公开(公告)号：CN101569069B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。

公开(公告)号：CN101569069A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001217.7

申请日：2008-05-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈野展贤 ,  狩野祥男 ,  鎌田满 ,  高瀬英治 ,  大金诚 ,  长竹刚 ,  成井启修

IPC: H01S5/223 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/227 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2223 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3432

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。