氮化镓化学机械抛光液及其制备方法

    公开(公告)号:CN110205034A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910550088.7

    申请日:2019-06-24

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种氮化镓化学机械抛光液,由SiO2抛光液、H2O2、甘氨酸、对苯二甲酸、去离子水和pH调节剂配制而成;所述化学机械抛光液中,SiO2的浓度为5~10wt%,H2O2的浓度为0.4~0.8wt%,甘氨酸的浓度为0.5~1.5wt%,对苯二甲酸的浓度为0.1~1wt%,pH值为11~11.5。本发明还提供了所述氮化镓化学机械抛光液的制备方法。本发明的氮化镓化学机械抛光液,成分和制备工艺简单,改善了传统氮化镓抛光液污染环境、对人体有伤害等问题;并且抛光速率达一百纳米每小时以上,抛光表面粗糙度低至亚纳米级粗糙度。

    电诱导辅助化学机械抛光测试装置

    公开(公告)号:CN110281144A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910661325.7

    申请日:2019-07-22

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置,包括:抛光液池、抛光垫、抛光盘、抛光头、驱动器、负电极以及外接电源;所述抛光液池用于盛装抛光电解液,其通过所述抛光盘带动而旋转;所述抛光垫贴合于抛光液池的底壁上;所述抛光头用于固定待抛光的晶片,并通过所述驱动器驱动而与所述抛光垫相对反向旋转,以对晶片进行机械抛光;所述外接电源的正极与所述晶片接通,负极与所述负电极接通。本发明的电诱导辅助化学机械抛光测试装置,通过电诱导作用的方式,增强晶片的氧化腐蚀,提高材料去除率,降低晶片抛光的生产成本,改善晶片的表面质量。

    电诱导辅助化学机械抛光测试装置

    公开(公告)号:CN210281867U

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201921151577.7

    申请日:2019-07-22

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置,包括:抛光液池、抛光垫、抛光盘、抛光头、驱动器、负电极以及外接电源;所述抛光液池用于盛装抛光电解液,其通过所述抛光盘带动而旋转;所述抛光垫贴合于抛光液池的底壁上;所述抛光头用于固定待抛光的晶片,并通过所述驱动器驱动而与所述抛光垫相对反向旋转,以对晶片进行机械抛光;所述外接电源的正极与所述晶片接通,负极与所述负电极接通。本实用新型的电诱导辅助化学机械抛光测试装置,通过电诱导作用的方式,增强晶片的氧化腐蚀,提高材料去除率,降低晶片抛光的生产成本,改善晶片的表面质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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