-
公开(公告)号：CN109075038B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780012924.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
-
公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
-
公开(公告)号：CN108070904A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711130137.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 纽富来科技股份有限公司
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/00
Abstract: 本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075038A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780012924.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/6719 , B01F3/028 , C23C16/455 , C23C16/45587 , H01L21/02529 , H01L21/205
Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。
-
公开(公告)号：CN108070905B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201711130148.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 纽富来科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
-
公开(公告)号：CN108070904B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201711130137.9
申请日：2017-11-15
Applicant: 纽富来科技股份有限公司(JP)
Abstract: 本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
-
公开(公告)号：CN108070905A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711130148.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 纽富来科技股份有限公司
CPC classification number: C30B25/10 , C23C16/4411 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45585 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/36
Abstract: 本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
-
公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/14
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.033 seconds)
