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公开(公告)号：CN100421275C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03801388.6
申请日：2003-05-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , B41J2/045 , B41J2/055
Abstract: 本发明公开了一种压电致动器，具有在将(100)取向的钌酸锶用作下部电极时最合适的层结构。该压电致动器包括：振动板(30)，所述振动板(30)由在(100)-Si衬底(20)上外延生长的具有(100)取向的氧化钇稳定的氧化锆、CeO2或ZrO2构成；具有(001)取向的REBa2Cu3Ox的缓冲层(41)，所述缓冲层(41)形成在所述振动板(30)上；下部电极(42)，所述下部(42)电极形成在所述缓冲层上，且包括(100)取向的钌酸锶；压电层(43)，所述压电层(43)形成在所述下部电极(42)上，且由(100)取向的PZT构成；以及形成在所述压电层上的上部电极(44)。
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公开(公告)号：CN1487564A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03156519.0
申请日：2003-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/31691 , H01L21/32058 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。
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公开(公告)号：CN1311518C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02153623.6
申请日：2002-11-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/24 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/02304 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/045 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种用于电子装置的衬底，该电子装置包括由立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向并利用外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层衬底。本发明还提供一种具有用于该电子装置的衬底的电子装置。图1所示的电子装置用衬底(100)包括Si衬底(11)；在Si衬底(11)上利用外延生长形成包含具有NaC1结构的金属氧化物的缓冲层(12)；在缓冲层(12)上用立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向外延生长形成的含有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层(13)。优选的是，Si衬底(11)是不除去自然氧化膜(100)衬底或(110)衬底。并且，缓冲层(12)的平均厚度等于或小于10nm。
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公开(公告)号：CN1805164A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510134075.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/0542 , B41J2/14233 , H01L27/20 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/176
Abstract: 一种压电元件(10)，包含：基板(1)；在基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的由具有钙钛矿型化合物结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含1层以上的由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层(41)。由此，本发明能够提供可得到良好压电特性的压电元件。
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公开(公告)号：CN1805163A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510134074.5
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , F04B43/046 , H01L41/0478 , H01L41/0973
Abstract: 一种压电元件(10)包含：基板(1)；基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的、由具有钙钛矿结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含由在(001)优先取向的镍酸镧构成的导电性氧化层(42)，镍酸镧缺欠氧。由此，本发明提供一种能够得到良好的压电特性的压电元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1260774C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03156519.0
申请日：2003-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/31691 , H01L21/32058 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。
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公开(公告)号：CN101633266A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910164626.5
申请日：2009-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供能够良好印刷、蚀刻特性优异的液体喷头及其制造方法。液体喷头(50)包括：具有压力室(521)的压力室基板(52)；设置在所述压力室基板一侧的振动板(55)；设置在所述振动板的上方且与所述压力室对应的位置的压电元件(54)；设置在所述压力室基板的另一侧并具有与所述压力室连通的喷嘴孔的喷嘴板(51)。所述压电元件具有：下部电极(4)、形成在所述下部电极的上方的取向层(7)、形成在所述取向层上方的压电体层(5)、形成在所述压电体层的上方的上部电极(6)。所述取向层(7)包括镍酸镧的混晶，所述混晶所含的镍酸镧用式La x Ni y O z 表示时，x是1至3中的任一个整数，y是1或2，且z是2至7中的任一个整数。
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公开(公告)号：CN100509404C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN03122626.4
申请日：2003-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供压电体元件制造方法，工艺简单，能够提供成本低的压电体元件，该方法包括将含有金属微粒子的液体(2)由喷墨头(101)直接在压电体层(40)上进行图形涂布，然后热处理将液体(2)转变为金属膜。
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公开(公告)号：CN100390100C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510134113.1
申请日：2005-12-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/495 , C04B35/632 , C04B35/624 , C09K11/02 , H01B3/12 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种含有用于形成铁电体的前驱体的前驱体组合物，上述铁电体用通式AB1-XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一种构成，C元素由Nb和Ta中的至少一种构成，上述前驱体至少含有上述B元素和C元素，而且局部含有酯键，上述前驱体溶解或分散于有机溶剂中，上述有机溶剂至少含有第1醇、以及沸点和粘度比该第1醇高的第2醇。由此，采用液相法提供具有良好的组成控制性且使铅等金属成份的再利用成为可能的铁电体形成用前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法、和使用了前驱体组合物的铁电膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN1451543A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03122626.4
申请日：2003-04-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/317
Abstract: 本发明提供压电体元件制造方法，工艺简单，能够提供成本低的压电体元件，该方法包括将含有金属微粒子的液体2由喷墨头101直接在压电体层40上进行图形涂布，然后热处理将液体2转变为金属膜。
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