公开(公告)号：CN112106183B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980031546.4

申请日：2019-04-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·E·科乌通斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请案涉及用于处理一或多个半导体装置的工具及系统及相关方法。一种用于制造一或多个半导体装置的系统包含工具，所述工具包括室及所述室内的平台，所述平台经配置以在其上接收一或多个半导体装置。所述工具进一步包含与所述平台可操作连通且经配置以控制所述平台的温度的加热及冷却系统。所述加热及冷却系统包括：冷却系统，其包含用于容纳冷传热流体的冷槽，所述冷槽经配置以与所述平台、传热流体供应管线及传热流体回流管线流体连通；加热系统，其包含用于容纳具有比所述冷传热流体高的温度的热传热流体的热槽，所述热槽经配置以与所述平台、所述传热流体供应管线及所述传热流体回流管线流体连通；及至少一个暂时存储槽，其经配置以在将来自所述平台的热负载从所述冷却系统或所述加热系统中的一者切换到所述冷却系统或所述加热系统中的另一者之后从至少所述传热流体回流管线接收至少一些所述冷传热流体或所述热传热流体。本发明还揭示相关方法及工具。

公开(公告)号：CN116034640A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180054141.X

申请日：2021-08-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·索尔斯 ,  R·J·希尔 ,  G·S·桑胡 ,  金柄徹 ,  F·H·法布勒盖特 ,  C·M·卡尔森 ,  M·E·科乌通斯基 ,  S·J·特拉普

IPC: H10B43/30

Abstract: 一种电子装置包括单元区，所述单元区包括交替介电材料与导电材料的堆叠。柱区邻近于所述单元区，且包括邻近于邻接氧化物材料且邻近于隧道区的存储节点段。所述存储节点段由所述隧道区的竖直部分分离。高k介电材料邻近于所述单元区的所述导电材料且邻近于所述柱区的所述邻接氧化物材料。与形成电子装置的方法及相关系统一样，公开了额外电子装置。

公开(公告)号：CN113755825A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110608421.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 美光科技公司

Inventor： J·A·斯迈思 ,  G·S·桑胡 ,  S·C·潘迪 ,  M·E·科乌通斯基

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/38 ,  H01L21/033

Abstract: 本专利申请涉及材料沉积系统，以及相关方法和微电子装置。一种材料沉积系统包括前体源以及与所述前体源选择性流体连通的化学气相沉积设备。所述前体源经配置以含有呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料。所述化学气相沉积设备包括壳体结构、分配歧管和衬底固持器。所述壳体结构经配置和定位以接收包括所述至少一种含金属前体材料的至少一个馈送流体流。所述分配歧管在所述壳体结构内，且与信号发生器电连通。所述衬底固持器在所述壳体结构内，与分配组件间隔开，且与额外信号发生器电连通。还描述了一种微电子装置和形成微电子装置的方法。

公开(公告)号：CN112106183A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031546.4

申请日：2019-04-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·E·科乌通斯基

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明揭示一种用于制造半导体装置结构的系统，其包含工具，所述工具包括室及所述室内的平台，所述平台经配置以在其上接收半导体装置结构。所述工具进一步包含与所述平台可操作连通且经配置以控制所述平台的温度的加热及冷却系统。所述加热及冷却系统包括：冷却系统，其包含用于容纳冷传热流体的冷槽，所述冷槽经配置以与所述平台、传热流体供应管线及传热流体回流管线流体连通；加热系统，其包含用于容纳具有比所述冷传热流体高的温度的热传热流体的热槽，所述热槽经配置以与所述平台、所述传热流体供应管线及所述传热流体回流管线流体连通；及至少一个暂时存储槽，其经配置以在将来自所述平台的热负载从所述冷却系统或所述加热系统中的一者切换到所述冷却系统或所述加热系统中的另一者之后从至少所述传热流体回流管线接收至少一些所述冷传热流体或所述热传热流体。本发明还揭示相关方法及工具。

公开(公告)号：CN118522666A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410587821.3

申请日：2019-04-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·E·科乌通斯基

IPC: H01L21/67 ,  F25D31/00 ,  F25D17/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请案涉及用于处理一或多个半导体装置的工具及系统及相关方法。一种用于制造一或多个半导体装置的系统包含工具，所述工具包括室及所述室内的平台，所述平台经配置以在其上接收一或多个半导体装置。所述工具进一步包含与所述平台可操作连通且经配置以控制所述平台的温度的加热及冷却系统。所述加热及冷却系统包括：冷却系统，其包含用于容纳冷传热流体的冷槽；加热系统，其包含用于容纳具有比所述冷传热流体高的温度的热传热流体的热槽；及至少一个暂时存储槽。本发明还揭示相关方法及工具。

公开(公告)号：CN116583114A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211658304.8

申请日：2022-12-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： J·D·霍普金斯 ,  D·法兹尔 ,  M·E·科乌通斯基

IPC: H10B80/00

Abstract: 本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括存储器单元串。所述存储器阵列包括横向间隔的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体层级之上的交替的绝缘层级与导电层级。存储器单元的沟道材料串构造延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。所述沟道材料串构造的所述沟道材料直接电耦合到所述导体层级的导体材料。子结构材料在所述导体层级中且横向跨越所述沟道材料串构造中的多者的底部且横向地在所述底部之间横跨。所述子结构材料具有与所述导体材料的上部不同的成分。所述子结构材料包括横向向内锥形化而移动到所述导体层级中更深处的横向相对侧。公开其它实施例，包含方法。