于III‑V族半导体外延生长的图案化硅衬底。本发明的方法制备的图案化硅衬底，可用于进行外延生长单晶的III‑V族半导体薄膜，能够有效地抑制III‑V族半导体/Si界面的位错，III‑V族半导体薄膜的结晶情况较好，整体质量得到了极大的改善。
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公开(公告)号：CN114779036A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210417528.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/26 , G01K11/324 , G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种具有时间和空间分辨力的功率器件热分布测量方法及系统，所述方法包括以下步骤：标定待测量的功率器件的温度‑拉曼位移系数；基于标定的温度‑拉曼位移系数，在脉冲工作状态下测量获得功率器件时间和空间分辨的温度分布。本发明为解决现有技术中无法同时测得功率器件具有空间分辨力和时间分辨力温度分布的技术问题，提供了具有时间和空间分辨力的功率器件热分布的测量方法，该方法可以通过非接触式的形式测得功率器件具有高空间分辨力和时间分辨力的热分布。
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公开(公告)号：CN109166790B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115290209B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210800738.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置及方法，所述原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置包括：脉冲激光系统，所述脉冲激光系统用于产生脉冲探测激光；信号调制系统，所述信号调制系统用于产生调制驱动器的第一调制信号和调制电源模块的第二调制信号；拉曼光谱系统，所述拉曼光谱系统用于探测和处理拉曼散射信号；样品台，所述样品台用于放置待测器件。本发明可解决现有拉曼测温装置无法实现对于工作在高频状态下电子器件时间分辨的温度分布测量的技术难题，能够实现原位测量脉冲工作模式下电子器件的温度分布。
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公开(公告)号：CN109896543A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150099.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明公开了一种远程外延生长可转移钛酸钡单晶薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备技术领域。选择晶格常数与待制备薄膜相近的单晶衬底，在衬底表面覆盖一层石墨烯，使用脉冲激光沉积法在覆盖有石墨烯的衬底上生长钛酸钡薄膜，将生长得到的薄膜进行Cr金属应力层的生长，使薄膜能够剥离转移。利用远程外延原理，使衬底透过石墨烯对薄膜结晶和取向进行控制，获得单晶外延的薄膜，另外由于石墨烯微弱的范德华力，生长得到的单晶外延薄膜可以简便地转移到任意衬底。
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公开(公告)号：CN112499581B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN112499581A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN109898138A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500-800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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